【課題】 電極間隔を一定に保つことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１０は、上部電極１３と下部電極１４とは、鉛直方向Ｙに関して、対向して設けられ、支持リフトベース１８は、下部電極１４を支持し、下部電極１４が間隔調整ストッパ１９に当接して、下部電極１４の上方Ｙ１への変位を禁止する移動禁止位置と、間隔調整ストッパ１９から離間して下部電極１４の上方Ｙ１への変位を許容する移動許容位置とにわたって変位自在であり、さらに支持リフトベース１８は、ばね部材３１を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】基板に成長した薄膜と反り防止部材上に成長した薄膜とがつながっても、両者の間に電流が流れることのない成膜装置を実現する。
【解決手段】真空中でガラス基板１上に成膜材料を堆積させて薄膜を形成する成膜装置であって、ガラス基板１を保持する基板ホルダ３と、基板ホルダ３に保持されたガラス基板１の周縁に、１０ｍｍ未満の間隔で対向する枠状の反り防止部材４とを有する。反り防止部材４は電気的にフローティング状態にある。 （もっと読む）

【課題】異常放電を起こさずに効率よくマイクロ波とガスを処理容器内に導入して、特性の安定したプラズマを生成し、プロセス性能及び装置性能を向上させる。
【解決手段】チャンバ１０の天井面には、ラジアルラインスロットアンテナ５５を構成するマイクロ波導入用の石英板５２が気密に取り付けられている。マイクロ波発生器６０より出力されたマイクロ波は、導波管６２、導波管−同軸管変換器６４及び同軸管６６を伝播して、アンテナ５５よりチャンバ１０内に導入される。処理ガス供給源８２より所定の圧力で送出された処理ガスは、第１ガス供給管８４、同軸管６６及びノズル部１１０の各ガス流路を順に流れてインジェクタ部１１０先端の吐出口１１０ａから吐出され、プラズマ生成空間へ拡散する。そして、石英板５２の下面に沿って伝播する表面波から放射されるマイクロ波電力によってガス粒子が電離し、表面励起のプラズマが生成される。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板を均一的に製膜するプラズマ発生装置およびこれを用いた薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板の表面に対向して配置され、互いに所定の間隔をおいて配置される複数のカソード部と、前記基板の表面に対向して配置されるとともに、該カソード部間に少なくとも一つ配されるアノード部と、前記カソード部および前記アノード部と前記基板を介して反対側に配置され、前記カソードとの間および前記アノードとの間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、前記カソード部に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源とを備え、前記アノード部は少なくとも１つのカソード部と対をなして配置され、更に、対をなして配置された前記カソード部と前記アノード部との間の距離が、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応性ガスの利用効率が高く、基板搭載面における処理の均一性が高い基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ装置１において、中心軸Ｃが延びる方向から見て、反応性ガス整流板５とパージガス整流板７との境界を、サセプタ１０の基板搭載面１０ａの内部に配置する。そして、反応性ガス整流板５と基板搭載面１０ａとの間の距離Ｌ_１を、パージガス整流板７と基板搭載面１０ａとの間の距離Ｌ_２よりも大きくする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】膜厚分布が均一で、成膜速度が速い成膜装置を提供する。
【解決手段】接地電位の真空槽１１の底壁上に、真空槽１１から絶縁された走行軌道２１を敷設し、その上に基板保持パネル２２を立設させる。基板保持パネル２２の上部に接続部材２３を取り付け、基板保持パネル２２の両面に第一、第二の成膜対象物１４ａ、１４ｂを配置し、基板保持パネル２２を走行させながら接続部材２３を介して基板保持パネル２２に交流電圧を印加し、基板保持パネル２２の両側に位置するシャワーヘッド１６ａ、１６ｂから噴出される原料ガスをプラズマ化し、薄膜を形成する。基板保持パネル２２側に交流電圧を印加するので、プラズマは第一、第二の成膜対象物１４ａ、１４ｂ表面近傍に形成され、成膜速度が速い。印加する交流電圧を低周波にすると、電極間距離を広げることができるので、走行レールのガタツキによる電極間距離変動による影響が低下する。 （もっと読む）

【課題】気相原料を使った金属膜の成膜技術であって、半導体ウェハ周辺部への金属膜の堆積を確実に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜２１を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させ、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 （もっと読む）

【課題】 製膜速度を増加させてもＳｉＨ_２／ＳｉＨ比が高くならず、膜質の悪化を防いで高い生産性を得ることができる真空処理方法及び真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 減圧環境とされる製膜室６内に設置された基板８を均熱板（加熱手段）５によって加熱した状態にし、前記基板８に対向して配置された放電電極３に対して給電することにより基板８へ製膜を施す真空処理方法において、基板８と放電電極３の温度差を３０℃以下とした状態で製膜する。さらに、基板８と放電電極３間を７．５ｍｍ以下として製膜を行なってもよい。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１１内に、複数の基板Ｗを支持する基板支持部材１２と、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１と、ＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを分離するパージガス吐出ノズル２２とを設け、パージガス吐出ノズル２２の吐出口と基板Ｗ表面との距離が、第１の処理ガス吐出ノズル２０および第２の処理ガス吐出ノズル２１の吐出口と基板Ｗ表面との距離よりも大きくなるようにパージガス吐出部２２を配置し、基板Ｗに対し、ＴｉＣｌ_４、ＮＨ_３、パージガスを走査させることにより、基板ＷにＴｉＣｌ_４とＮＨ_３とを交互に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】生成される気相成長膜による基板と支持部材の貼りつきを低減させる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０７と、チャンバ１０７内に原料ガスを供給する供給部１０８と、チャンバ１０７内に配置され、面１０３でウェハ１０１を載置し、面１０３におけるウェハ１０１の外縁部の直下となる位置に凹部１０４が形成された回転可能なホルダ１０２と、チャンバ１０１内から気相成長後の原料ガスを排気する排気部１０９とを備えることによって、ウェハ１０１とホルダ１０２に気相成長膜が生成されたとしても、それぞれに生成される気相成長膜が接触しないため、ウェハ１０１とホルダ１０２を固着させないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 円筒状基体上に、堆積膜を膜剥がれが発生することなく形成することを実現し、多様なサイズの電子写真用感光体を生産性良く製造する。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、反応容器内部に配置された円筒状基体及び原料ガス導入手段と、反応容器外部に配置された高周波電力導入手段とを有し、高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、反応容器内にグロー放電を発生させることによって、反応容器内に前記原料ガス導入手段を介して導入された原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真用感光体製造装置において、高周波電力導入手段は、反応容器内壁から円筒状基体までの距離が最短となる直線上に配置され、円筒状基体の直径をＤ〔ｍｍ〕、反応容器内壁から円筒状基体までの最短距離をＬ〔ｍｍ〕とした場合において、
０．３≦Ｌ/Ｄ≦１．９ （１）
２０≦Ｌ≦６０ （２）
を全て満たすこととする。 （もっと読む）

【課題】フィルムの使用効率の向上が図れるステッピングロール方式の成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置（巻取式プラズマＣＶＤ装置）２０は、成膜部２１（２１Ａ，２１Ｂ）と、巻出しローラ２２と、巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、成膜部２１は、成膜室２４と、成膜室２４のフィルム導入側およびフィルム導出側に各々設けられフィルムＦを挟んで開閉する一対のシール機構３１Ａ，３２Ａ（３１Ｂ，３２Ｂ）とを備え、これら一対のシール機構の間の距離を、成膜室２４で成膜されるフィルム長の（Ｎ＋２）倍（Ｎは自然数）とする。これにより、上記シール機構によって挟持される領域（シール領域）を除くほぼすべてのフィルム領域を成膜領域とすることが可能となり、フィルムの使用効率の向上が図れるようになる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法またはＨＶＰＥ法を選択的に用いて結晶層を堆積させる。
【解決手段】反応装置（１）のプロセスチャンバー（２）内のサセプタ（３）の上に配置された１以上の基板（特に結晶基板）（６）上に１以上の層（特に結晶層）を堆積させる。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）によって積極的に加熱されるプロセスチャンバー天井（４）が、サセプタ加熱デバイス（１１）によって積極的に加熱されるサセプタ（３）に対向するように位置する。プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）は冷却液流路を持つ。プロセスチャンバー天井（４）が加熱されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）から少し離れて配置される。プロセスチャンバー天井（４）が冷却されるとき、プロセスチャンバー壁加熱デバイス（１２）の面（１７）はプロセスチャンバー天井（４）の表面（１８）に接触する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、振動子９の振動数を調整する周波数調整手段７４と、周波数調整手段７４の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながらワーク１００の被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、周波数調整手段７４が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

基板上での薄膜の堆積を制御するためのシステム及び方法が開示される。一実施形態は、基板を提供するステップと、電磁放射を放出するように構成された複数のソースを提供するステップと、複数のソースのうちの第１ソースへ第１の量の電力を提供するステップと、複数のソースのうちの第２ソースへ第２の量の電力を提供するステップとを備え、基板上での膜の堆積を制御するように第１の量の電力と第２の量の電力が異なるものである。 （もっと読む）

【課題】成膜装置、プラズマ処理装置では、当該装置に用いる石英ガラス部品表面に膜状物質が付着し、それらが剥離することによって装置内の発塵、パーティクルとなり、成膜或いはプラズマ処理する製品の汚染原因となっていた。またその様な汚染を防止するため、装置に用いる部品に膜状物質が僅かに付着する度に頻繁に交換することが必要となり、生産性の低下をもたらしていた。
【解決手段】石英ガラス部品の表面に平均値径が３μｍ以上１０μｍ未満、突起最大平均径が８０μｍ以下、個数１０００〜６０００個／ｍｍ^２、面積占有率が１０〜５０％、かつフッ化水素酸溶液に浸した際に、面積占有率の減少値が、浸す前の島状突起の面積占有率の平方根で算出される値以下となる島状の突起で修飾した石英ガラス部品は、成膜装置、プラズマ処理装置に用いた場合、当該部品に対する膜状物質の保持性が高く、付着物の剥離によるパーティクルを減らし、装置の連続使用期間を特に長くする事ができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。この方法は、ｆ１周波数でのＲＦパラメータ対ｆ２周波数でのＲＦパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、ＲＦパラメータが、ＲＦ電力、ＲＦ電圧又はＲＦ電流のうち１つである工程を含む。 （もっと読む）

【課題】細かい加熱温度制御を容易に行うことができる加熱装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の反応室内に配置された支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置であって、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする加熱装置、及び反応ガスが供給される反応室と、反応室内に配置された支持体と、支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置とを備えた半導体製造装置であって、加熱装置は、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】 画像欠陥が低減された電子写真用感光体を製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。
【解決手段】 第１の円筒状側壁と、前記第１の円筒状側壁を取り囲む第２の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器と、
前記反応容器内に配置され、基体を保持する基体保持部材と、
前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、
を備える複数の基体に同時に堆積膜を形成可能な堆積膜形成装置において、前記第１の円筒状側壁及び第２の円筒状側壁の少なくとも一部が誘電体で構成されるとともに、
前記反応容器内に高周波電力を供給する電力供給系として、前記第１の円筒状側壁の内側に第１の高周波電極を、前記第２の円筒状側壁の外側に第２の高周波電極を配置させ、かつ、さらに前記第１の高周波電極と前記第２の高周波電極に対し、異なる周波数の高周波電力を供給する手段を有する、堆積膜形成装置とする。 （もっと読む）