【課題】ウエハボートに棚状に積載された複数の基板の各々に対して側方側から処理ガスを供給して反応管内において熱処理を行うにあたり、処理ガスの有効利用を図ると共に、装置のコストを低減すること。
【解決手段】保持板３１の各々の上面側に基板載置領域３３を周方向に複数箇所に形成して、これら保持板３１を周縁側から周方向に亘って複数箇所において支柱３２によって支持すると共に、保持板３１上に支持されるウエハＷの上面と当該ウエハＷの上方側に対向する保持板３１の下面との間の間隔寸法ｋよりも保持板３１の外縁と内管１２ｂの内壁との間の離間寸法ｔの方が小さくなるように、保持板３１の外縁よりも内側寄りの位置に各々の支柱３２を配置する。そして、ウエハＷの各々の側方側のガス吐出口５２から、各々のウエハＷに対して処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】 内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。各誘電体カップ３０は、その底面に複数の小孔を有している。各誘電体カップ３０内には、ガス導入部３６から導入されたガス３４を前記各小孔に導くガス流路を有している誘電体製の充填物３８が充填されている。 （もっと読む）

【課題】基板載置領域における基板の位置ずれの発生を抑えることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、ウエハＷを載置するための載置部材２００を着脱自在に設け、該載置部材２００に、ウエハＷの下面と載置部材２００の表面との間の空間と、この空間の外側領域と、の間でガスを通流させるためにウエハＷを前記表面から浮かせた状態で保持する突起２０１を形成する。真空容器の内部にて圧力変動が発生したとしても、ウエハＷの下面に処理ガスを速やかに通気させることによって、ウエハＷの下面側において局所的にガス圧が高まりウエハＷが持ち上がって正常な位置からウエハＷが移動してしまう現象の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板であっても短時間にカーボンナノチューブを形成することができる化学気相成長方法および化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して比較的小さいヘッド３０を所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる。ヘッド３０には、基板Ｗに還元ガスを供給する還元室４０と炭素源ガスを供給する炭素源室５０とを設けている。また、基板Ｗに対するヘッド３０の相対移動方向に沿って還元室４０を炭素源室５０よりも前段側に設ける。基板Ｗの表面に配置された触媒が還元室４０または炭素源室５０に対向しているときには、その触媒を加熱することにより還元処理およびカーボンナノチューブの成膜処理を行う。大面積の基板Ｗであっても還元室４０および炭素源室５０の雰囲気置換に長時間を要することはなく、短時間にカーボンナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができ、処理室内のプラズマ密度を均一化して基板に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷに所定のプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、ウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向するように設けられた上部電極板３０ａと、サセプタ１２及び上部電極３０ａの一方に高周波電力を印加して処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源２０と、処理空間Ｓに対向する内壁構成部材と、を有し、処理空間Ｓの周辺部に対向する上部電極３０ａにホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられ、ホローカソード３１ａ〜３１ｃが設けられた上部電極３０ａはシース電圧調整用の直流電源３７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を示す高密度の非晶質窒化珪素膜を簡便な方法で提供すること。
【解決手段】高周波放電を利用したプラズマＣＶＤ法において、シランガスと、水素ガスと、アンモニアガスまたは窒素ガスの少なくとも一方とを含む混合ガスを用いて、電極間距離を５０〜１００ｍｍとし、シランガスに対する水素ガスの流量比（Ｈ₂／ＳｉＨ₄）を０．５〜３．０として非晶質窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。また、電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法により不純物元素を有する非晶質半導体を形成する方法において、パッシェンの法則で最小放電開始電圧を満たす圧力及び電極間隔において、パルス変調した放電開始電圧を電極に印加することより、抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、他の領域と比較して低減することを抑制する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を搬送する搬送部１０２と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の上面および第２のウェハ２１２の上面（疑似ウェハ２００の上面）に原料ガスを供給する第１の供給部と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面（疑似ウェハ２００の下面）に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上の配置位置を制御する制御部と、を備え、制御部は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために第１のウェハ２０２が切り欠かれた切欠領域の内側に、第２のウェハ２１２を配置する。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜を維持するために必要となるチャンバー内の清掃の頻度を低減し、稼動率を向上したＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ装置１００は、チャンバー１と、チャンバー１内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置２と、廃棄ガスをチャンバー１内から排出するための廃棄ガス処理装置１２とを備える。チャンバー１に設置された加熱ステージ６は、基板５を保持するための機構を有し、その周囲に、加熱ステージ６を原料ガス及び廃棄ガスによる腐食あるいは廃棄ガス中の反応生成物の付着を防止するためのヒーターカバー１０が設置されている。ヒーターカバー１０にはシールガスを噴出する複数のガス噴出口１６が設けられ、ヒーターカバー１０の表面と廃棄ガスとの間に、原料ガスと反応しない不活性ガスの層、シールガス層を、基板５の外周から３０ｍｍ以内の範囲にわたり作り、ヒーターカバー１０への付着物の量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 発熱体が熱膨張した際における発熱体と断熱体との接触を抑制し、加熱装置を構成する部材の損傷を低減する。
【解決手段】 環状に形成された発熱体と、発熱体の外周を囲うように設けられる断熱体と、発熱体を断熱体の内壁に固定する固定部と、を備えた加熱装置であって、少なくとも発熱体が室温状態の時に、発熱体と前記断熱体の内壁との間の距離が、固定部から離れるにつれて大きくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高周波電圧印加時の表面電流によるジュール発熱を抑制し、プラズマ放電処理の均一性を確保し、加熱による電極の破壊が防止され、更に、電極軸受け部材を互い違いに配置することで、軸受け部材間のアーク放電も防止された、プラズマ放電装置を提供する。
【解決手段】母材２００ａの表面に非磁性導電性被膜２００ｂを施し、さらに、該非磁性導電性被膜の表面を誘電体２００ｃで覆ったプラズマ放電装置に用いる誘電体被覆電極であって、該母材のヤング率が１５０ＧＰａ〜２８０ＧＰａであることを特徴とする誘電体被覆電極、プラズマ放電装置及び大気圧プラズマ処理方法。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】基板をドラムに巻き掛けて搬送しつつ、ドラムに電力を供給して成膜を行なう成膜装置であって、ドラム電極への基板の巻き掛け開始位置や、基板とドラムとの離間位置における、ドラムからの異状放電を好適に抑制することができ、これに起因する膜質劣化や基板の損傷等を抑制し、また、基板のバタツキによる基板の損傷を抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】ドラム３０とドラム３０に巻き掛けられた基板Ｚとが離間する位置でドラム３０の周面に対面して配置される、基板Ｚを挿通するための開口部が形成され、導電性で接地される、板状のアース板４８と、ドラム３０から離間した直後の基板Ｚを案内する搬送ローラ２２とを有し、搬送ローラ２２が、導電性で接地されており、かつ、この搬送ローラ２２の少なくとも一部が、アース板４８の開口部４８ａに入るように配置されていることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの回り込みを効果的に抑制して被処理基板の意図しない部分に膜が成膜されることを防止することのできるインライン型プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】インライン型プラズマ成膜装置１Ａは、搬送路４上において被処理基板１００を搬送する複数の搬送ローラ３と、被処理基板１００の上面に面するようにプラズマを生成することで被処理基板１００の上面に膜を成膜するプラズマ生成部と、被処理基板１００の下面に膜が成膜されることを防止する成膜防止部材５とを備えている。成膜防止部材５は、プラズマが生成される領域に搬送路４を挟んで対面する領域でかつ搬送ローラ３が位置する部分を除く領域を上方から見て実質的に満たすように配置され、被処理基板１００の下面に対面するように設けられた平面状の成膜防止面５ａを含み、当該成膜防止面５ａの幅は、被処理基板１００の幅よりも大きく構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上と信頼性向上を両立することができる半導体装置用絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ配線２１上に形成する半導体装置用絶縁膜として、プラズマにより解離したアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合した第１の膜２３、第２の膜２４を形成する際、配線２１に接する第１の膜２３の膜中炭素量を９％以上、かつ、３５％以下とすると共に、第１の膜２３及び第２の膜２４全体の実効誘電率を４．０以下とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置における電極間の電界をより強くする。
【解決手段】基板１０２を保持することが可能な上部電極１２と、上部電極１２と対向するように配置され、上部電極１２と対向する部分に上部電極１２に向かって複数の柱状凸部１４ａが形成された下部電極１４とを設ける。そして、柱状凸部１４ａの配置のピッチＰと先端部の幅Ｗとの比Ｐ／Ｗを１．３以上とする。 （もっと読む）