【課題】放電装置において、安定した放電を長時間行えるようにする。
【解決手段】放電装置は、第１電極（２１０）と、第１電極と対向するように離間して配置される第２電極（２２０）と、第１電極の少なくとも第２電極と対向する放電面を覆うと共に、放電面において第１電極を部分的に露出させる開口部（３１０）を有する絶縁体（３２０）と、第１電極及び第２電極間に電圧を印加する電圧印加手段（１００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板に、導電性の制御された半導体膜を成膜する半導体膜の成膜方法を得ること。
【解決手段】ドーパントがドープされたシリコン粒子１３を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板１０に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子１３が塗布された基板１０上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマＣＶＤによってシリコン膜１４を成膜する成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】成膜対象の基板であるＳｉＣウェハに対し、誘導加熱を利用して面内で均一な高温の加熱を行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００を、成膜室１０２と、成膜室１０２の上部に設けられたガス供給路１０３と、成膜室１０２内に配置された基板１０１を挟んで対向するよう配置されたコイル１３２と輻射部材１２１とを用いて構成し、ガス供給路１０３から反応ガス１１５を流下させながら、コイル１３２により対向する輻射部材１２１を誘導加熱し、輻射部材１２１からの輻射熱により基板１０１を加熱して、基板１０１上で成膜を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】反応室の内部に設けられる石英製の部材の損傷を防止しつつ、石英製の部材から剥がれた反応生成物が被形成体に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態の発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にIII族窒化物半導体層を形成するものである。そして、本実施形態の発光素子の製造方法は、第１組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０１）、清掃工程（Ｓ１０２）、第２組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０３）、及びチップ化工程（Ｓ１０４）を含んで構成されている。ここで、第１組目のウェハ群の製造工程において、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に設けられる保護部材に反応生成物が付着する。そして、清掃工程において、ブラスト処理を用いて保護部材に付着する反応生成物の除去を行う。これにより、保護部材の受ける損傷を抑制しつつ、第２組目のウェハ群の製造工程において、ウェハへの反応生成物の混入が抑制される。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように前記基板４０を取り付け、該基板４０の上方であって結晶成長面と対向する側に複数の溝６３とともにアルミナ粒子を用いたブラスト処理により溝６３よりも微細な凹部が形成された保護部材６０を取り付け、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）

【課題】デポ膜の剥がれを防止し、生産性向上させることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基反応炉１０内に基板１２を保持するサセプタ１４が設けられ、導入部１８から、原料ガスを反応炉１０内に導入することにより基板１２上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）膜をＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長させる気相成長装置において、基板１２と対向するように反応炉１０の内壁に取り付けられている天板３０（防着板）の基板１２側の表面に、ＧａＮ膜とＡｌＮ膜が交互に積層された多層膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の上で開口端を下に向けて磁気を遮蔽する磁気シールド空洞導体７０を備えている。 （もっと読む）

【課題】流通するガスの流速をより精密に制御する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、処理対象物である基板５を保持する、回転可能なサセプタ３と、基板５の一方の主表面上に成膜用のガスを流す流路１０とを備える。流路１０の内部における側面部に配置される多孔質体の平均孔径を、流路１０の中央部に配置される多孔質体の平均孔径よりも大きくしている。側面部に配置される多孔質体の平均孔径を、中央部に配置される多孔質体の平均孔径よりも５０％以上大きくすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、皮膜の脱落や基材への傷つきを防止した上で、成膜ロールの端部に皮膜が形成されることを防止する遮蔽部材を容易に交換できるようにする。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置１は、真空チャンバ３と真空チャンバ３内に配備されると共に電源４の両極が接続され且つ各々に成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる成膜ロール２と成膜ロールの端部９をプラズマから遮蔽する遮蔽部材５とを備えたものであり、遮蔽部材５は成膜ロールの端部９表面の周方向に沿うような湾曲形状で成膜ロール２とは別の部材とされていて、遮蔽部材５と成膜ロール２とは一定のクリアランス１０を有するように配備されると共に互いが同電位に保持されていて、このクリアランス１０はシート状の基材Ｗが差し込み可能であると共にプラズマ１１が成膜ロール２の端部側まで進入することを防止可能な距離に設定されている。 （もっと読む）

【課題】
窒化チタン薄膜などの作製に使用されるガス噴出板を用いたＣＶＤ装置において、ガス噴出板に形成される付着物の発生を抑制することができるＣＶＤ装置及び薄膜製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基体を支持し加熱手段を有する基体ホルダーと、基体ホルダーに対向した位置に複数の穴を有するガス噴出板と、ガス噴出板を固定する支持体との間にガスを導入し、基体に前記ガスを用いて成膜する化学的気相蒸着装置において、主成分が炭素からなるシール材が、ガス噴出板と支持体との間に配置されている構造を有する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、基板に成膜を行なう際に、ドラムに高いバイアス電位を印加する場合でも、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、製造装置の損傷を防止することができる機能膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、ドラムの端面とアース板との間に配置される絶縁部材とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】基板であるシリコンウェハの加熱時にヒータを支持するブースバーと電極の接合面への反応ガスの侵入を抑えることのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、シリコンウェハ１０１を加熱するヒータ１２１と、ヒータ１２１を支持する導電性のブースバー１２３と、ヒータ１２１への給電をする、上部および下部に開口部を有する中空円筒状の電極棒１０８と、ブースバー１２３に固設されてブースバー１２３と電極棒１０８とを接続し、電極棒１０８とともに電極１０７を構成する連結部材１２４とを有し、電極棒１０８の下部開口部からパージガス１１７を供給して、電極棒１０８上部開口部と、それに連続するブースバー１２３と連結部材１２４との接合面間にある隙間構造１３１にパージガス１１７を通しながらヒータ１２１加熱を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域９において基板７の裏面に近接する冷却体１０と、冷却体１０と基板７の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体１０は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体１０から基板７への輻射を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器内に設けられて処理すべき被処理体を載置するための載置台構造において、被処理体を載置して支持すると共に被処理体を加熱する加熱手段が設けられた誘電体よりなる載置台と、処理容器の底部側より起立させて設けられ、上端部が載置台の下面に接合されると共に下端部が開放された複数の保護支柱管と、保護支柱管内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電棒と、処理容器の底部側に設けられると共に、保護支柱管内に連通されたパージガス流通用気密室と、パージガス流通用気密室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。これにより、載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させる基板表面の温度を均一にする。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、被形成体が載置される保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部材を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置では、電極間にシリコンウエハを載置し、電極間に高周波の交流電力を印加してウエハのプラズ処理を行っていたが、電極間にはウエハが存在する為、プラズマは均一とならず、ウエハ表面のプラズマ処理を均一に行う事の出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板５を処理する反応室１と、反応室１内において複数の基板５を所定の間隔をおいて多段に重ねて載置する基板載置手段２２と、反応室１内に処理ガスを導入する手段１０と、反応室１内を排気する排気手段６、７と、反応室１内に設けられたプラズマを生成する為の複数対の交流電力印加用櫛形電極とを備え、複数対の櫛形電極の各々の対は、基板載置手段２２に載置される複数の基板５の各々のプラズマ処理面から所定の距離にそれぞれ配置される基板処理装置が開示されている。 （もっと読む）

気相蒸着プロセス時にフィルムを支持するためのカセットは第１及び第２のエンドプレートを有する中心シャフトを含む。各エンドプレート上のリブはフィルムの縁端を収容することができる渦巻状の溝を形成する。各リブは、実質的に直線の主縁端と、所定の幅寸法と、所定の平均厚さ寸法と、少なくとも２：１の幅対厚さのアスペクト比とを有する断面形状を有する。リブは自由端部に任意のフロースポイラを有する実質的に矩形又は実質的にくさび形とされうる。エンドプレート間のスポーク間の間隔は少なくとも３００ミリメートル（３００ｍｍ）であり、また、気相堆積温度においてフィルム基材の幅寸法より大きい。各リブの幅寸法はスポーク間の間隔の約０．５％から約２．０％の間である。
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本発明は気相蒸着のためのフィルムカセットを非装填するための装置及び方法である。コーティングされたフィルムがフィルムカセットから搬送され、即座に保護フィルムに積層される間、コーティングされたフィルムに触れること、折り目がつくこと又はクラックが入ることを最小化する。
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【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、処理室４の第１の壁面（上壁６）において、上記反応ガスの流通方向に沿って形成された複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５において、一のガス導入部と、一のガス導入部と異なる他のガス導入部とのそれぞれからガスを処理室４の内部に供給可能なガス供給部とを備えている。複数の上記ガス供給部には、上記ガス供給部から上記ガス導入部へガスを供給するための第１のバッファ室（バッファ室２３〜２５）と、第１のバッファ室へ均一な圧力でガスを供給するための流量調整部５０とを含み、上記第１のバッファ室は流量調整部５０に対して、ガスの流通方向の下流側に位置する。 （もっと読む）