【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性の高い材料で作製され、真空容器内に配置されるインナーが真空容器内でずれたり破損したりするのを低減することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】容器内に配置され基板が載置される回転テーブルと、回転テーブルに対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、回転テーブルに対して第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部とを含む成膜空間を画成する、容器を構成する材料よりも耐食性に優れる材料で作製される区画部材が容器内に設けられる成膜装置が開示される。この成膜装置は、成膜空間の圧力を測定する圧力測定部と、成膜空間の外側の空間の圧力を測定する圧力測定部と、を備え、これらの測定を通して、成膜空間の外側の空間の圧力が成膜空間の圧力よりも僅かに高い圧力に維持される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ全面に亘って均一にプラズマ処理を施すことが可能な信頼性の高いウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ搭載面１ａを有するセラミックス基体１と、セラミックス基体１内においてウエハ搭載面１ａからの深さが互いに異なるように埋設されている円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３と、円形状ＲＦ電極２及び円環状ＲＦ電極３にそれぞれ電気的に接続される第１及び第２外部端子５、６と、円環状ＲＦ電極３と第２外部端子６との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路１１とを備えたウエハ保持体１００であって、複数の接続回路１１は、円環状ＲＦ電極３と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状ＲＦ電極３の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材１００の成膜面１００ａに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材１００の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第１の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第２の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第１の空間および第２の空間と重なるように基材１００を搬送し、第１の空間または第２の空間を通過した後に、表面が基材１００より柔らかい搬送ロール２２，２３で成膜面１００ａを保持しながら、基材１００を搬送する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。
【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの加熱効率を向上させたＣＶＤ装置用加熱ユニットを提供すること。
【解決手段】ウェーハを載置するサセプタ１０をその下方から加熱するヒーター２と、前記ヒーター２の下方に配置し、該ヒーター２からの熱輻射を遮断するヒートシールド４，５とを備えたＣＶＤ装置用加熱ユニットにおいて、前記ヒーター２と前記ヒートシールド４，５との間に、前記ヒーター２と離間して配置する六方晶窒化ホウ素（ＨＢＮ）板３を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】バイアス電源等の設置を不要とすることができ、基板に対して原料ガス中の炭素のみを効果的に提供してカーボンナノチューブを垂直配向で成長させ、製造することのできるプラズマＣＶＤ装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１と、チャンバ１に連通するプラズマ発生部３およびガス提供部２と、チャンバ１内でカーボンナノチューブを成長させる基板Ｋが載置される載置部４と、を備えてなるプラズマＣＶＤ装置１０であり、ガス提供部２からは少なくとも炭素原料ガスが導入されるようになっており、チャンバ１内において、プラズマ発生部３と基板Ｋの間にバルク状の遮蔽材５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で検査精度の向上と検査時間の短縮が可能なリークチェック方法及びリークチェック装置を提供する。
【解決手段】リークチェック方法は、排気装置により真空容器の内部を排気する工程と、前記排気を停止後、前記真空容器内の全圧力及び水分の分圧を計測する工程と、前記排気を停止してから所定時間経過後にそれぞれ計測された前記全圧力から前記水分の分圧分を除いた値に基づき真空容器のリークレートを検査する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】大気圧または大気圧以上の成膜処理で窓の破損や窓を通る輻射熱の減少を生じないサーマルリアクタを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ３０８を収納するウェハチャンバ３０４を有するサーマルリアクタ３００は、上部熱源３０８の下に取り付けられるカバー部材３０６により画成されており、カバー部材３０６の中央窓部分３１４を凹状の外部表面の石英窓とする。 （もっと読む）

【課題】送達装置から固体前駆体化合物が枯渇するまでのプロセス全体にわたって均一で高濃度の前駆体蒸気を送達することができる送達装置を提供する。
【解決手段】送達装置１００は入口１０４および出口１０８を含む。この送達装置は入口チャンバー１１４および出口チャンバー１２０を含み、出口チャンバーは入口チャンバーに対して反対側にあり、かつ円錐セクション１１６を介して入口チャンバーと流体連通している。出口チャンバーは迷路１１０を含み、この迷路は送達装置に収容される固体前駆体化合物の固体粒子が送達装置から出るのを妨げ、一方で同時に固体前駆体化合物の蒸気が出口を通って送達装置から出るのを可能にするように機能する。 （もっと読む）

【課題】反応管内の異物汚染を抑制し、装置稼働率の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する石英製の反応管２０３と、前記反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系と、前記処理ガス供給系と前記クリーニングガス供給系と前記排気系とを制御する制御系と、を有し、前記反応管内に前記基板の積層方向に沿って延びる石英製の板状部材２６６ａを設け、前記クリーニングガス供給後の前記反応管内に付着した膜の除去状態を確認する。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、かつ電気抵抗の小さい通電加熱線、この通電加熱線を用いる成膜装置及びこの通電加熱線の製造方法を提供すること
【解決手段】 本発明の通電加熱線６は、芯部６ａと、周縁部６ｂとを具備する。芯部６ａは線状であり、タンタルからなる。周縁部６ｂは、炭化タンタルからなり、芯部６ａを被覆する。
通電加熱線６は金属タンタルからなる芯部６ａを、高温でのクリープ強度が大きく、機械的強度も高い炭化タンタルからなる周縁部６ｂにより被覆しているため、通電加熱線６の熱的及び機械的耐久性を高いものとすることができる。また、通電加熱線６は、断面構造の大部分が金属タンタルからなる芯部６ａであるため、導電性が高く、金属タンタルのみからなる通電加熱線と同程度の印加電圧により加熱することが可能である。 （もっと読む）

【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板１４をトレイ１５上に載置し、該トレイ１５を支持台１３上に載置して基板１４表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材１６でトレイ１５と基板１４を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ１５と基板１４が確実に固定され、処理後はトレイ１５を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板１４及び熱剥離接着部材１６をトレイ１５から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材１６の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材１６はトレイ１５及び基板１４に対して均等な接着力で接着する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性の高いイットリアを含む材料でコーティング膜を形成した場合でも、イットリア粒子の脱粒などによるコーティング膜の劣化を抑えることができる保護膜を提供する。
【解決手段】被膜形成対象上に形成されたイットリア含有膜において、表面から前記イットリア含有膜の厚さの範囲内で、前記イットリア含有膜が溶融後固化された溶融固化膜５２を、前記被膜形成対象上の少なくとも一部に有するイットリア含有膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物、特に耐熱性の低い絶縁物に、短時間で効率的にプラズマ成膜、及び表面改質処理可能な方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 真空排気された反応容器内にプラズマ生成源となる原料ガスを導入し、該反応容器内に設置されたカソード電極にマイナス電圧を印加して原料ガスを分解しプラズマを生成すると共に、上記反応容器内に設置された被処理基材上との間で反応を起こさせて、電圧印加による電界で生成されるプラズマイオン、ラジカルを前記被処理基材に照射または堆積させる、表面改質及び成膜方法において、カソード電極の少なくとも一部を、原料ガスが透過可能な電極とすると共に、被処理基材の改質や成膜など表面処理が必要な面と直接接触しないようカソード電極を配置し、且つ、カソード電極に−２ｋＶ〜−２０ｋＶのパルス状のＤＣ電圧を印加することを特徴とするプラズマ表面改質、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）