【課題】基板と接地電極の密着性を向上させ、又、基板処理において、プラズマを安定に発生させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の電極棒が梯子状に組み立てられた構成を有する放電電極１７と、放電電極１７と対向するように配置された接地電極１３と、放電電極１７の接地電極１３と反対側に放電電極１７を覆うように配置された防着板１８と、防着板１８から接地電極１３の方向へ延びるように形成された基板押さえ棒５０とを具備し、基板１６は、放電電極１７に対向するように接地電極１３により支持され、基板押さえ棒５０は、基板１６の端部を接地電極１３に押さえ付け、放電電極１７と接地電極１３の間の領域にプラズマを発生させることにより基板１６に半導体膜を蒸着させる。 （もっと読む）

基板処理装置において、紫外線ランプ用のリフレクタを用いることができる。リフレクタは、紫外線ランプの長さに延在する長手方向のストリップを備える。長手方向のストリップは湾曲した反射面を有し、かつ冷却ガスを前記紫外線ランプに方向付けるために複数の貫通孔を備える。リフレクタを備えた紫外線ランプモジュールを使用するチャンバ、および紫外線処置の方法も記載される。
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【課題】
水、水蒸気、キャリアガス、反応ガス等の原料ガスを効率よくクリーンな状態で前加熱することができかつ小型化が可能な流体加熱装置と半導体処理装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、高温に加熱された流体を送出する真空断熱の第２の石英ガラス管が発熱体の加熱領域の外側まで延びて第１のガラス管に結合されている。この第２のガラス管は、第１のガラス管からの熱を遮断するバッファ管となり、第２のガラス管の材質がガラスであるので、熱は伝わり難く、その送出側の温度を低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理状態でのウェーハ周辺部の温度低下を防止し、膜厚の均一性の向上を図る。
【解決手段】基板８を処理する処理室３１と、該処理室内で基板を支持する基板支持部３６とを具備し、該基板支持部は基板の中心に向って延出する基板支持ピン３８を有し、基板は該基板支持ピンに載置される。 （もっと読む）

【課題】 コンタミネーションの発生を防いだ成膜装置を提供する。
【解決手段】 互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順次基板の表面に供給するサイクルを複数回行うことにより、反応生成物を積層させて薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に設けられた回転テーブルと、回転テーブルの同一円周上に、基板を載置するため回転テーブルに設けられた複数の基板載置部と、第１の反応ガス供給手段と、第２の反応ガス供給手段と、分離ガス供給手段と、回転テーブルの中心部周辺において上下より挟み込むように圧接させることが可能な上部固定部材及び下部固定部材とを備え、上部固定部材は、石英又はセラミックスにより形成されているものであることを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】支柱による影響を極力排除し、より均一な温度分布を得ることができ、またより均一なガスの流れを得ることのできるウエハボートを提供する。
【解決手段】天板２と、前記天板２と相対向して配置された底板３と、前記天板２と底板３とに端部が固定され、半導体ウエハを載置する溝部４ａ，５ａ，６ａ，７ａが形成された支柱４，５，６，７と、前記支柱の側面に、支柱の縦方向の軸線に沿って取り付けられた棒状のヒータ１０，１１，１２，１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 電極と接地を絶縁する絶縁体の熱膨張が改善された誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 基板を収容するチャンバーと、前記基板を支持し、電源が印加されるサセプタと、前記チャンバーによって支持され、前記サセプタを支持する支持台と、前記サセプタと前記支持台との間に配置され、前記サセプタと前記支持台を絶縁する絶縁体とを備えており、前記絶縁体は少なくとも二つ以上に分離されて形成されることを特徴とするプラズマ発生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の温度上昇を抑制する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、下側容器１２の内側表面にリフレクタ４２を設置する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をリフレクタによって反射することにより、下側容器の温度上昇を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置において、成膜後の清掃作業を短時間で行うことができ、清掃作業員が成膜材料カスまみれになることが無い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、真空容器１内で成膜材料を被処理物表面上に成膜する真空成膜装置において、前記真空容器１の内壁面に配置される防着板３０と、磁石と前記磁石の一方を被覆しかつ磁性を有する金属カバーとからなり、かつ、前記防着板３０を前記真空容器１の内壁面に固定する防着板固定治具４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板への金属汚染を抑制するとともに、インナチューブの転倒を抑制し、さらに、反応生成物の固着を防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アウタチューブ２０と、該アウタチューブに連結される非金属材で形成されるマニホールド２８と、該アウタチューブより内側で前記マニホールドに載置され内部で基板を処理するインナチューブ２２と、前記アウタチューブより外側に設けられ、前記アウタチューブ内を加熱する加熱装置１４と、前記マニホールドの開口部に対して密閉部材を介して開閉する蓋体と、前記マニホールドに前記インナチューブの下端を介在して設けられ、前記加熱装置からの熱を吸収する非金属材で形成される熱吸収部材９０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも鉄を含む金属材料の表面に、フッ素系の腐食性ガスに対する十分な耐食性を有する被膜を設けることができる金属材料の表面処理法を提供する。
【解決手段】本発明の金属材料の表面処理法は、マグネシウム源をフッ化炭素系化合物分散液に分散させ、少なくとも鉄を含む金属材料の表面に、前記分散液を塗布した後、大気中もしくは酸素雰囲気中にて加熱することにより、前記金属材料の表面に、フッ化不動態膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンごとに位置調整を行って挿通孔と昇降ピンとの位置合わせを正確に行うことができ、昇降ピンと挿通孔内面のこすれ等によるパーティクルの発生を抑制することができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】基板載置台は、載置台本体と、載置台本体に対して基板を昇降する基板昇降機構とを有する。基板昇降機構は、挿通孔に挿通された昇降ピン５２と、昇降ピン５２を支持する昇降アーム５９と、昇降アーム５９を介して昇降ピンを昇降させるアクチュエータと、昇降ピン５２を昇降アーム５９に取り付ける昇降ピン取り付け部６０とを有し、昇降ピン取り付け部６０は、昇降アーム５９に設けられた凹所と、昇降ピン５２がねじ止めされ、昇降アーム５９の上面と面接触する底面と底面から下方へ突出して凹所に遊嵌される突出部とを有するベース部材６３と、ベース部材６３をクランプするクランプ部材６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ被覆膜が予め形成された部材同士を強固に接合することができるとともに、内部空間（中空部）に均一なＳｉＣ被覆層が形成されたＳｉＣ被覆カーボン部材及びＳｉＣ被覆カーボン部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ被覆カーボン部材１は、少なくとも表面にＳｉＣ被覆膜が形成された複数のカーボン基体２ａ，３ａを接合したＳｉＣ被覆カーボン部材であって、前記カーボン基体２とカーボン基体３の接合層が、単一の層からなるＳｉＣ被覆膜２ｂ，３ｂで構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内温度分布均一性を高める。
【解決手段】バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。複数枚のウエハ１を処理室３７に搬入するボート４２の同一段の保持溝４６、４６、４６にシリコンからなるホルダ４７を架設して、ウエハ１をホルダ４７の保持穴４８に収容して保持する。マイクロ波のウエハ周縁部への集中をホルダによって吸収することにより、ウエハ周縁部が極端に加熱されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良くさらに低コストで形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】堆積膜形成装置１００では、基体ホルダ１０７の端部から突出する部分より、反応容器１０１の内部へ端部供給ガスを放出させることにより、長手方向のプラズマの均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】成膜中にプリコート膜とシャワーヘッドやサセプタとの反応等の不都合を生じさせずに、プロセス膜厚の面間ばらつきを抑制することができるＴｉ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】サセプタ２にウエハＷが存在しない状態でサセプタ２を加熱し、Ｔｉを含む処理ガスにより少なくともシャワーヘッド１０の表面にプリコート膜を形成する工程と、その後、所定温度に加熱したサセプタ２上にウエハＷを載置し、チャンバ１内に処理ガスを供給してウエハＷに対してＴｉ膜を成膜する工程と、サセプタ２にウエハＷが存在しない状態でチャンバ１内にクリーニングガスを導入してチャンバ１内をクリーニングする工程とを繰り返す。プリコート膜形成工程においては、サセプタ２の温度をＴｉ膜成膜工程の際の温度よりも低い温度で低温プリコート膜７１を成膜した後、Ｔｉ膜成膜の際の温度で高温プリコート膜７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 成膜処理を繰り返しても、温度再現性が悪化し難い石英ヒーターを提供すること。
【解決手段】 発熱体２３が埋設され、被処理基板載置面２１ａ上に被処理基板Ｗが載置される有色石英ヒーター本体２１を備え、有色石英ヒーター本体２１の熱放射率を、被処理基板Ｗ上に成膜される薄膜の熱放射率以上とする。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、第１の分離ガスを加熱する加熱装置８とを備える成膜装置。 （もっと読む）

【課題】触媒体触媒化学気相成長装置の触媒体の長さを長くしてもその形状を高温で維持すると共に、冷熱サイクルに耐えられる触媒体支持構造を提供する。
【解決手段】触媒体支持枠１は、所定形状の触媒体４を張架する枠体２０と、枠体２０を挟んで向かい合って配されて触媒体４を把持すると共に触媒体４に通電する電気回路を構成する導電金具５０と、向かい合う導電金具のうち少なくとも一方の導電金具５１Ａを他方の導電金具５１Ｂから離す方向に押すスプリング６を備える。 （もっと読む）