半導体製造装置および半導体装置の製造方法
【課題】半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、他の領域と比較して低減することを抑制する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を搬送する搬送部１０２と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の上面および第２のウェハ２１２の上面（疑似ウェハ２００の上面）に原料ガスを供給する第１の供給部と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面（疑似ウェハ２００の下面）に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上の配置位置を制御する制御部と、を備え、制御部は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために第１のウェハ２０２が切り欠かれた切欠領域の内側に、第２のウェハ２１２を配置する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を搬送する搬送部１０２と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の上面および第２のウェハ２１２の上面（疑似ウェハ２００の上面）に原料ガスを供給する第１の供給部と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面（疑似ウェハ２００の下面）に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上の配置位置を制御する制御部と、を備え、制御部は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために第１のウェハ２０２が切り欠かれた切欠領域の内側に、第２のウェハ２１２を配置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の常圧ＣＶＤ装置としては、特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載された常圧ＣＶＤ装置を図５に示す。この常圧ＣＶＤ装置においては、半導体ウェハ３を搬送する搬送ベルト４と、成膜を行う反応ガスインジェクタ２とを備える。搬送ベルト４上においては、２枚１組の半導体ウェハ３は左右に配置されており（半導体ウェハ３Ａ、３Ｂ）、それぞれのオリエンテーションフラット（以下、オリフラと称する）が搬送方向に向けられている。このような配置で、反応ガスインジェクタ２に搬送された２枚１組の半導体ウェハ３上においては、同時に成膜が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１２４４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者が検討した結果、原料ガスがウェハの裏面に回り込むことを防止する目的で、ウェハの下方から回り込み防止ガスを供給すると、オリフラにおいては、ウェハの切欠領域の面積分だけ、他のウェハの領域と比較して、回り込み防止ガスの供給量が増加する。その場合、オリフラ近傍の原料ガスの供給量が減少することにより、オリフラの成膜の膜厚が薄くなることが判明した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを用意する工程と、
前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給しつつ、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する、成膜工程と、を含み、
前記成膜工程は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置した状態で行う、半導体装置の製造方法が提供される。
【０００６】
本発明によれば、
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを搬送する搬送部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給する第１の供給部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、
前記第１のウェハおよび前記第２のウェハの前記搬送部上の配置位置を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置する、半導体製造装置が提供される。
【０００７】
本発明によれば、成膜処理中においては、上面視において、第１のウェハの切欠領域の内側に、第２のウェハを配置している。このため、切欠領域が、第２のウェハで覆われることになる。これにより、従来の切欠領域の空隙面積が最大であった場合と比較して、切欠領域の空隙面積を小さくすることができる。したがって、オリフラにおける、回り込み防止ガスの供給量を低減させ、オリフラへの原料ガスの供給量の減少を、従来と比較して抑制することができる。このようにして、本発明によれば、半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、半導体ウェハの他の領域と比較して低減することを抑制できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、他の領域と比較して低減することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本形態における半導体製造装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の半導体製造装置のＡ−Ａ’断面を示す図である。
【図３】本実施の形態および特許文献１における半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置を示す図である。
【図４】本実施の形態における半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置の変形例を示す図である。
【図５】特許文献１に記載の常圧ＣＶＤ装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、本実施の形態の半導体製造装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、図１の半導体製造装置のＡ−Ａ'断面を示す図である。
本実施の形態の半導体製造装置１００は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を搬送する搬送部１０２と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の上面および第２のウェハ２１２の上面（疑似ウェハ２００の上面）に原料ガスを供給する第１の供給部（原料ガス供給部１３８）と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面（疑似ウェハ２００の下面）に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部（フロアガス供給部１３０）とを有する成膜部１０４と、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上の配置位置を制御する制御部（図示せず）と、を備え、制御部は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために前記第１のウェハ２０２が切り欠かれた切欠領域の内側に、第２のウェハ２１２を配置する。
【００１２】
本実施の形態においては、半導体製造装置１００は、常圧ＣＶＤ装置である。常圧ＣＶＤ装置は、半導体ウェハの表面に酸化膜等の薄膜を成膜する。
【００１３】
本実施の形態の半導体製造装置１００（常圧ＣＶＤ装置）における動作の概要を説明する。
本実施の形態の半導体製造装置１００は、図１に示すように、ＬＤ部１１４（ローダ部）、搬送部１０２、成膜部１０４、ＵＬＤ部１２２（アンローダ部）および不図示の制御部を備える。
まず、ＬＤ部１１４は、２枚１組の半導体ウェハのオリフラを対向させて構成される疑似ウェハ２００を、搬送部１０２に搬送する。続いて、搬送部１０２は、疑似ウェハ２００を成膜部１０４に搬送する。続いて、成膜部１０４は、疑似ウェハ２００の上面に成膜を行う。続いて、搬送部１０２は、成膜された疑似ウェハ２００をＵＬＤ部１２２に搬送する。この後、ＵＬＤ部１２２は、成膜された疑似ウェハ２００を構成する半導体ウェハを回収する。
【００１４】
次に、本実施の形態の半導体製造装置１００の各構成について説明しつつ、半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００１５】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を用意する工程と、第１のウェハ２０２の上面および第１のオリフラ２０４の上面に原料ガス１３４を供給しつつ、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面に、原料ガス１３４の各ウェハの下面への回り込みを防止するガス（フロアガス１３２）を供給する、成膜工程と、を含み、成膜工程は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために第１のウェハ２０２が切り欠かれた第１の切欠領域２０６の内側に、第２のウェハ２１２を配置した状態で行う。
【００１６】
半導体製造装置１００におけるＬＤ部１１４は、２組の半導体ウェハで構成される疑似ウェハ２００を搬送部１０２に搬送する。このＬＤ部１１４は、キャリア１０８、オリフラ合わせ部１０６、マニュピレータ１１０、シャトル１１２を備える。
【００１７】
キャリア１０８は、半導体ウェハをマニュピレータ１１０（搬送ブレード部）に搬入する。オリフラ合わせ部１０６（オリフラ合わせ機）は、キャリア１０８から搬入された半導体ウェハ（第１のウェハ２０２や第２のウェハ２１２）のオリフラの向きを調整する。マニュピレータ１１０は、オリフラの向きが調整された半導体ウェハをシャトル１１２（スライド式搬送部）に搬送する。シャトル１１２は、マニュピレータ１１０から搬送された半導体ウェハを搬送部１０２に搬送する。
【００１８】
本実施の形態に係る制御部は、オリフラ合わせ部１０６によりオリフラの方向を制御し、マニュピレータ１１０およびシャトル１１２の搬送タイミングを制御する。これにより、制御部は、第１のウェハ２０２の第１のオリフラ２０４と第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４との向き、およびそれぞれのウェハの配置距離を制御することができる。本実施の形態においては、制御部は、例えば、第１のウェハ２０２の第１のオリフラ２０４と第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４とが、離間部を介して向かい合った疑似ウェハ２００を構成することができる。以上のように、制御部は、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上における配置位置を制御できる。
【００１９】
本実施の形態の成膜部１０４は、搬送部１０２で搬送された疑似ウェハ２００に対して成膜処理を行う。成膜部１０４は、原料ガス供給部１３８およびフロアガス供給部１３０で構成されている。原料ガス供給部１３８とフロアガス供給部１３０とは、搬送部１０２（搬送ベルト）を介して、対向する位置に設けられている。
【００２０】
原料ガス供給部１３８は、疑似ウェハ２００（第１のウェハ２０２の上面上および第２のウェハ２１２の上面上）の上面上に、原料ガス１３４（反応ガス）を供給する。原料ガス１３４のガス種としては、特に限定されないが、成膜の膜種に応じて適宜選択できる。
【００２１】
フロアガス供給部１３０は、疑似ウェハ２００の上面から下面へ原料ガス１３４が回り込むことを抑制するために、疑似ウェハ２００の下面に向かってフロアガス１３２を供給している。
【００２２】
このフロアガス供給部１３０は、マッフルに設けられている。このマッフルに無数の吹き出し穴が設けられている。マッフルの吹き出し穴から、フロアガス１３２が噴出している。この吹き出し穴は、マッフルの上面に均一の間隔で設けられていてもよい。これにより、フロアガス１３２の供給量は、成膜部１０４中において均一とすることができる。フロアガス１３２のガス種としては、不活性ガスであれば特に限定されず、例えば希ガスやＮ２ガスなどを用いることができる。
【００２３】
このように成膜部１０４においては、半導体ウェハの上部からは原料ガス供給部１３８からの原料ガス１３４が供給され、一方、半導体ウェハの下部からは搬送ベルトを介して、フロアガス１３２が供給されている。この搬送部１０２には、穴部が設けられている。この穴部を通って、搬送部１０２の下方から疑似ウェハ２００の下面にフロアガス１３２が供給されている。例えば、原料ガス１３４とフロアガス１３２とは、それぞれ対向する噴出口から噴出されている。
【００２４】
また、マッフルは、さらにヒータ等の加熱手段を有する。ヒータは、搬送部１０２の下方から疑似ウェハ２００を加熱する。
【００２５】
ここで、本実施の形態の半導体製造装置１００における成膜について、従来技術と比較しつつ、説明する。図３は、本実施の形態（図３（ａ）、（ｂ））および特許文献１（図３（ｃ）、（ｄ））における２枚１組の半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置を示す図である。
【００２６】
図３（ｃ）に示すように、特許文献１に記載の半導体ウェハの配置位置は、第１のウェハ２０２の第１のオリフラ２０４および第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４が、それぞれ搬送方向に向かうように、かつ同一直線上に構成されている。したがって、図３（ｄ）に示すように、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６および第１のウェハ２０２の第２の切欠領域２１６のそれぞれにおいては、空隙面積が最大となっている。
【００２７】
このため、前述の通り、原料ガスがウェハの裏面に回り込むことを防止する目的で、ウェハの下方から回り込み防止ガスを供給すると、半導体ウェハの他の領域に比べて、第１のウェハ２０２の切欠領域の空隙面積分だけ、回り込み防止ガスの供給量が増加する。すなわち、フロアガス供給部１３０の直上の半導体ウェハにおいては、オリフラで覆われない吹き出し穴の開放数が、他の半導体ウェハの領域と比較して増加するので、フロアガス１３２の噴出し量も増加する。その結果、オリフラへの原料ガスの供給量が減少することになる。したがって、第１のオリフラ２０４近傍および第２のオリフラ２１４近傍の成膜の膜厚が薄くなることがあった。
【００２８】
これに対して、図３（ａ）に示すように、本実施の形態における半導体ウェハの配置位置においては、それぞれのオリフラを対向させている。すなわち、図３（ｂ）に示すように、上面視において、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６の内側に、第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４が配置されている。
【００２９】
これにより、第１の切欠領域２０６の空隙部の一部が、他の第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４で覆われる。このため、第１の切欠領域２０６における空隙面積が小さくなる（第１のオリフラ２０４で覆われない吹き出し穴の開放数が、従来と比較して少なくなる）。したがって、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６における、フロアガス１３２（回り込み防止ガス）の供給量を低減させることができる。結果として、オリフラへの原料ガス１３４の供給量の減少を抑制することができる。よって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を抑制することができる。
【００３０】
以上のように、成膜部１０４で成膜された疑似ウェハ２００は、引き続きＵＬＤ部１２２に搬送される。
【００３１】
ＵＬＤ部１２２は、成膜された疑似ウェハ２００を回収する。ＵＬＤ部１２２は、シャトル１１６（スライド式搬送部）、キャリア１１８、マニュピレータ１２０で構成される。シャトル１１６は、成膜された疑似ウェハ２００をマニュピレータ１２０に搬送する。マニュピレータ１２０は、疑似ウェハ２００を構成する半導体ウェハを、個別にキャリア１１８に搬送する。キャリア１１８は、各半導体ウェハを回収する。回収された半導体ウェハは、次の製造工程に使用される。この後、回収された半導体ウェハに対して、通常の半導体装置の製造プロセスを行い、半導体装置を得ることができる。
【００３２】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
【００３３】
本実施の形態においては、成膜工程（成膜部１０４）において、２枚１組の半導体ウェハのそれぞれのオリフラが対向するという、擬似的にオリフラがないような状態で、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２に対して成膜が行われる。
すなわち、第１のウェハ２０２においては、第１の切欠領域２０６の空隙部の一部が、他の第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４で覆われる。このため、第１の切欠領域２０６における空隙面積が、従来と比較して小さくなる（第１のオリフラ２０４で覆われない吹き出し穴の開放数が、従来と比較して少なくなる）。したがって、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６における、フロアガス１３２（回り込み防止ガス）の供給量を低減させることができる。結果として、オリフラへの原料ガス１３４の供給量の減少を抑制することができる。よって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を抑制することができる。
【００３４】
さらに、第１のオリフラ２０４に対して、第２のオリフラ２１４が平行に配置されている。このため、第１の切欠領域２０６における第１のオリフラ２０４と第２のオリフラ２１４との距離Ｌが均一になる。これにより、第１のオリフラ２０４および第２のオリフラ２１４におけるフロアガス１３２の気流の影響をより小さくすることができる。したがって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を均一に抑制することができる。
【００３５】
第１のオリフラ２０４に対して、第２のオリフラ２１４が平行かつ、オリフラ端が一致するように配置される。このため、第１のオリフラ２０４の中心から外側に向かってのフロアガス１３２の供給量のバラツキを低減できる。したがって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を均一に抑制することができる。
【００３６】
また、第２のオリフラ２１４は、第１のオリフラ２０４と対向しているので、第１のオリフラ２０４と同様に、第２のオリフラ２１４近傍における第２のウェハ２１２の膜厚の減少を抑制することができる。
【００３７】
また、図３（ａ）に示すように、成膜工程（成膜部１０４）において、第１のオリフラ２０４と第２のオリフラ２１４との距離Ｌは、５ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは３以下ｍｍである。距離Ｌを上記範囲とすることにより、第１のオリフラ２０４および第２のオリフラ２１４におけるフロアガス１３２の気流の影響をより小さくすることができる。したがって、より効率的にオリフラ近傍における半導体ウェハの膜厚の減少を抑制することができる。
【００３８】
このように、本実施の形態においては、２枚１組の半導体ウェハのそれぞれのオリフラが対向するという、擬似的にオリフラがないような疑似ウェハ２００を構成することができる。疑似ウェハ２００においては、前述のように、オリフラにおけるフロアガス１３２の影響が、従来と比較して低減される構造を有する。このため、疑似ウェハ２００においては、オリフラ近傍と他の領域との膜厚のバラツキが抑制される。
【００３９】
以上のように、実施の形態においては、オリフラの影響による膜厚均一性悪化を改善できる。したがって、歩留まりに優れた半導体装置の構造を実現することができる。
【００４０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４１】
本実施の形態に係る成膜工程（成膜部１０４）においては、上面視において、第１のオリフラ２０４と第２のオリフラ２１４とが対向した配置に限定されず、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６の内側に、第２のウェハ２１２が配置されていれば、とくに第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送ベルト上の配置位置は限定されない。
第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６の内側に、第２のオリフラ２１４以外の領域の第２のウェハ２１２が配置されると、一方の切欠領域が、他の半導体ウェハで覆われることになる。このため、従来の２つの切欠領域の空隙面積が最大であった場合と比較して、いずれか一方の切欠領域の空隙面積を小さくすることができる。したがって、オリフラにおける、回り込み防止ガスの供給量を低減させ、オリフラへの原料ガスの供給量の減少を、従来と比較して抑制することができる。
【００４２】
本実施の形態においては、半導体ウェハの外周端から切欠領域を除去することにより、オリフラを形成している。このため、切欠領域とは、オリフラを形成するために半導体ウェハが切り欠かれた領域を意味する。例えば、半導体ウェハの形状が正円形状の場合には、切欠領域は半円形状となる。言い換えると、切欠領域は、半導体ウェハの外周円の周縁部とオリフラの周縁部とに囲まれた領域となる。
【００４３】
図４は、本実施の形態における半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置の変形例を示す。
図４（ａ）は、オリフラが搬送方向に対して直角方向である疑似ウェハ２００の配置位置を示す。これに対して、図４（ｂ）は、オリフラが搬送方向に対して向かっている疑似ウェハ２００の配置位置を示す。図４（ｂ）に示すように、搬送部１０２の右側レーンおよび左側レーンに対して、それぞれ疑似ウェハ２００を配置してもよい。また、図４（ｃ）は、４枚１組の疑似ウェハ２３０の配置位置を示す。疑似ウェハ２３０においては、各オリエントが隣接する半導体ウェハに向かうように配置されている。
【００４４】
本実施の形態の常圧ＣＶＤ装置においては、２枚の半導体ウェハは、それぞれのオリフラが対向した状態で搬送、成膜される。また、本実施の形態の常圧ＣＶＤ装置においては、キャリアから払い出される半導体ウェハをオリフラが交互に１８０°異なる方向に合わせるオリフラ合わせ機を有する。また、本実施の形態の成膜方法においては、半導体ウェハを２枚ずつ搬送、成膜する常圧ＣＶＤ装置を用い、２枚のウェハのオリフラが対向した状態で、半導体ウェハに成膜を行う。
【００４５】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【符号の説明】
【００４６】
２ 反応ガスインジェクタ
３、３Ａ、３Ｂ 半導体ウェハ
４ 搬送ベルト
１００ 半導体製造装置
１０２ 搬送部
１０４ 成膜部
１０６ オリフラ合わせ部
１０８ キャリア
１１０ マニュピレータ
１１２ シャトル
１１４ ＬＤ部
１１６ シャトル
１１８ キャリア
１２０ マニュピレータ
１２２ ＵＬＤ部
１３０ フロアガス供給部
１３２ フロアガス
１３４ 原料ガス
１３８ 原料ガス供給部
２００ 疑似ウェハ
２０２ 第１のウェハ
２０４ 第１のオリフラ
２０６ 第１の切欠領域
２１２ 第２のウェハ
２１４ 第２のオリフラ
２１６ 第２の切欠領域
２３０ 疑似ウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の常圧ＣＶＤ装置としては、特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載された常圧ＣＶＤ装置を図５に示す。この常圧ＣＶＤ装置においては、半導体ウェハ３を搬送する搬送ベルト４と、成膜を行う反応ガスインジェクタ２とを備える。搬送ベルト４上においては、２枚１組の半導体ウェハ３は左右に配置されており（半導体ウェハ３Ａ、３Ｂ）、それぞれのオリエンテーションフラット（以下、オリフラと称する）が搬送方向に向けられている。このような配置で、反応ガスインジェクタ２に搬送された２枚１組の半導体ウェハ３上においては、同時に成膜が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１２４４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者が検討した結果、原料ガスがウェハの裏面に回り込むことを防止する目的で、ウェハの下方から回り込み防止ガスを供給すると、オリフラにおいては、ウェハの切欠領域の面積分だけ、他のウェハの領域と比較して、回り込み防止ガスの供給量が増加する。その場合、オリフラ近傍の原料ガスの供給量が減少することにより、オリフラの成膜の膜厚が薄くなることが判明した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを用意する工程と、
前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給しつつ、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する、成膜工程と、を含み、
前記成膜工程は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置した状態で行う、半導体装置の製造方法が提供される。
【０００６】
本発明によれば、
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを搬送する搬送部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給する第１の供給部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、
前記第１のウェハおよび前記第２のウェハの前記搬送部上の配置位置を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置する、半導体製造装置が提供される。
【０００７】
本発明によれば、成膜処理中においては、上面視において、第１のウェハの切欠領域の内側に、第２のウェハを配置している。このため、切欠領域が、第２のウェハで覆われることになる。これにより、従来の切欠領域の空隙面積が最大であった場合と比較して、切欠領域の空隙面積を小さくすることができる。したがって、オリフラにおける、回り込み防止ガスの供給量を低減させ、オリフラへの原料ガスの供給量の減少を、従来と比較して抑制することができる。このようにして、本発明によれば、半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、半導体ウェハの他の領域と比較して低減することを抑制できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、他の領域と比較して低減することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本形態における半導体製造装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図１の半導体製造装置のＡ−Ａ’断面を示す図である。
【図３】本実施の形態および特許文献１における半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置を示す図である。
【図４】本実施の形態における半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置の変形例を示す図である。
【図５】特許文献１に記載の常圧ＣＶＤ装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、本実施の形態の半導体製造装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、図１の半導体製造装置のＡ−Ａ'断面を示す図である。
本実施の形態の半導体製造装置１００は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を搬送する搬送部１０２と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の上面および第２のウェハ２１２の上面（疑似ウェハ２００の上面）に原料ガスを供給する第１の供給部（原料ガス供給部１３８）と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面（疑似ウェハ２００の下面）に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部（フロアガス供給部１３０）とを有する成膜部１０４と、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上の配置位置を制御する制御部（図示せず）と、を備え、制御部は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために前記第１のウェハ２０２が切り欠かれた切欠領域の内側に、第２のウェハ２１２を配置する。
【００１２】
本実施の形態においては、半導体製造装置１００は、常圧ＣＶＤ装置である。常圧ＣＶＤ装置は、半導体ウェハの表面に酸化膜等の薄膜を成膜する。
【００１３】
本実施の形態の半導体製造装置１００（常圧ＣＶＤ装置）における動作の概要を説明する。
本実施の形態の半導体製造装置１００は、図１に示すように、ＬＤ部１１４（ローダ部）、搬送部１０２、成膜部１０４、ＵＬＤ部１２２（アンローダ部）および不図示の制御部を備える。
まず、ＬＤ部１１４は、２枚１組の半導体ウェハのオリフラを対向させて構成される疑似ウェハ２００を、搬送部１０２に搬送する。続いて、搬送部１０２は、疑似ウェハ２００を成膜部１０４に搬送する。続いて、成膜部１０４は、疑似ウェハ２００の上面に成膜を行う。続いて、搬送部１０２は、成膜された疑似ウェハ２００をＵＬＤ部１２２に搬送する。この後、ＵＬＤ部１２２は、成膜された疑似ウェハ２００を構成する半導体ウェハを回収する。
【００１４】
次に、本実施の形態の半導体製造装置１００の各構成について説明しつつ、半導体製造装置１００を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００１５】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を用意する工程と、第１のウェハ２０２の上面および第１のオリフラ２０４の上面に原料ガス１３４を供給しつつ、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面に、原料ガス１３４の各ウェハの下面への回り込みを防止するガス（フロアガス１３２）を供給する、成膜工程と、を含み、成膜工程は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために第１のウェハ２０２が切り欠かれた第１の切欠領域２０６の内側に、第２のウェハ２１２を配置した状態で行う。
【００１６】
半導体製造装置１００におけるＬＤ部１１４は、２組の半導体ウェハで構成される疑似ウェハ２００を搬送部１０２に搬送する。このＬＤ部１１４は、キャリア１０８、オリフラ合わせ部１０６、マニュピレータ１１０、シャトル１１２を備える。
【００１７】
キャリア１０８は、半導体ウェハをマニュピレータ１１０（搬送ブレード部）に搬入する。オリフラ合わせ部１０６（オリフラ合わせ機）は、キャリア１０８から搬入された半導体ウェハ（第１のウェハ２０２や第２のウェハ２１２）のオリフラの向きを調整する。マニュピレータ１１０は、オリフラの向きが調整された半導体ウェハをシャトル１１２（スライド式搬送部）に搬送する。シャトル１１２は、マニュピレータ１１０から搬送された半導体ウェハを搬送部１０２に搬送する。
【００１８】
本実施の形態に係る制御部は、オリフラ合わせ部１０６によりオリフラの方向を制御し、マニュピレータ１１０およびシャトル１１２の搬送タイミングを制御する。これにより、制御部は、第１のウェハ２０２の第１のオリフラ２０４と第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４との向き、およびそれぞれのウェハの配置距離を制御することができる。本実施の形態においては、制御部は、例えば、第１のウェハ２０２の第１のオリフラ２０４と第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４とが、離間部を介して向かい合った疑似ウェハ２００を構成することができる。以上のように、制御部は、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上における配置位置を制御できる。
【００１９】
本実施の形態の成膜部１０４は、搬送部１０２で搬送された疑似ウェハ２００に対して成膜処理を行う。成膜部１０４は、原料ガス供給部１３８およびフロアガス供給部１３０で構成されている。原料ガス供給部１３８とフロアガス供給部１３０とは、搬送部１０２（搬送ベルト）を介して、対向する位置に設けられている。
【００２０】
原料ガス供給部１３８は、疑似ウェハ２００（第１のウェハ２０２の上面上および第２のウェハ２１２の上面上）の上面上に、原料ガス１３４（反応ガス）を供給する。原料ガス１３４のガス種としては、特に限定されないが、成膜の膜種に応じて適宜選択できる。
【００２１】
フロアガス供給部１３０は、疑似ウェハ２００の上面から下面へ原料ガス１３４が回り込むことを抑制するために、疑似ウェハ２００の下面に向かってフロアガス１３２を供給している。
【００２２】
このフロアガス供給部１３０は、マッフルに設けられている。このマッフルに無数の吹き出し穴が設けられている。マッフルの吹き出し穴から、フロアガス１３２が噴出している。この吹き出し穴は、マッフルの上面に均一の間隔で設けられていてもよい。これにより、フロアガス１３２の供給量は、成膜部１０４中において均一とすることができる。フロアガス１３２のガス種としては、不活性ガスであれば特に限定されず、例えば希ガスやＮ２ガスなどを用いることができる。
【００２３】
このように成膜部１０４においては、半導体ウェハの上部からは原料ガス供給部１３８からの原料ガス１３４が供給され、一方、半導体ウェハの下部からは搬送ベルトを介して、フロアガス１３２が供給されている。この搬送部１０２には、穴部が設けられている。この穴部を通って、搬送部１０２の下方から疑似ウェハ２００の下面にフロアガス１３２が供給されている。例えば、原料ガス１３４とフロアガス１３２とは、それぞれ対向する噴出口から噴出されている。
【００２４】
また、マッフルは、さらにヒータ等の加熱手段を有する。ヒータは、搬送部１０２の下方から疑似ウェハ２００を加熱する。
【００２５】
ここで、本実施の形態の半導体製造装置１００における成膜について、従来技術と比較しつつ、説明する。図３は、本実施の形態（図３（ａ）、（ｂ））および特許文献１（図３（ｃ）、（ｄ））における２枚１組の半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置を示す図である。
【００２６】
図３（ｃ）に示すように、特許文献１に記載の半導体ウェハの配置位置は、第１のウェハ２０２の第１のオリフラ２０４および第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４が、それぞれ搬送方向に向かうように、かつ同一直線上に構成されている。したがって、図３（ｄ）に示すように、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６および第１のウェハ２０２の第２の切欠領域２１６のそれぞれにおいては、空隙面積が最大となっている。
【００２７】
このため、前述の通り、原料ガスがウェハの裏面に回り込むことを防止する目的で、ウェハの下方から回り込み防止ガスを供給すると、半導体ウェハの他の領域に比べて、第１のウェハ２０２の切欠領域の空隙面積分だけ、回り込み防止ガスの供給量が増加する。すなわち、フロアガス供給部１３０の直上の半導体ウェハにおいては、オリフラで覆われない吹き出し穴の開放数が、他の半導体ウェハの領域と比較して増加するので、フロアガス１３２の噴出し量も増加する。その結果、オリフラへの原料ガスの供給量が減少することになる。したがって、第１のオリフラ２０４近傍および第２のオリフラ２１４近傍の成膜の膜厚が薄くなることがあった。
【００２８】
これに対して、図３（ａ）に示すように、本実施の形態における半導体ウェハの配置位置においては、それぞれのオリフラを対向させている。すなわち、図３（ｂ）に示すように、上面視において、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６の内側に、第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４が配置されている。
【００２９】
これにより、第１の切欠領域２０６の空隙部の一部が、他の第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４で覆われる。このため、第１の切欠領域２０６における空隙面積が小さくなる（第１のオリフラ２０４で覆われない吹き出し穴の開放数が、従来と比較して少なくなる）。したがって、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６における、フロアガス１３２（回り込み防止ガス）の供給量を低減させることができる。結果として、オリフラへの原料ガス１３４の供給量の減少を抑制することができる。よって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を抑制することができる。
【００３０】
以上のように、成膜部１０４で成膜された疑似ウェハ２００は、引き続きＵＬＤ部１２２に搬送される。
【００３１】
ＵＬＤ部１２２は、成膜された疑似ウェハ２００を回収する。ＵＬＤ部１２２は、シャトル１１６（スライド式搬送部）、キャリア１１８、マニュピレータ１２０で構成される。シャトル１１６は、成膜された疑似ウェハ２００をマニュピレータ１２０に搬送する。マニュピレータ１２０は、疑似ウェハ２００を構成する半導体ウェハを、個別にキャリア１１８に搬送する。キャリア１１８は、各半導体ウェハを回収する。回収された半導体ウェハは、次の製造工程に使用される。この後、回収された半導体ウェハに対して、通常の半導体装置の製造プロセスを行い、半導体装置を得ることができる。
【００３２】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
【００３３】
本実施の形態においては、成膜工程（成膜部１０４）において、２枚１組の半導体ウェハのそれぞれのオリフラが対向するという、擬似的にオリフラがないような状態で、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２に対して成膜が行われる。
すなわち、第１のウェハ２０２においては、第１の切欠領域２０６の空隙部の一部が、他の第２のウェハ２１２の第２のオリフラ２１４で覆われる。このため、第１の切欠領域２０６における空隙面積が、従来と比較して小さくなる（第１のオリフラ２０４で覆われない吹き出し穴の開放数が、従来と比較して少なくなる）。したがって、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６における、フロアガス１３２（回り込み防止ガス）の供給量を低減させることができる。結果として、オリフラへの原料ガス１３４の供給量の減少を抑制することができる。よって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を抑制することができる。
【００３４】
さらに、第１のオリフラ２０４に対して、第２のオリフラ２１４が平行に配置されている。このため、第１の切欠領域２０６における第１のオリフラ２０４と第２のオリフラ２１４との距離Ｌが均一になる。これにより、第１のオリフラ２０４および第２のオリフラ２１４におけるフロアガス１３２の気流の影響をより小さくすることができる。したがって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を均一に抑制することができる。
【００３５】
第１のオリフラ２０４に対して、第２のオリフラ２１４が平行かつ、オリフラ端が一致するように配置される。このため、第１のオリフラ２０４の中心から外側に向かってのフロアガス１３２の供給量のバラツキを低減できる。したがって、第１のオリフラ２０４近傍における第１のウェハ２０２の膜厚の減少を均一に抑制することができる。
【００３６】
また、第２のオリフラ２１４は、第１のオリフラ２０４と対向しているので、第１のオリフラ２０４と同様に、第２のオリフラ２１４近傍における第２のウェハ２１２の膜厚の減少を抑制することができる。
【００３７】
また、図３（ａ）に示すように、成膜工程（成膜部１０４）において、第１のオリフラ２０４と第２のオリフラ２１４との距離Ｌは、５ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは３以下ｍｍである。距離Ｌを上記範囲とすることにより、第１のオリフラ２０４および第２のオリフラ２１４におけるフロアガス１３２の気流の影響をより小さくすることができる。したがって、より効率的にオリフラ近傍における半導体ウェハの膜厚の減少を抑制することができる。
【００３８】
このように、本実施の形態においては、２枚１組の半導体ウェハのそれぞれのオリフラが対向するという、擬似的にオリフラがないような疑似ウェハ２００を構成することができる。疑似ウェハ２００においては、前述のように、オリフラにおけるフロアガス１３２の影響が、従来と比較して低減される構造を有する。このため、疑似ウェハ２００においては、オリフラ近傍と他の領域との膜厚のバラツキが抑制される。
【００３９】
以上のように、実施の形態においては、オリフラの影響による膜厚均一性悪化を改善できる。したがって、歩留まりに優れた半導体装置の構造を実現することができる。
【００４０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４１】
本実施の形態に係る成膜工程（成膜部１０４）においては、上面視において、第１のオリフラ２０４と第２のオリフラ２１４とが対向した配置に限定されず、第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６の内側に、第２のウェハ２１２が配置されていれば、とくに第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送ベルト上の配置位置は限定されない。
第１のウェハ２０２の第１の切欠領域２０６の内側に、第２のオリフラ２１４以外の領域の第２のウェハ２１２が配置されると、一方の切欠領域が、他の半導体ウェハで覆われることになる。このため、従来の２つの切欠領域の空隙面積が最大であった場合と比較して、いずれか一方の切欠領域の空隙面積を小さくすることができる。したがって、オリフラにおける、回り込み防止ガスの供給量を低減させ、オリフラへの原料ガスの供給量の減少を、従来と比較して抑制することができる。
【００４２】
本実施の形態においては、半導体ウェハの外周端から切欠領域を除去することにより、オリフラを形成している。このため、切欠領域とは、オリフラを形成するために半導体ウェハが切り欠かれた領域を意味する。例えば、半導体ウェハの形状が正円形状の場合には、切欠領域は半円形状となる。言い換えると、切欠領域は、半導体ウェハの外周円の周縁部とオリフラの周縁部とに囲まれた領域となる。
【００４３】
図４は、本実施の形態における半導体ウェハの搬送ベルト上の配置位置の変形例を示す。
図４（ａ）は、オリフラが搬送方向に対して直角方向である疑似ウェハ２００の配置位置を示す。これに対して、図４（ｂ）は、オリフラが搬送方向に対して向かっている疑似ウェハ２００の配置位置を示す。図４（ｂ）に示すように、搬送部１０２の右側レーンおよび左側レーンに対して、それぞれ疑似ウェハ２００を配置してもよい。また、図４（ｃ）は、４枚１組の疑似ウェハ２３０の配置位置を示す。疑似ウェハ２３０においては、各オリエントが隣接する半導体ウェハに向かうように配置されている。
【００４４】
本実施の形態の常圧ＣＶＤ装置においては、２枚の半導体ウェハは、それぞれのオリフラが対向した状態で搬送、成膜される。また、本実施の形態の常圧ＣＶＤ装置においては、キャリアから払い出される半導体ウェハをオリフラが交互に１８０°異なる方向に合わせるオリフラ合わせ機を有する。また、本実施の形態の成膜方法においては、半導体ウェハを２枚ずつ搬送、成膜する常圧ＣＶＤ装置を用い、２枚のウェハのオリフラが対向した状態で、半導体ウェハに成膜を行う。
【００４５】
なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【符号の説明】
【００４６】
２ 反応ガスインジェクタ
３、３Ａ、３Ｂ 半導体ウェハ
４ 搬送ベルト
１００ 半導体製造装置
１０２ 搬送部
１０４ 成膜部
１０６ オリフラ合わせ部
１０８ キャリア
１１０ マニュピレータ
１１２ シャトル
１１４ ＬＤ部
１１６ シャトル
１１８ キャリア
１２０ マニュピレータ
１２２ ＵＬＤ部
１３０ フロアガス供給部
１３２ フロアガス
１３４ 原料ガス
１３８ 原料ガス供給部
２００ 疑似ウェハ
２０２ 第１のウェハ
２０４ 第１のオリフラ
２０６ 第１の切欠領域
２１２ 第２のウェハ
２１４ 第２のオリフラ
２１６ 第２の切欠領域
２３０ 疑似ウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを用意する工程と、
前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給しつつ、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する、成膜工程と、を含み、
前記成膜工程は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置した状態で行う、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとを向かい合わせた状態で行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとの距離が５ｍｍ以下となるように、向かい合わせた状態で行う、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを搬送する搬送部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給する第１の供給部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、
前記第１のウェハおよび前記第２のウェハの前記搬送部上の配置位置を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置する、半導体製造装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとを向かい合わせに配置する、請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとの距離が５ｍｍ以下となるように、向かい合わせて配置する、請求項４または５に記載の半導体製造装置。
【請求項１】
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを用意する工程と、
前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給しつつ、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する、成膜工程と、を含み、
前記成膜工程は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置した状態で行う、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとを向かい合わせた状態で行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとの距離が５ｍｍ以下となるように、向かい合わせた状態で行う、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１のオリフラが設けられた第１のウェハおよび第２のオリフラが設けられた第２のウェハを搬送する搬送部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの上面および前記第２のウェハの上面に原料ガスを供給する第１の供給部と、
前記搬送部に設けられており、前記第１のウェハの下面および前記第２のウェハの下面に、前記原料ガスの前記下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、
前記第１のウェハおよび前記第２のウェハの前記搬送部上の配置位置を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、上面視において、前記第１のオリフラを形成するために前記第１のウェハが切り欠かれた切欠領域の内側に、前記第２のウェハを配置する、半導体製造装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとを向かい合わせに配置する、請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１のオリフラと前記第２のオリフラとの距離が５ｍｍ以下となるように、向かい合わせて配置する、請求項４または５に記載の半導体製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−３３８２４（Ｐ２０１２−３３８２４Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７３８５３（Ｐ２０１０−１７３８５３）
【出願日】平成２２年８月２日（２０１０．８．２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月２日（２０１０．８．２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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