気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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リモートプラズマと処理室全体に渡って発生させたプラズマの長所を組み合わせて良好なプロセスを実現することが可能な基板処理装置を提供する。
基板処理装置は、処理空間１を外側から囲うように設けられアースに接地された導電性部材１０と、導電性部材の内側に設けられた一対の電極４を有している。絶縁トランス７の１次側コイルが高周波電源部１４に接続され、２次側コイルが電極４に接続されている。２次側コイルと電極４とを接続する接続ラインには切換スイッチ１３が接続されている。切換スイッチ１３を用いて接続ラインのアースへの接続／非接続を切り換えることにより、処理空間１でのプラズマ発生領域を切り換えることができる。
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【課題】ガリウム−亜硝酸塩層を基板の上に堆積させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板（２）を 反応装置のハウジング（１５）のプロセスチャンバー（３）中に保持するための装置であって、操作装置とかみ合うためのかみ合い領域（４）を有し、前記基板（２）がその周囲（２’’）を載せる支持領域（５）を有する。基板に関し、ガリウム−亜硝酸塩層をエッチングするために、下方から上方へのレーザー光処理を受ける。前記支持領域（５）は、光学的基板処理過程を行なうためのレーザー光の波長を透過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 構造を単純化するとともに、プラズマ領域を容易に可変できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
また、同一の駆動装置を用いて、プラズマ領域を小さな体積または大きな体積に限定することで、構成を単純化できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 反応室１３内のプラズマ領域を限定するプラズマ限定装置３０を備えた半導体製造装置であって、プラズマ限定装置３０は、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１に限定する第１限定装置３１と、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１より大きい第２プラズマ領域Ｐ２に限定する第２限定装置３５と、プラズマ領域を可変するために第１限定装置３１及び第２限定装置３５を一緒に移動する駆動装置３９とを含む。 （もっと読む）

【課題】イオン衝撃が無く、クリーニング速度が低下しない、遠隔プラズマ放電室を有するプラズマCVD装置を与える。
【解決手段】半導体基板上に薄膜を形成するための、セルフクリーニング可能なプラズマCVD処理装置は、反応炉と、反応炉内にあって、半導体基板を載置するためのサセプタと、反応炉内にあって、サセプタに対向して平行に設置されたシャワーヘッドと、シャワーヘッドの内部空間に設置された複数の貫通孔を有する整流板であって、整流板の材料が、サファイア、及び純度９９.９５％以上のアルミナセラミックスから成る集合から選択される、ところの整流板と、シャワーヘッドまたはサセプタに高周波電力を給電するための反応炉の外部に設置された少なくともひとつの高周波電源と、反応炉の外部に設置された、クリーニングガスを活性化するための遠隔プラズマ放電室と、から成る。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージやパーティクルによる薄膜及び基板の劣化を簡単な装置構成で抑制できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、チャンバー２内の圧力を真空圧力まで減圧する減圧部４と、チャンバー２内に設けられ成膜の対象となる基板Ｋを保持するための基板保持部３と、形成すべき薄膜に応じて選択されたガスをチャンバー２内に導入するガス導入部５と、ガスの分子をプラズマエネルギーにより活性化するプラズマ発生部６とを有するプラズマＣＶＤ装置１において、複数の貫通穴が形成されチャンバー２内を下室２１と上室２２とに隔絶するシールド板ＳＰを備え、下室２１はガス導入部５に連接し、上室２２は減圧部４に連接するとともに内部に基板保持部３を備え、基板保持部３は基板Ｋをその薄膜被形成面ＫＦを鉛直下方に向けて保持可能とされる。 （もっと読む）

【課題】 処理室の排気量の制御によらずに，また基板処理への影響を与えることなく，処理室内の圧力を制御する。
【解決手段】 被処理基板に対して処理ガスを用いた処理を施す処理室１０２と，処理室内を被処理基板の処理が行われる処理空間１０２Ａと処理室内の排気が行われる排気空間１０２Ｂとに区画するように配設され，処理空間と排気空間とを連通する複数の通気孔１３２を有するバッフル板１３０と，処理室内の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段１４０と，処理室内の排気空間に処理室内の圧力を調整するための圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス供給手段１５０と，処理ガス供給手段から処理ガスを供給する際，圧力調整ガス供給手段により圧力調整ガスを供給することにより，処理空間圧力が予め設定された圧力になるように圧力制御を行う圧力制御器１８０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のウエハをほぼ水平かつ平行に保持して成膜処理する際に、壁の材質とその表面粗さによって成膜速度が変化する場合でもウエハ間、製造過程で生ずる素子不良の抑制を可能にすることにある。
【解決手段】複数の基板をほぼ水平かつ平行に保持すると共に、各々の基板の上部に互いに同一の材質からなり、ほぼ同一な表面粗さを有する平らな壁面を基板と平行で下向きに配置して成膜することにより、均一性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】横型ｆａｃｅ−ｄｏｗｎ方式のＭＯＣＶＤ装置において、排気側からリアクタチャンバー内に反応ガスが逆流するのを防止し、安定な成長が可能なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置では、リアクタチャンバー４内にはサセプタ３が設置され、サセプタ３にウエハ１が成長面となる表面を下にしてセットされている。成長時には、反応ガスがリアクタチャンバー４の一方から導入され、ウエハ１の表面と平行な方向に流れた後、排気ポート６から外部に排出される。この間、センターパージユニット５からパージガスが導入され、ウエハ１の裏面に沿って流れ、排気ポート６から外部に排出される。チャンバー４内での反応ガス及びパージガスの経路は、それぞれ排気ポート６入口まで分流板７により分離されている。 （もっと読む）

【課題】 サセプタの面内温度の均一性を確保し破損を防止するとともに、ウエハ温度の低下や金属汚染を生じさせない基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】
成膜装置１００は、ウエハＷに対して処理を行なう処理容器１と、処理容器１内でウエハを載置するサセプタ２と、サセプタ２を加熱するヒーター５と、ウエハ載置面に突没可能に設けられ、ウエハＷをウエハ載置面に当接した載置状態とウエハ載置面から離間した離間状態に変位させるウエハ支持ピン３９と、ウエハ載置面に当接した状態と離間した状態とに変位可能に設けられ、当接した状態では、ウエハ載置面におけるウエハ載置領域の周囲を覆うカバーリング４と、を備えている。プリコートの際には、ダミーウエハＷｄの表面とカバーリング４の表面にプリコート膜５０が形成されるため、ウエハ載置面にプリコート膜５０は堆積せず、輻射率が均一化されサセプタ２の破損が防止される。 （もっと読む）

基板処理チャンバは、チャンバ内部に露出された表面を有する要素を含む。この露出した表面は、互いに離間した窪みのパターンを有し、各窪みは、開口、側壁、及び底壁を有する。これらの窪みは、構造物の或る位置にある一部を気化するのに充分長い時間、構造物の表面上のその位置にパルス化したレーザビームを指向することによって形成される。また、要素は、エンクロージャへプラズマが入るのを減少するために、異なる直径を有する第１と第２の開口を有する、レーザで孔のあけられた、複数のガスの出口のあるエンクロージャを有するガス分配器であることができる。また、レーザで孔のあけられたガスの出口は、丸められたエッジを有することができる。
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【課題】 磁気発生手段が小型であって安価になり低価格のプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 永久磁石装置６が与える磁場の元で媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマを被処理体の表面処理に用いるプラズマ処理装置であって、永久磁石装置６は、一方の永久磁石１５を磁性体製の一方の磁石保持ケース１３に吸着収容した一方の磁気ユニット１１と、他方の永久磁石１５―１を磁性体製の他方の磁石保持ケース１３に吸着収容した他方の磁気ユニット１２とを有し、一方の磁石保持ケース１３と他方の磁石保持ケース１３とを、それぞれの合せ目１３ａにおいて磁気保持回路（磁気誘導回路）を構成するように磁気吸着させて枠体Ａを構成し、一方の永久磁石１５と他方の永久磁石１５―１との磁極間において磁界を発生することで磁場を形成するようにした。 （もっと読む）

真空チャンバーの壁および／またはチャンバー内に配置された構成要素を、層原材料の望ましくない堆積から保護する少なくとも１つの遮蔽装置が、本発明によるコーティング装置の真空チャンバー内に配置され、その中でガラス状のガラス−セラミックおよび／またはセラミック層が蒸気相からの蒸着によって基板に付与される。真空チャンバー内で温度が変化する場合には、遮蔽装置の膨張または収縮がガラス状のガラス−セラミックまたはセラミックの層または堆積の膨張または収縮に対応することが重要である。
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【課題】基板の両面に、化学的気相成長により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】反応管６と、該反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４とほぼ同一平面を形成するように配置され基板設置用の開口部２ａを備えた板状のサセプタ２と、基板３を加熱するヒータ１とを具備し、サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、被処理基体５０２への真空紫外光の照射を抑制して真空紫外光照射ダメージや表面異常拡散を低減し、高速に高品質処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、隔壁の一部を平板状マイクロ波透過窓で構成されたプラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体支持手段と、該プラズマ処理室内への処理用ガス導入手段と、該プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、該マイクロ波透過窓を透して該プラズマ処理室へマイクロ波を導入する複数のスロットを有する平板状マイクロ波導入手段とで構成されるプラズマ処理装置であって、該マイクロ波透過窓と該基体支持手段の間に、該基体表面から貫通孔を通して該マイクロ波透過窓が見えないように、斜めに複数の貫通孔が形成された、真空紫外光を透過しない材料で造られた平板状遮光板を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成において、異常成長の発生を低減すること。
【解決手段】堆積膜形成装置は、内部を減圧可能な反応容器１０１を有し、反応容器１０１内には、原料ガスを供給するガス供給手段１１０が設けられ、複数の円筒状基体１０５が同一円周上に等間隔に配置され、反応容器１０１の外に、高周波電力導入手段１０２が配置されており、原料ガスを高周波電力によって励起、解離させることによって、円筒状基体１０５上に堆積膜が形成される。この堆積膜形成装置には、同一円周上に配置された円筒状基体１０５に囲まれた領域の内部に、アースに落とされ冷却された導電性の円筒状部材１１１が設置されている。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の少ない高性能の発熱体ＣＶＤ装置及び発熱体ＣＶＤ法を提供すること。
【解決手段】基体２を収容する真空容器１と、該真空容器１内に原料ガスを供給するガス供給手段７と、該ガス供給手段７より供給される原料ガスに接触するように配置された発熱体４と、ガス供給手段７と基体２との間に配置され、且つガス供給手段７からの原料ガスを通過させるための穴部９ａを有する遮蔽部材９と、を備えた発熱体ＣＶＤ装置を構成する。 （もっと読む）

半導体基板処理チャンバにおいて、プロセス領域と排気ポートとの間のガスの流れを制御するための装置が提供される。本装置は半導体基板処理チャンバ内に支持され、半導体支持ペデスタルを少なくとも部分的に取り囲む、少なくとも一つの抑止プレートを含む。この抑止プレートはプロセス領域と排気ポートとの間を流れる少なくとも一つのガスの流れを制御する。

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コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）