【課題】大気圧プラズマＣＶＤでは、成膜レートがプラズマギャップ（電極−成膜用基板間距離）に非常に敏感である。１ｍ角を越える大型基板に大気圧プラズマＣＶＤで薄膜を形成する場合、基板のうねり等のために電極−成膜用基板間距離が変動すると、成膜レート、膜厚が変動し、それによって太陽電池の出力が変動するしてしまう。
【解決手段】
大気圧プラズマＣＶＤ装置において、ガス供給手段で電極とテーブルとの間に大気圧中でＣＶＤ原料ガスを供給しながら電極とテーブルとの間に大気圧中で高周波電力を印加することにより電極と試料との間にプラズマを発生させた状態で駆動手段で電極をテーブル手段に沿って移動させている間に電極とテーブルとの両方を制御して電極とテーブルとの間隔を制御することにより、基板にうねりがあっても基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて基板に薄膜を形成するとき、プラズマの発生密度を向上させて薄膜の形成を短時間で済ませる。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜用原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記成膜空間の前記薄膜用原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ電極部と、を有する。プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れる板部材であって、前記板部材の第１の主面が前記成膜空間に向き、前記第１の主面に、電流の流れる方向に沿って延びる溝状の凹部が複数設けられている電極板をプラズマ生成用電極として備える。 （もっと読む）

基板表面上への層堆積の方法。当該方法は、基板に接触させるための前駆体供給部から堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された気体前駆体の一部の堆積空洞からの排出と、基板表面に沿った、堆積空洞および基板の互いに相対的な位置付けとを含む。当該方法は、さらに、第１の電極および第２の電極の提供と、第１の電極および第２の電極の互いに対応する位置付けと、第１の電極および第２の電極の間に生じる高電圧差による基板に接触するための基板近くでのプラズマ放電の発生とを含む。当該方法は、プラズマによる表面のパターニングのため、選択的なプラズマ放電の発生を含む。気体前駆体に接触した基板の部分が、プラズマに接触した基板の部分に、選択的に重複する。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に原料ガスを均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱室４にカーボンを含む原料ガスＧを導くと共に原料ガスを加熱して加熱室に配置された基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉１を具備する熱ＣＶＤ装置であって、加熱室内に、基板をそのカーボンナノチューブ形成面が下面となるように保持し得る基板保持部材11を配置し、この基板保持部材下方の加熱炉底壁部1aにガス供給口５を形成すると共に基板保持部材上方の加熱炉上壁部1bにガス排出口６を形成し、上記基板保持部材の上側に発熱体13を配置し、ガス供給口から導かれた原料ガスを基板保持部材の下面に導くためのガス案内用ダクト体14を設け、このガス案内用ダクト体と基板保持部材との間に反応ガスを分散させる邪魔板15を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】基材とガスバリア層との密着性が、従来よりも大幅に改善されたガスバリア性フィルムを、高い生産効率で提供する。
【解決手段】連続して走行する基材１０上にガスバリア層を形成するガスバリア性フィルムの製造方法であって、金属ロール電極１と、これに沿った円弧状の対向電極である接地電極２とを備えるＲＩＥ処理装置を用い、両電極１，２の間に、少なくとも酸化用ガスを含む1種類以上のガスと、気化した有機シリコン化合物とを導入する手段、及び処理空間内の圧力を３Ｐａ以上３５Ｐａ以下とし、電源周波数を３０ｋＨｚ以上４ＭＨｚ以下の高周波として、両電極１，２の間に、プラズマを発生させる手段により、基材１０の表面にプラズマ化学気相蒸着法により、厚さ３ｎｍ以上の中間密着層を形成する工程と、中間密着層の表面に、真空蒸着法によりガスバリア層を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】第１反応ガスと第２反応ガスとの混合を抑制する分離ガスによって第１及び第２反応ガスが希釈されるのを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】本成膜装置は、基板載置領域を一の面に含む回転テーブル；容器内の第１供給領域に配置され、一の面へ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２供給領域に配置され、一の面へ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部からの分離ガスを第１及び第２の供給領域へ向けて供給する分離空間を形成する天井面とを含み、第１及び第２供給領域の間に配置される分離領域；第１及び第２供給領域に設けられる第１及び第２排気口；を備え、第１及び第２排気口の少なくとも一方が、対応する供給領域へ向かって分離領域から供給される分離ガスを、反応ガス供給部が延びる方向に沿った方向に導くように配置される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に半導体処理チャンバに関し、より詳細には、半導体処理チャンバのための、被加熱支持体ペデスタルに関する。１つの実施形態において、半導体処理チャンバのためのペデスタルが提供される。ペデスタルは、導電性材料を含み、基板を受け取るための支持面を有している基板支持体と、基板支持体内に封入された抵抗ヒータと、第１の端部において基板支持体に結合し、対向する端部において整合するインターフェイスに結合する中空シャフトであって、中空コアを有するシャフト本体と、内部冷却経路を介してペデスタルから熱を除去するための中空コアを取り囲み、シャフト本体内に設置される冷却チャネルアセンブリとを含む中空シャフトとを備えるペデスタルであって、基板支持体が加熱素子とリング状冷却チャネルの間に配置される熱制御間隙を有している。
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【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

プラズマを用いた、特には階層的に組織化された種類の、ナノ構造化薄層を製造するための方法、及び該方法を実施するための装置（３０；４０）について記載する。
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【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、パウダーの発生を抑制可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、凹凸部を設け、該凸部に原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置し、該凹部に希釈ガスのみを噴出する複数の希釈ガス噴出孔を配置するとともに、該原料ガス噴出孔を該噴出方向が基板表面の法線方向以外に向くように設置させるということを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質なＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶体の製造方法は、単結晶３ｂを形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板３ａを、回転軸Ａが鉛直方向となるように回転させる工程と、水平方向に開口したガス供給口４ｃを先端に有し、同軸構造の外筒部４ｂと内筒部４ａとから構成され、内筒部４ａのガス供給口４ｃの中心軸Ｂが鉛直方向で且つ前記回転軸Ａの延長線上から離間したガス供給管４において、前記内筒部４ａから３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を、前記内筒部４ａと前記外筒部４ｂとの間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを前記種基板３ａに供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質のコーティング膜を与えることができるコーティング装置およびコーティング方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、
該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。このような構成により、前記プラズマを電子デバイス用基材上に照射しつつ、該基材上にコーティング層を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】気相成長の際に、エピタキシャル層へのオートドープによる抵抗のバラツキが少ないエピタキシャルウェーハを製造し得るエピタキシャル成長用サセプタを提供する。
【解決手段】サセプタの複数のザグリのそれぞれは、半導体ウェーハ２１を底面部に載置して収容可能な直径を有する第１ザグリ１３と、第１ザグリ１３より大径の直径を有し第１ザグリ１３と同心円をなし第１ザグリ１３の底面部１３ａより高い位置に底面部１４ａが形成された第２ザグリ１４を有する２段状ザグリであって、隣合うザグリ同士の近接部が第１ザグリの側面部１３ｂと第２ザグリの底面部１４ａのみで形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室内における反応ガスの圧力を４５０Ｐａ〜１３３３２Ｐａとし、当該プラズマＣＶＤ装置の第１の電極と第２の電極の間隔を１ｍｍ〜２０ｍｍ、好ましくは４ｍｍ以上１６ｍｍ以下として、前記第１の電極に６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することにより、第１の電極および第２の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、基板に成膜を行なう際に、ドラムに高いバイアス電位を印加する場合でも、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、製造装置の損傷を防止することができる機能膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、ドラムの端面とアース板との間に配置される絶縁部材とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】緻密な半導体膜を作製するためのプラズマＣＶＤ装置の構成を提供する。また、結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜（例えば微結晶半導体膜）を作製する技術を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の反応室にプラズマを生成するための電力が供給される電極を有する。この電極は、基板と対向する面に共通平面を有し、この共通平面に、凹状の開口部を有している。また、ガス供給口は、凹状の開口部の底部または電極の共通平面に設けられている。また、凹状の開口部はそれぞれが孤立するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質の半導体膜を大面積の絶縁透光性基板の面内に均一に形成でき、かつ異なる製膜ロット間での膜質の差が小さい半導体膜の製造装置及び方法を得ること。
【解決手段】Ｈ_２ガス又はＨ_２ガスとＳｉＨ_４ガスとの混合ガスを分散供給するシャワーヘッド４と基板ステージ１とが内部に設けられた真空容器を製膜室として備えた半導体膜の製造装置であって、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の空間にプラズマを発生させる高周波電源５と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間の複数のモニタ箇所でプラズマの電子温度を測定するラングミュアプローブ８と、シャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する伸縮アーム１０と、各モニタ箇所での電子温度の測定値が設定値と一致するように、伸縮アーム１０を制御してシャワーヘッド４と基板ステージ１との間隔を調整する制御コントローラ１とを有する。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）