【課題】加熱と冷却とをバランスさせて、真空処理用電極を一定の温度範囲に保持するとともに、効率的なメンテナンス性を確保することのできる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】アノード電極７の内部には、被処理用基板５を加熱する加熱部が設けられている。加熱部は、互いに並列状に設けられた棒状ヒータ３１からなる。アノード電極７の内部には、アノード電極７を冷却する管状冷却部３２も設けられている。冷却部３２は、それぞれのヒータ３１の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられ、内部へ導入された冷却用媒体を流通させた後に外部へ排出することのできる冷却管３２からなる。冷却管３２は、冷却用媒体の導入部３２ａおよび排出部３２ｂがアノード電極７の一方端部側に偏在して設けられている。また、冷却用媒体の流れる方向が隣り合う冷却管３２どうしの間で逆になるようにされている。 （もっと読む）

シランのような原料ガスまたは前駆体ガスをクラッキングすることにより、ウエハまたは基板の表面上に、アモルファスシリコンまたはエピタキシャルシリコンのような薄膜を堆積するのに使用するホットワイヤ型化学気相堆積装置。装置は、真空チャンバと、前駆体ガスをチャンバ内に注入する操作が可能な前駆体ガス源とを含んでいる。ＨＷＣＶＤ装置は、堆積チャンバに曝される支持表面を有する加熱器も含んでおり、加熱器は、支持表面上に配置された基板を加熱するように操作可能である。装置は、フィラメントの材料を抵抗加熱するために選択的にフィラメントに電流を流すために、加熱器と前駆体ガス供給口との間に配置されたフィラメントを有する接触分解アセンブリを含んでいる。フィラメント材料はタンタル炭化物のような炭化物であっても良く、炭化物はグラファイトコア上に被覆されても良い。 （もっと読む）

【課題】面内均一性の高い膜を形成する。
【解決手段】石英材で構成された複数のリング状プレートを、少なくとも表面が炭化珪素材で構成された複数本の支柱にて支持したボートにて、各リング状プレートの内周側に基板周縁が配置されるように複数の基板を保持しつつ処理室に搬入する工程と、前記処理室にシリコン含有ガスと酸素含有ガスを供給し、前記ボートに保持された前記複数の基板上及び前記複数のリング状プレートに酸化シリコン膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】平行平板型の電極間においてプラズマの生成に消費される高周波による電界強度分布を制御するためのプラズマ処理装置用の電極の構造を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の誘電体からなる基材１０５ａと、開口部を有し、基材１０５ａを覆う導電性カバー１０５ｂと、基材１０５ａとプラズマとの間に設けられた金属の第１の抵抗体１０５ｄと、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第１炭化タンタル被覆膜上に新たな第２炭化タンタル被覆膜を形成する第２炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、シャワー板及び不必要な部分でのプラズマ発生を抑制するために設けられる部材であるアースシールドに適用可能であり、かつクリーニング時にサンドブラスト処理を行ってシャワー板及びアースシールドが変形しても、初期の形状に戻して再利用が可能であり、電極用部材の交換コストを低減させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空容器２２中に、基板保持電極５０と高周波電極４０とを対向して設け、高周波電極４０の表面側に複数の小孔２を有するシャワー板１を設け、いずれかの電極５０，４０に高周波電圧を印加し、小孔２を通して原料ガスを導入して基板３をプラズマＣＶＤ法で成膜処理するプラズマＣＶＤ装置において、シャワー板１は、形状記憶合金で形成されているとともに、シャワー板１は、成膜による付着物が機械的手段によって除去され、かつ熱処理手段によって初期の形状に戻るものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】水平面における１の領域ではプラズマ密度を大きくするとともに他の領域ではプラズマ密度を小さくする等、プラズマ密度の分布を任意の状態に変化することができるプラズマ分布制御が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、マイクロ波を処理容器１２内へ供給するためのスロット孔１７が複数設けられたスロットアンテナ板１８と、スロット孔１７の開度を変化させてスロット孔１７から放射されるマイクロ波の放射量を調整するマイクロ波放射量調整機構としてのロッド５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性に優れたエピタキシャル膜を形成することが可能であり、且つ、チャンバ内における反応ガスの逆流を防止することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハを包含する直方体形の内部空間を有するチャンバ１０を用い、センター導入口２１Ｃおよびサイド導入口２１Ｒ，２１Ｌからの反応ガスを板状部材１７に衝突させて整流化させるとともに、センター導入口２１Ｃからのガス導入量がサイド導入口２１Ｒ，２１Ｌからのガス導入量よりも大きい条件下で、ウェーハ上にドーパント濃度が異なる複数のエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】加熱した触媒により処理ガスを活性化し、この処理ガスから生成する活性種を用いて基板に対して処理を行うにあたり、触媒を加熱するための給電部位の断線や短絡を防止すること。
【解決手段】ウエハＷに対向するように島状に複数の棒状体のセラミックヒータ３１処理容器１の天板に固定して配置すると共に、このセラミックヒータ３１の下方側の先端部にガス拡散板１１のガス吐出孔１３に対向するように金属触媒層４４を設けて、セラミックヒータ３１（抵抗発熱線４２）により金属触媒層４４を間接的に加熱して処理ガスを活性化する。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成に消費される高周波の電界強度分布を制御することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、内部にて被処理体をプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、下部電極１１０に接続され、処理容器１００内に高周波電力を出力する第１の高周波電源１５０とを有する。上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかは、板状の金属から形成された基材と、内部に金属のプレート電極を埋設した状態で前記基材に嵌め込まれ、一部が前記基材から露出した誘電体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマＣＶＤ装置の真空容器内の部品表面に付着する膜状物質の剥離を低減する。
【解決手段】太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する平行平板型プラズマＣＶＤ装置であって、真空容器内に設けられ、この太陽電池基板を戴置する基板電極と、これに対向する高周波電極とを備え、この高周波電極の基板電極に対向する面に、溶射によってＡｌより融点の高い金属膜を形成している。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内における筺体内壁や治具等の表面にデポが付着しても、それに起因した破損や破断を生じることなく、そのデポを簡易に除去することを可能とした化合物半導体製造装置および化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＮＨ_３ガス、ＨＣｌガスのいずれか一つ以上のガスを加工対象の基板１０が配置されたチャンバ１内に供給するように設定されており、かつ前記ガスが供給されるチャンバ１内の少なくとも内壁表面および／または前記基板１０の一部分に接触するホルダ１１のような治具の少なくとも表面および／または当該チャンバ１内に配置された構造物の少なくとも表面を、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｒ（イリジウム）金属からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により該円筒状基体上に堆積膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマシステムのためのプラズマ点火装置を
提供する。
【解決手段】装置３００は、内側にチャンネルを定める槽３１０、および槽３１０に隣接し、前記チャンネルの隣接部分に沿った方向の寸法Ｄを有する少なくとも一つの容量結合された点火電極３３０を備える。少なくとも一つの点火電極３３０の寸法の全長Ｄは、槽３１０のチャンネルの長さの１０％より大きい。点火電極３３０は、前記チャンネルの中の気体に電場を印加して、気体のプラズマ放電を開始させる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ウェーハとの固着を防止したエピタキシャル成長用サセプタ及び該サセプタを用いたエピタキシャル成長装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用サセプタは、エピタキシャル炉内で水平に配置され、上面にウェーハを収容するザグリ部を有するサセプタであって、該ザグリ部を形成する側壁の少なくとも一部に、熱伝導率がサセプタ本体の熱伝導率よりも低い離間材を有することを特徴とする。 （もっと読む）