【課題】高速で薄膜を連続的に堆積させることができ、成膜速度を大きくしてスループットを向上させることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して処理ガスにより成膜処理を施すための処理装置２２において、排気可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するための載置台２６と、被処理体Ｗを加熱するための加熱手段２８と、載置台２６の上方とその外側を通って回転移動することによって処理ガスを被処理体Ｗに向けて供給するガス噴射ノズル部７８を有するガス供給手段７６と、載置台２６とガス供給手段７６の内のいずれか一方を移動させてガス供給手段７６と載置台２６とを相対的に接近及び離間させるように移動させる移動手段６４とを備える。これによって、開閉弁を用いることなく処理ガスを間欠的に被処理体Ｗの上方に供給させることができ、高速で薄膜を連続的に堆積させることができる。 （もっと読む）

反応器は、反応チャンバ（１６）及び排気アッセンブリ（１８）に作動的に接続されたガス供給システム（１４）を含むハウジングを有する。ガス供給システムは、少なくとも一つのプロセスガスを反応チャンバに提供する複数のガスラインを含む。ガス供給システムは更に少なくとも一つのプロセスガスを収容するミキサ（２０）を含む。ミキサは、プロセスガスを放散するように構成されたディフューザ（２２）に作動的に接続される。ディフューザは、反応チャンバの上面（２４）に直接的に取り付けられ、それによって、それらの間にディフューザ容積を形成する。ディフューザは、プロセスガスが反応チャンバに導入される前にディフューザ容積を通過する際にプロセスガスに流れ制限を提供するように構成された少なくとも一つの分配表面を含む。反応チャンバは、半導体基板が処理のために配置される反応空間を画定する。排気アッセンブリは、反応していないプロセスガスを引き込むために反応チャンバに作動的に接続され、反応空間から放出する。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ低コストの構成で、基材上への均一なガス供給を可能にして高質の表面処理を実現する。
【解決手段】基材１２を特定方向に搬送しながら、その表面に向けて表面処理用ガスを供給することにより、基材１２の表面処理を行う。具体的には、円筒状外周面を有して当該外周面が基材１２の表面に隙間２３をおいて対向し、基材１２の搬送方向と略直交する方向の軸を中心に回転する回転体２４と、回転体２４を当該回転体２４が基材１２の表面に対向する部位を残して覆う覆い部材１４と、この覆い部材１４が基材１２の表面に対向する面と当該基材１２の表面との間に電界を形成する手段とを備える。覆い部材１４内に供給された表面処理用ガスが回転体２４の回転に伴いその外周面に巻き込まれて隙間２３に導かれかつこの隙間２３から電界形成領域に供給されてプラズマを生じさせるように、回転体２４及び覆い部材１４が配置される。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成であっても、成膜品質の向上を実現し、且つ、材料ガス消費量の抑制を実現した気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置５０は、サセプタ１２の面内から鉛直方向に隆起するように、円柱型の形状を有したサセプタ凸状部位１２ａが複数設けられている。各サセプタ凸状部位１２ａの先端は、基板１０を載置することができ、サセプタ凸状部位１２ａに対して１対１で基板１０が載置される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】電極間距離の微調整を容易かつ効率的に行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】チャンバーＭ１と、チャンバーＭ１内に配置されてプラズマ放電を発生させる平板形の第１電極１１ｅおよび第２電極１２ｅと、第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを平行に対向してそれぞれ支持する第１支持部１３および第２支持部１４と、第１および第２支持部１３、１４にて支持された第１電極１１ｅと第２電極１２ｅを相対的にねじで移動させて電極間距離Ｌ１を微調整する微調整機構Ａとを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】結晶の質と堆積プロセスの効率とを向上させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、プロセスチャンバー（１）の床を形成し、少なくとも１つの基板（５）が置かれるサセプタ（２）と、プロセスチャンバー（１）の天井を形成するカバープレート（３）と、プロセスチャンバー（１）の中にプロセスガスおよびキャリアガスを導入するためのガス注入エレメント（４）とを備える。サセプタ（２）の下には多数の加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）が互いに隣り合って配置され、プロセスチャンバー（１）に面するサセプタ（２）の表面とプロセスチャンバー（１）の中にあるガスとを加熱する。カバープレート（３）の上の熱消散エレメント（８）は、サセプタ（２）からカバープレート（３）に移る熱を消散させる。高い熱伝達能力を持つ熱伝達結合ゾーン（Ｚ１−Ｚ８）は高い熱出力
【数１３】


を持つ加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）の位置に対応する。 （もっと読む）

【課題】基板を比較的高い温度で安定して制御するプラズマ処理装置の基板支持台を提供する。
【解決手段】基板Ｗを静電的に吸着するための第１電極と、基板Ｗにバイアスを印加するための第２電極と、基板を加熱するためのヒータとを内蔵する静電吸着板１４と、静電吸着板１４の下面に溶着され、静電吸着板１４と同等の熱特性を持つ合金からなる筒状のフランジ１３と、フランジ１３の下面に対面する面にＯリング１２を有し、Ｏリング１２を介して、フランジ１３を取り付ける支持台１０とを有する基板支持台において、基板Ｗに印加するバイアスパワーを変更するときには、基板Ｗの温度が一定となるように、基板Ｗを加熱するヒータパワーを変更する。 （もっと読む）

【課題】均一の成膜を行い品質管理を図ることができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基板を収納する第１の基板収納手段１と第２の基板収納手段２との間に、前記第１の基板収納手段１と第２の基板収納手段２の一方から他方に向けて前記基板Ｓを送り出しながら前記基板Ｓの主面に複数種類の薄膜を選択的に形成する薄膜形成手段を配設し、前記薄膜の一層を形成する度に前記基板Ｓの送り出し方向を反転させると共に薄膜種類を変えて、前記複数種類の薄膜を前記主面に順次積層する薄膜製造方法において、前記帯状の基板Ｓに形成された薄膜を検出する検出部７Ａ，７Ｂを前記基板収納手段１，２に設け、該検出部７Ａ，７Ｂによって検出された薄膜の膜質を評価し、適切な電極間隔を演算する膜質評価演算部８を設け、この膜質評価演算部８の演算結果から電極間隔を電極間隔指令制御部９によって制御する。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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電源に接続されている２以上の相対する電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマを用い、該処理空間において前駆体と酸素を含むガス組成物を用いて、ポリマー基材を生産するためのプラズマ処理装置および方法。無機材料の第１層を、ポリマー基材上に、該ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定された該ポリマー基材の断面の最大山谷高低差として定義されるＲ_ｔ−値の少なくとも１００％の最大厚さ（ｄ３）で付着させる。無機材料の第２層は第１層の上に付着させ、ここにおいて、処理空間において酸素は３％以上の濃度を有し、電源を、２以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが４０Ｊ／ｃｍ^２以上になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面及び側面をキャップ絶縁膜１０７及びサイドウォール絶縁膜１０８で覆われた複数のビット線１０６間に形成された溝状領域１０９と、Ｎ（窒素）よりもＯ（酸素）を多く含み溝状領域１０９の内表面を連続的に覆うＳｉＯＮ膜１０と、ＳｉＯＮ膜１０を介して溝状領域１０９内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は、プラズマチャンバシステム内で基材上に微結晶シリコンを堆積するための方法であって、プラズマチャンバシステムが、プラズマ開始前には、少なくとも１種の反応性のシリコン含有ガスと水素を、または水素だけを含むステップ、プラズマを開始するステップ、プラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスだけを供給するか、またはプラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスおよび水素を含む少なくとも１種の混合物を供給し、その際、チャンバ内に供給する際の反応性のシリコン含有ガスの濃度を０．５％超に調整するステップ、およびプラズマ出力を、０．１〜２．５Ｗ／ｃｍ^２電極面の間に調整するステップ、０．５ｎｍ／ｓ超の堆積速度を選択し、かつ微結晶層を基材上に１０００ナノメートル未満の厚さで堆積するステップ、を含む方法に関する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、プラズマを使用して基板を処理するための方法および装置に関する。より詳しくは、本発明の実施形態は、複数のＲＦ帰還用ストラップに連結された電極を有するプラズマ処理用チャンバを提供し、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、処理中にプラズマ分布を調整するように設定されるおよび／または調節される。一実施形態では、ＲＦ帰還用ストラップのインピーダンスが、ＲＦ帰還用ストラップの長さを変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの幅を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの間隔を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップの場所を変化させることによってか、ＲＦ帰還用ストラップにコンデンサを付加することによってか、またはこれらの組み合わせによって変わる。
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【課題】エピタキシャルウェハの裏面に異常成長を発生させることなくエピタキシャル膜の膜厚のばらつきを小さくできるエピタキシャルウェハの製造装置の提供。
【解決手段】サセプタ３１の中央とウェハＷの中央とが略一致する状態でウェハＷを設置してエピタキシャルウェハＷＥを製造する製造装置１に、センターロッド３３をサセプタ３１の非載置面３１２側において上下方向に延びるように、かつ、上端がサセプタ３１の中央と近接する状態で設けた。このため、サセプタ３１に向けて照射される一部の輻射光Ｌは、センターロッド３３で乱反射されてサセプタ３１の中央に到達せず、サセプタ３１中央への輻射光の照射量が少なくなり、この部分の温度を低くできる。また、センターロッド３３をサセプタ３１に面接触させていないため、サセプタ３１の熱が奪われることがなくサセプタ３１中央の局所的な温度低下を抑制できる。 （もっと読む）

プラズマ装置内で基板をプラズマ加工する方法および装置であって、・加工される基板の表面と電極との間隔がｄとなるよう、基板（１１０）を電極（１１２）と対向電極（１０８）との間に配置し、・電極（１１２）と対向電極（１０８）との間で容量性結合されたプラズマ放電を、ＤＣ自己バイアスの形成により励起し、・被加工表面領域と電極との間の、擬似中性バルクプラズマ（１１４）を伴うプラズマ放電領域に、少なくとも活性化可能なガス種が存在するようにし、このガス種を加工すべきサブストレートの表面に打ち込む方法および装置において、・プラズマ放電を励起し、・該プラズマ放電では、前記間隔ｄがｓから２．５ｓの間の範囲を有するようにし、ただしｓ＝ｓｅ＋ｓｇであり、ｓｅは電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表わし、ｓｇは対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表わし、または・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりｄｐを有し、ただしｄｐ＜１／３ｄ、ｄｐ＜ｍａｘ（ｓｅ＋ｓｇ）またはｄｐ＜０．５ｓである。
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水素化シリコン系半導体合金は、１０^１６ｃｍ^−３未満の欠陥密度を有する。その合金は、水素化シリコン合金または水素化シリコンゲルマニウム合金を含み得る。合金の水素含有量は、一般に１５％未満であり、或る例では１１％未満である。その合金を組入れたタンデム光発電装置は、低いレベルの光劣化を示す。或る例では、その材料は高速ＶＨＦ堆積プロセスで作製される。 （もっと読む）