【課題】プラズマ耐性の高いイットリアを含む材料でコーティング膜を形成した場合でも、イットリア粒子の脱粒などによるコーティング膜の劣化を抑えることができる保護膜を提供する。
【解決手段】被膜形成対象上に形成されたイットリア含有膜において、表面から前記イットリア含有膜の厚さの範囲内で、前記イットリア含有膜が溶融後固化された溶融固化膜５２を、前記被膜形成対象上の少なくとも一部に有するイットリア含有膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の制御性に優れたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１電極と、第２電極と、誘電体部材と、比誘電率制御部と、を備えたプラズマ処理装置が提供される。第１電極と第２電極との間にプラズマが生起される。誘電体部材は、第１電極と第２電極との間に設けられる。比誘電率制御部は、誘電体部材の比誘電率を、第１電極から第２電極に向かう方向に対して交叉する面内で変える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内に備わっている平行平板電極表面の堆積物を、Ｆ_２あるいはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いて、反応チャンバー内の材質に損傷を与えることなく除去する方法を提供することである。
【解決手段】 平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内にあるプラズマを発生させる平行平板電極表面に堆積した、Ｓｉ含有物、Ｇｅ含有物、または金属含有物を、Ｆ_２またはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いてプラズマを発生させることにより除去する方法において、該クリーニングガスの存在下で印加電力密度が０．０５Ｗ／ｃｍ^２以上０．５Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内のプラズマを発生させて該堆積物を除去することを特徴とする、平行平板電極のプラズマクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の劣化を抑制することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、内部を真空状態に維持可能であってウエハ１４を処理する処理容器４２と、処理容器４２内であって少なくともウエハ１４の載置領域を囲むように設けられる被加熱体６０と、処理容器４２内壁と被加熱体６０との間であって、被加熱体６０を囲むように設けられる断熱体６６と、被加熱体６０内にガスを供給する第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０と、処理容器４２の外側に設けられ、被加熱体６０を誘導加熱する磁気コイル６２と、被加熱体６０内に設けられ、第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０から供給されたガスと被加熱体６０との接触を抑制する保護壁９４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】モノクロロシランを劣化のない安定した状態で、保存するための容器及び方法の提供。
【解決手段】内部表面が次の群より選択される容器：（ａ）機械的研磨の結果として生じる表面；（ｂ）電解研磨の結果として生じる表面；（ｃ）有機分子の疎水性防護層の形成の結果として生じる表面；（ｄ）ステンレス鋼の内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｅ）アルミニウムの内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｆ）ニッケルの内部表面を与えることの結果として生じる表面；（ｇ）ポリマーコーティングの結果として生じる表面；（ｈ）酸化ケイ素コーティングを有する表面；（ｉ）その金属に分子的に結合した結晶性炭素の層を有する表面；（ｊ）金属フッ化物の保護層を有する表面；（ｋ）シランへの曝露によって金属に結合させたシランの保護層を有する表面；及び（ｌ）不活性化ヒドロキシル基を有する表面。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置用サセプタの設計を改良し、安定的なプラズマの維持及び均一な膜の堆積を可能にするサセプタを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置用真空処理チャンバは、本体１００と、本体の天井に設けられたシャワーヘッド１２５と、チャンバボディの内部に設けられた台１４０と、台に結合されたサセプタ１３５とを備えている。サセプタは、グラファイト本体を有し、グラファイト本体は少なくとも１つの基板を支持するための上面を有している。該上面は、例えばプラズマ噴霧された酸化アルミニウムコーティングなどの誘電体のコーティングを有している。 （もっと読む）

【課題】サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置が開示され、該サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、その上面には、被蒸着体が収容されるように、複数のポケットが凹状に形成され、その内部に、複数のポケットに流動ガスを供給するようにサセプタ流路が形成され、サセプタ流路の流入口は、サセプタの中空側に設けられたり、あるいはサセプタの下部側に設けられつつ、補強部を有する。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂製のＯリングは、大気雰囲気で１５０℃以上の高温になると、熱分解を起こし、気密性を維持できなくなることが観測された。
【解決手段】処理容器と蓋体とを気密封止するＯリングの外気側に、不活性ガスを流すと共に、Ｏリングの外気側に形成される気体通路を封止カバーによって覆う構成の外気遮断容器が得られる。更に、Ｏリングの接触面に、酸化アルミニウム層を形成することによって、Ｏリングの熱分解温度を上昇させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ホモエピタキシャル成長による成膜中における薄膜上への副生成物の落下量が減少して半導体ウエハの品質が向上する成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置１は、上面に炭化ケイ素基板２が載置されるサセプタ３と、これらの炭化ケイ素基板２およびサセプタ３を収容する反応容器４と、を備え、前記炭化ケイ素基板２上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置１である。サセプタ３の上面および反応容器４の内面の少なくともいずれかに、単結晶または多結晶の３Ｃ−ＳｉＣからなる第１のライナー７と第２のライナー８を設けている。 （もっと読む）

【課題】長孔を有する炭素部品の長孔内部に被膜を形成することにより、酸化性、分解性ガスの雰囲気中でも消耗することなく使用できる炭素部品を提供し、特に孔内部からのパーティクルの発生を防止する。
【解決手段】内部に孔１１を有し、その外面１３がセラミック被膜で覆われた炭素部品１００であって、孔１１が二枚の板状の炭素体１９を重ね合わせて形成され、板材２１は少なくとも一方の炭素体１９の重ね合わせ面２３に形成された溝と、この溝に対向する他方の炭素体１９の重ね合わせ部とにより形成されており、溝を含む孔１１の内面全域がセラミック被膜で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】 均熱性、信頼性に優れたウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のウェハ加熱用ヒータユニットは、ウェハ載置面を有する載置台と、該載置台のウェハ載置面とは反対側の面に抵抗発熱ユニットを有し、前記載置台と抵抗発熱ユニットを支持する支持板とから構成され、前記抵抗発熱ユニットが、発熱体と該発熱体を挟み込む複数の絶縁層とからなり、前記絶縁層の少なくとも１層に溝が形成されており、前記発熱体は前記溝に収納されて、他の絶縁層によって挟み込まれており、前記絶縁層同士は互いに接着されていない部分を有することを特徴とする。前記絶縁層同士は、互いに接着されていないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】プラズマの回り込みを効果的に抑制して被処理基板の意図しない部分に膜が成膜されることを防止することのできるインライン型プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】インライン型プラズマ成膜装置１Ａは、搬送路４上において被処理基板１００を搬送する複数の搬送ローラ３と、被処理基板１００の上面に面するようにプラズマを生成することで被処理基板１００の上面に膜を成膜するプラズマ生成部と、被処理基板１００の下面に膜が成膜されることを防止する成膜防止部材５とを備えている。成膜防止部材５は、プラズマが生成される領域に搬送路４を挟んで対面する領域でかつ搬送ローラ３が位置する部分を除く領域を上方から見て実質的に満たすように配置され、被処理基板１００の下面に対面するように設けられた平面状の成膜防止面５ａを含み、当該成膜防止面５ａの幅は、被処理基板１００の幅よりも大きく構成されている。 （もっと読む）

【課題】特殊材料ガスを用いることなく、放電効率の低下を回避して大面積基板にＳｉなどを成膜できる大気圧プラズマ成膜装置及び方法を得ること。
【解決手段】貫通孔４を備えた略平板状であり、固体誘電体で形成された第一の電極１と、貫通孔５を備えた略平板状であり、固体シリコンで形成され、第一の電極１と略平行に設置された第二の電極２と、第一の電極１と第二の電極２との間に、貫通孔４を介して反応ガス９を供給する反応ガス供給装置９１と、第一の電極１と第二の電極２との間に電圧を印加して、第二の電極２から発生したシリコンと反応ガス９との化合物を含んだプラズマガスを第一の電極１と第二の電極２との間に発生させる電源８と、成膜対象の基板３を載置可能であり、貫通孔５を介してプラズマガスが供給される基板ステージ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料またはこれらの材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置であって、たとえば、前記材料のうち、窒化物半導体の原料となる材料や、反応することによって窒化物半導体の原料を生成しうる反応性物質と接触する面の一部または全部に合成石英ガラスを使用することが好ましく、ＧａＣｌなどのIII族ハロゲン化物やＨＣｌと接触する面に合成石英ガラスを使用することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】温度検出手段を反応室の外部に設けたことで、処理ガスが前記温度検出手段に接触し、成膜されるのを防止し、前記温度検出手段の測定値の信頼性及び再現性の向上を図る熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板上に単結晶膜又は多結晶膜を成長させる熱処理装置であって、複数枚の基板を保持するボートと、該ボートを囲む様に設けられ反応室３２を構成する筒状発熱材２３と、該筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管２１と、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部２５と、前記筒状発熱材と前記筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップ２４と、該温度測定用チップの温度を測定する放射温度計４２とを具備し、該放射温度計が前記反応管の下端より下方に配置される。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）