【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、処理室４の第１の壁面（上壁６）において、上記反応ガスの流通方向に沿って形成された複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５において、一のガス導入部と、一のガス導入部と異なる他のガス導入部とのそれぞれからガスを処理室４の内部に供給可能なガス供給部とを備えている。複数の上記ガス供給部には、上記ガス供給部から上記ガス導入部へガスを供給するための第１のバッファ室（バッファ室２３〜２５）と、第１のバッファ室へ均一な圧力でガスを供給するための流量調整部５０とを含み、上記第１のバッファ室は流量調整部５０に対して、ガスの流通方向の下流側に位置する。 （もっと読む）

チャンバ内の基板を加熱するための装置および方法を提供する。一実施形態では、本装置は、基板を受けるように適合された支持表面を有する基板支持アセンブリと、支持表面から一定の距離に当該支持表面に平行に基板を支持するため、かつ支持表面に実質的に直交する基準軸を中心として基板をセンタリングするための複数のセンタリング部材とを備える。複数のセンタリング部材が、支持表面の周辺に沿って可動に配置され、複数のセンタリング部材の各々が、基板の周辺エッジに接触するため、または支持するための第１の端部を備える。
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【課題】気相成長中に基板の回転を防止することを目的とする。
【解決手段】ホルダ２に規制治具１０が設置される規制治具設置部１１を設け、規制治具１０および規制治具設置部１１の底面に基板４方向が低くなる傾斜１２を設けることにより、基板４が外側に広がるときには規制治具１０が傾斜１２を上って基板４にかかる力を緩和し、基板４と規制治具１０に隙間が生じるような動きをするときには規制治具１０が傾斜１２を下って基板４を規制することにより、基板４の破損を抑制しながら基板４の回転を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】保持部材に保持される処理対象物としての基板に対して気相成長法を用いて成膜処理を行なうときに、基板の表面温度を従来よりも均一化することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置としての処理装置は、基板７を搭載する保持部材としてのサセプタ５を備える。サセプタ５は、ベース部材２０と均熱部材２８とを含む。ベース部材２０には、主表面から当該主表面と反対側の裏面にまで到達する開口部が形成されている。均熱部材２８は、ベース部材２０に形成された開口部に配置され、ベース部材２０を構成する材料より熱伝導率の大きい材料からなる。開口部の延在方向における均熱部材２８の長さは、開口部の延在方向における開口部の長さより短くなっている。 （もっと読む）

【課題】基板や基板保持具や加熱装置からの熱影響を低減させ、シール部材の焼損を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１８を保持する基板保持具２６と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管４１と、該反応管を加熱する加熱装置３７と、前記反応管を蓋する蓋体３３と、前記反応管と前記蓋体との間に設けられるシール部材６１と、前記基板保持具を装入した状態で、前記基板保持具と前記シール部材の間を遮る様設けられた遮熱部材６２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】第一の真空槽５の外部でプラズマ電極４を取り囲むように第二の真空槽１１を設置し、内部を真空排気する。プラズマ電極４のシャワープレート１９側と背面板１８側での圧力差を減らすことができ、圧力差で押されることによるプラズマ電極４の変形を防ぐことができる。これにより、プラズマ処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】多数枚の基板に、均一な膜厚でＳｉＣ膜を成膜することができる熱処理装置において、シリコンガス供給ノズルの閉塞を防止する。
【解決手段】熱処理装置１０は、ウエハ１４にＳｉＣ膜を成長させることを可能とする処理室４４と、ウエハ１４を縦方向に複数略水平に支持し、処理室４４内でウエハ１４を支持するボート３０と、処理室４４内に反応ガスであるカーボン含有ガスを供給するガス供給ノズル６０及びシリコン含有ガスを供給するガス供給口７０を備え、ガス供給口７０の上端は、シリコンの熱分解温度以下の温度領域である、反応管の下部領域で開口している。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長において、III族塩化物ガスの供給を迅速にＯＮ／ＯＦＦ制御可能な窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族原料とＨＣｌガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物ガス導入管７，３３に、真空を利用して弁体２２が作動し、基板へのIII族塩化物ガスの供給のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる石英製の弁２０が設けられる。真空管路２６が真空に引かれていないときには、弁体２２は自重で下降し、反応室３へのＧａＣｌガスの供給が遮断される（ａ）。一方、真空管路２６が真空に引かれたときには、弁体２２は真空管路２６に接続された管３２側に吸引されて上昇し、管３１と管３３とが連通接続されて、ＧａＣｌガス導入管７側から管３３を通って反応室３へとＧａＣｌガスの供給が行われるようになる（ｂ）。 （もっと読む）

【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

本発明は、排気することができ、かつ基板を受容するために設けられる少なくとも１つの受容器と、少なくとも１つのガス前駆体を受容器内に導入することができる少なくとも１つのガス供給デバイスと、その端部が支持要素上の固定点に固定される少なくとも１つの加熱可能な活性化要素を含む少なくとも１つの活性化デバイスとを含むコーティング装置に関する。ガス前駆体の影響から少なくとも部分的に少なくとも固定点を保護することができる遮蔽要素が設けられる。前記遮蔽要素は第１の側および第２の側を有する長手方向の延長部を有し、前記第１の側は支持要素上に配置され、閉止要素は遮蔽要素の第２の側に配置され、前記閉止要素は少なくとも１つの出口を有する。本発明は、少なくとも１つの分離壁が遮蔽要素の内部に配置されることを特徴とし、前記壁は遮蔽要素の内部容積を第１の部分容積と第２の部分容積とに分離する。
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【課題】チャンバの内壁に堆積するウォールデポの剥離を促進する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、チャンバ３、複数のランプ４１、送風手段５、及び一対の第１開閉扉を備える。チャンバ３は、ウェーハ１が設置されるサセプタ２を内部に配置し、原料ガスＧを内部に導入する。チャンバ３は、サセプタ２の上方を覆う第１隔壁３１、及びサセプタ２の下方を覆う第２隔壁３２を有する。複数のランプ４１は、第１隔壁３１を介してウェーハ１及びサセプタ２を加熱する。送風手段５は、第１隔壁３１の上面に冷却用空気（冷却媒体）Ａを送風する。一対の第１開閉扉は、原料ガスＧが導入されて、サセプタ２を越える下流側の内部領域３ｎと対向する外部領域３ｍに冷却用空気Ａの送風を堰き止めることができる。 （もっと読む）

【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】
横型ホットウォールＣＶＤ装置の反応室２５に位置する凸状発熱体１７は、ＳｉＣウエハＢ１が載置される位置に対して、上流側に配置される。凸状発熱体１７によって、混合ガスの流れに対して適度な乱流を発生させつつ、材料ガスを加熱できる。また、ＳｉＣウェハＢ１に対して上流側で材料ガスを加熱できる。これにより、上流側において、材料ガスの熱分解を促進できるので、反応室２５におけるＣ／Ｓｉ比を均一にできる。よって、ＳｉＣウエハＢ１上に形成する炭化珪素膜の不純物濃度を均一にし、局所的に高くなることを防止できる。さらに、ＳｉＣウエハＢ１に対して上流側でのみ凸状発熱体１７により加熱を行うので、反応室２５の全体の温度を上昇させない。よって、炭化珪素膜の成長レートを低下させることもない。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】新規な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る成膜装置は、原料ガスの噴出口が設けられたガス導入管と、前記原料ガス中の原料を堆積させる基板が配置される基板配置場所と、前記噴出口と前記基板配置場所との間に設置された、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を堆積させる堆積部材とを、処理室内に備えている。本実施形態に係る成膜方法は、処理室内に原料ガスを導入し、前記原料ガス中に含まれる不純物の少なくとも一部を基板に到達する前に堆積部材に堆積させ、前記基板上に前記原料ガス中の原料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。好ましくは、チャンバ洗浄効率に対する効果を最大にするために、鏡面研磨面６４はガス分配プレート１２又はバッキングプレート１３のような構成要素の表面、及び/又は反応性化学種に曝露される表面積の割合の大きい複数の小さな構成要素（例えば、チャンバ壁ライナ２９、ガスコンダクタンスライン４８等）の表面である。更に好ましくは、反応性化学種が接触するはだかのアルミニウム表面すべてが鏡面研磨される。 （もっと読む）

【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。 （もっと読む）