【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】例えば成膜により堆積した膜の応力などに起因するトレーの変形を防止することができるとともに、例えば堆積した膜のクリーニングの頻度が少なくてすみ、さらに、大型の基板に対応するときにも寿命が短くなるおそれを防止することのできる基板搬送トレーを提供すること。
【解決手段】トレー５は、長方形板状本体部５ａと、本体部５ａの周囲に設けられた周縁部５ｂと、周縁部５ｂが部分的に外方から内方へ向かって切り欠かれてなる切欠部５ｃとを備えてなる。本体部５ａは、成膜のために搬送すべき基板６が搭載される部分である。周縁部５ｂは、基板６が搭載されない部分である。切欠部５ｃは、成膜時における膜応力を緩和するための部分である。切欠部５ｃは、周縁部５ｂのそれぞれの長辺部分に６箇所ずつ、それぞれの短辺部分に４箇所ずつ、周縁部５ｂの全周にわたって設けられている。 （もっと読む）

【解決手段】電極裏面に沿って形成された裏面凹部に裏面インサートを配置させた、シリコンベース・シャワーヘッド電極を提供する。裏面インサートは、ネジ付き外径部と、ネジ付き内径部と、ネジ付き内径部内に形成されたツール係合部と、を備える。裏面インサートが、さらに、裏面インサートのツール係合部に係合されたツールが裏面インサートのネジ付き外径部を越えて伸長することを防止するために、ツール係合部とネジ付き外径部との間に１つ以上の側面保護部を備えるように、ツール係合部が形成される。さらに、裏面インサートのツール係合部は、裏面インサートの回転軸の周りに配置される複数のトルク受容スロットを備える。トルク受容スロットは、対向する対のトルク受容スロットを介した裏面インサートの軸上回転を避けるように、配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、ガス供給部材の面内温度の均一性を向上させた装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置１は、基板３１を収容する処理容器３と、処理容器３内に配置され、処理室２に処理ガスを供給するシャワープレート２１と、ガス供給配管２２とを備えている。ガス供給配管２２は、シャワープレート２１の熱エネルギーを処理ガスに伝達する。これによって、処理ガスとシャワープレート２１との温度差が抑えられ、シャワープレート２１の面内温度の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成し、且つ、プラズマの密度分布をより均一にすることができると共に、パーティクルの発生や高周波アンテナの導体のスパッタリングによる基体の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、高周波放電による誘導結合方式のプラズマ処理装置において、真空容器１１と、前記真空容器１１の壁の内面１１１Ｂと外面１１１Ａの間に設けられたアンテナ配置部１２と、前記アンテナ配置部１２に配置された周回しないで終端する１個の高周波アンテナと、前記アンテナ配置部１２と前記真空容器の内部１１２を仕切る誘電体製の仕切材１５とを備え、前記高周波アンテナ１３の長さが、当該高周波の1/4波長の長さよりも短いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性や耐化学特性などの機能に優れた被膜を、安価に大面積の基材に対して形成可能であり、とくに凹凸のある立体形状の基材に対しても適用可能な被膜形成方法および装置を提供する。
【解決手段】噴出口から基材に向けて噴出させた不活性ガスに、高周波電圧を常圧下で印加して、不活性ガスをプラズマ化させることにより発生させたプラズマ化不活性ガスに対し、プラズマ化不活性ガスの噴射方向と交差する方向に反応ガスを供給して該反応ガスとプラズマ化不活性ガスを合流させることにより、反応ガスの少なくとも一部がプラズマ化されてなるプラズマ化反応ガスを発生させ、該プラズマ化反応ガスを、プラズマ化不活性ガスとともに基材に向けて吹き付けることにより、基材表面に、非晶質素材からなる被膜を形成することを特徴とする基材の被膜形成方法。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、シャワーヘッドアセンブリが提供されており、このアセンブリは、本体を具え、本体が本体の上側及び下部を通って延在し、本体の中心軸に平行に延在する中央チャネルを有する。このシャワーヘッドアセンブリは、第１の複数の孔を有し、中央チャネル内に配置した選択的な拡散プレートと、第２の複数の孔を有し、中央チャネル内の拡散プレートの下に配置した上側チューブプレートと、第３の複数の孔を有し、中央チャネル内の上側チューブプレートの下に配置した下側チューブプレートと、上側チューブプレートから下側チューブプレートへ延在する複数のチューブを具える。各チューブは、上側及び下部の個々の孔に連結されて流体連通している。 （もっと読む）

【課題】結晶の質と堆積プロセスの効率とを向上させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、プロセスチャンバー（１）の床を形成し、少なくとも１つの基板（５）が置かれるサセプタ（２）と、プロセスチャンバー（１）の天井を形成するカバープレート（３）と、プロセスチャンバー（１）の中にプロセスガスおよびキャリアガスを導入するためのガス注入エレメント（４）とを備える。サセプタ（２）の下には多数の加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）が互いに隣り合って配置され、プロセスチャンバー（１）に面するサセプタ（２）の表面とプロセスチャンバー（１）の中にあるガスとを加熱する。カバープレート（３）の上の熱消散エレメント（８）は、サセプタ（２）からカバープレート（３）に移る熱を消散させる。高い熱伝達能力を持つ熱伝達結合ゾーン（Ｚ１−Ｚ８）は高い熱出力
【数１３】


を持つ加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）の位置に対応する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）用装置及び方法に関する。一の実施例では、ＣＶＤ反応装置システム用の加熱ランプアセンブリが設けられており、このアセンブリは、支持ベースの上面上に配置されており、第１のランプホルダから第２のランプホルダへ延在する複数のランプを有するランプハウジングを具える。このランプは、分割フィラメントランプ及び／又は非分割フィラメントを有していても良く、いくつかの例では、分割及び非分割フィラメントが、第１及び第２のランプホルダの間に交互に配置されていても良い。第１及び第２のランプホルダの間の支持ベースの上面上にリフレクタを設けても良い。別の実施例では、この方法は、ウエハキャリアの下面を加熱ランプアセンブリから生じるエネルギィに露出させるステップと、当該ウエハキャリアを所定の温度に加熱するステップと、を具えている。 （もっと読む）

本発明は、チューブの中を圧気輸送されている粒子にコーティングを堆積するための方を提供する。本方法は、入口及び出口を有するチューブを用意する段階、チューブの入口において又はその近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、及び該粒子の流れの中の粒子との反応のために、チューブの入口から下流で少なくとも１の注入点を介してチューブの中へと自己停止する第一の反応物を注入する段階を含む。本方法は、原子層堆積及び分子層堆積に適切である。本方法を実施するための装置もまた開示されている。 （もっと読む）

本発明は、ガスをＣＶＤ（化学気相成長）チャンバに注入する前に熱化する、ＣＶＤシステムと共に使用するための改善されたガスインジェクタを提供する。提供されるインジェクタは、加熱されたゾーンを通るガスの流動時間を増加させるように構成され、加熱されたゾーンにおけるガスの滞留時間を長くするガス伝導管路を含む。提供されるインジェクタは、選択された流れパターンでガスを注入するように大きさを決められ、成形され、配置された出口ポートも有する。本発明は、提供される熱化ガスインジェクタを用いたＣＶＤシステムも提供する。本発明は、ＧａＮ基板の大量生産に対する特定の用途を有する。
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デュアルチャンバ「塔」として構成されるガス蒸着システム（１０００）は、一方が他方より垂直方向に上側である２つの反応チャンバアセンブリ（３０００）を支持するためのフレーム（１１４０）を含む。各チャンバアセンブリ（３０００）は、搭載ポートを通して単一の第４．５世代（ＧＥＮ４．５）ガラスプレート基板を受容するようにサイズ決定される中空アセンブリ（３０７０）を包囲する、外壁アセンブリを含む。基板は、中空アセンブリ（３０７０）の内側で水平に配置され、チャンバアセンブリ（３０００）は、中空アセンブリ（３０７０）の外部に配置され、基板の頂面を覆って実質的に水平に方向付けられた層状ガス流を生成するように構成される、取外し可能かつ清掃可能な三角形投入（３１５０）および排出（３２５０）プレナムを含む。
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【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】フィルム基板上を通過し基板搬送方向に流れる電流を小さくして、複数電極配置時の相互干渉の抑制、及び搬送ロールから反応容器へ流れる電流を小さくし、フィルムの局所に発生する電流集中部の電流密度を小さな値に抑えることでフィルム焼損や膜質の変化を抑制することにより、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【解決手段】原料ガスが導入される反応容器１内に２つの電極５，６を対向して配置し、２つの電極５，６の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ８を生成し、原料ガスを分解して２つの電極５，６の間に搬送されてくるフィルム基板７の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、２つの電極５，６の外側に位置する基板搬送方向の両側に、フィルム基板７の周りを取り囲む構造の導電リング２１を配置している。 （もっと読む）

ボトルや中空管などのようなプラスチック製または金属製の物体のような成形された物体の内側表面上に薄膜を室温で堆積するプラズマ系の堆積方法が開発された。本発明において、プラスチックボトルの内側表面上の均一な（ダイヤモンド状炭素ＤＬＣとも呼ばれる）水素化非晶質炭素膜が成功裏に堆積される。そのような製品の適用には、食品および薬品業界全体が挙げられる。飲料水、炭酸清涼飲料、ワイン、薬剤などの保管用の、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のボトルには大きな需要がある。しかし、より高い費用によって、それらの広範な使用が妨げられる。より安価な代替案は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）のような化学的に不活性な材料で内側を被覆されたプラスチックボトルを使用することであり、商業的に実現可能となるであろう。発明者の方法は、大量生産用に規模を拡大されることができる。この方法は、金属の内側表面へのより良好な接着を有するＤＬＣ膜を得るために、（水素化非晶質ケイ素のような）中間層を形成する炭化物で金属製の棒または管の内側表面上を被覆するのにも使用されることができる。
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少なくとも１つの試料を支えるためのプロセスチューブであって、炭化ケイ素で構成され、シリコンを含浸され、炭化ケイ素で被覆されたプロセスチューブと、プロセスチューブを高真空へと真空排気するポンピングシステムと、１つ以上のプロセスガスを、真空排気されたプロセスチューブへと導入するための１つ以上のガス入口と、プロセスチューブを加熱し、それにより、プロセスチューブ内の１つ以上のプロセスガスと少なくとも１つの試料とを加熱してプロセスチューブ内で少なくとも１つの試料上に化学気相成長により材料を堆積させるヒータと、を備える化学気相成長システム。
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基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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