【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第１材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部１と、上記凹部を充填する第２材料からなる充填部２とを有し、前記第１材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種からなり、前記第２材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種以上からなり、前記第１材料と前記第２材料は、摩擦係数と硬度のうちの１以上が異なり、更には、前記基部１の表面と前記充填部２の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】 Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、厚さ５００ｎｍ以下の希土類合金磁性層と、厚さ５０ｎｍ以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】突起の先端径について高い寸法精度を得たり、各突起を均一に形成することができるシリコン基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６０に、先端部５４を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第１工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングして溝６１を形成する第２工程と、シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６２に、基部５３を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第３工程と、溝６１内に埋め込まれた当該溝底部のレジスト６２が露出するまでシリコン基板Ｋの表面を等方性エッチングする第４工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングし、基部５３を形成する第５工程と、シリコン基板Ｋのレジスト膜６２を除去する第６工程とを順次実施することにより、基部５３と先端部５４とを備えた複数の突起５２をシリコン基板Ｋに形成する。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトレジストの膜厚を略均一にすることで、良好なパターン形状を円筒状の外表面に形成することができる円筒外表面の加工方法およびパターンシートの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ワーク３の円筒状の外表面３ａに凹凸パターンを形成する円筒外表面の加工方法であって、液槽２内の塗布液１中にワーク３を浸漬させる浸漬工程と、ワーク３を中心軸ＣＡ回りに回転させながら引き上げる取出工程と、ワーク３の外表面３ａに塗布された塗布液１を乾燥させてフォトレジスト層５を形成する乾燥工程と、フォトレジスト層５に光を照射することで凹部パターンを形成する光照射工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】軸受の内面に、へリングボーン溝、スパイラル溝等の動圧発生溝を簡単に形成できるようにする。
【解決手段】マスク１は、円筒状の形状であり、外周面にヘリングボーン溝パターンが形成され、鍔部の下面にスパイラル溝パターンが形成されている。マスク１を動圧軸受２に挿入し、さらに、マスク１の内部に光ファイバ４を挿入する。そして、外部の光源の光を光ファイバ４によりマスク１に照射して、ヘリングボーン溝パターンを動圧軸受２の内周面に転写する。同時に、鍔部の上側から光を照射してスパイラル溝パターンを動圧軸受２の上側面に転写する。現像を行った後、エッチングにより軸受２の内周面にヘリングボーン溝２１を形成し、上側面にスパイラル溝２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】タングステンと炭素とを含む物質にドライエッチングにより微小凹凸を形成する場合に垂直断面形状又は順テーパ断面形状を実現する。また、タングステンと炭素とを含む物質の表面に垂直断面形状又は順テーパ断面形状の微小凹凸を備えたモールドを提供する。
【解決手段】タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスとＣＮ結合及び水素原子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

基板を用いて電気化学セルを形成するための電極、およびその電極の製造方法。電極は、前側にパターニングされた絶縁層（７）を有するキャリア（１）を備える。電極層（４）の導電性材料がパターニングされた絶縁層の空洞にキャリアに接触して成膜される。接続層（５）が、キャリアの裏側にキャリアに接触して形成される。電極の周辺部は絶縁材料により被覆される。 （もっと読む）

【課題】 エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 反応処理室１５内で、ＣＦ基を有する堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク作製において、改良されたクロム層のプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理方法は、クロム層上に配置されたレジスト層をパターニングする（２０４）ことにより部分的にクロム層が露出した基板に対し、場合によりレジスト層上に保護層を堆積する（２０６）。次に、少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供しつつ、さらに６００ワット未満の複数の電力パルスによって基板にバイアスをかける（２０８）ことにより、パターニンググされたクロム層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製作に適したモリブデンエッチングプロセスの改良を行う。
【解決手段】フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 ホトマスク製造中にクロム層をエッチングする方法を提供する。
【解決手段】 クロムをエッチングしホトマスクを形成する方法が提供される。一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。本発明のクロムエッチング方法は、ホトマスクを製造するのに特に適している。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で耐久性に優れ、微細かつ高精度な転写パターンを形成できるプレス成形金型を得る。
【解決手段】母材１２と、当該母材上に形成されかつ転写パターンを有する加工層１３と、当該加工層上に形成された保護層１４とを備えたプレス成形金型１１で、母材は超硬合金（タングステンカーバイド）又はサーメット（チタンカーボン、クロムカーバイド、アルミナ、タングステンカーバイド焼結体又はチタンナイトライド）により、加工層はシリサイド合金（ＭｏＳｉ_x、ＴａＳｉ_x、ＮｂＳｉ_x、ＷＳｉ_xのうちの１種類以上の合金で、好ましくは０＜ｘ＜２）により、転写パターンはエッチングにより、保護層は貴金属合金（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｗ、Ｔａ等）により夫々形成する。 （もっと読む）

【課題】基材からホトレジストや処理残留物などの残留物を除去するための組成物であり、やはり該組成物に暴露されることのある金属を不所望のほど腐食させることなく、それらの残留物を選択的に除去することができる組成物と方法を提供すること。
【解決手段】本発明の組成物は、有機アミン、随意的な有機溶媒、及び少なくとも約０．５質量％のタンニン酸もしくはその塩又はその両方を含む。本発明の方法は、残留物を有する基材を本発明の組成物と接触することを含む。 （もっと読む）

【課題】 従来技術による金属ゲート電極形成ではシリコン基板が大口径化した場合、ウェハ面内、及び疎密間での寸法及び形状のばらつきが大きくなるという課題があった。
【解決手段】 本発明は、タングステンゲートエッチングにおいて、寸法のウェハ面内均一性に優れた電極形成可能とした半導体装置の製法であって、具体的には、シリコン基板１０１にゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１０２、高誘電体膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）１０３、ゲート電極材料としてタングステン膜１０４、マスク膜としてシリコン窒化膜１０５を順に成膜する。反射防止膜１０６を塗布し公知のリソグラフィ技術によりパターンを形成し、この基板を反射防止膜１０６、シリコン窒化膜１０５を一般的な条件でエッチングした後、タングステン膜をシリコン基板の中央と外周のプラズマ密度の比を３〜４：１の条件で残膜が３〜５ｎｍになるまでエッチングを行い、最後に残りのタングステン膜をプラズマ密度の比が中央：外周＝１：１の条件でエッチングを行うこと方法である。 （もっと読む）

【課題】 三次元形状のコントロールを充分に行うことができる使い勝手のよいシリコン構造体製造方法、モールド金型製造方法、成形部材製造方法、シリコン構造体、インクジェット記録ヘッド、及び、画像形成装置を得ることを課題とする。
【解決手段】 パターンニングされた酸化膜１１４が形成された側からシリコン基板１１２に異方性エッチングと等方性エッチングとを交互に繰り返すことにより、窪み１４４よりも溝底側にテーパ状に広がる側壁面１１９を形成する。この後、酸化膜１１４を除去し、突起部分１４６を除去する。 （もっと読む）

バルブハウジングを含み、バルブハウジングが、ハウジングキャビティを画定するとともに、ハウジング注入口、ハウジングベント、毛細配管注入口、および毛細配管排出口を備えている、凍結・解凍バルブ、および凍結・解凍バルブをマイクロ加工する方法が提示される。バルブ本体が、少なくともその一部をリソグラフィによって構成して設けられ、冷却剤注入口、冷却剤排出口、および膨張チャンバを含んでいる。膨張チャンバは、冷却剤注入口を冷却剤排出口に連通させるように配置され、流れ規制手段を有する規制領域を含んでいる。さらに、バルブ本体は、バルブハウジングとバルブ本体との間に絶縁チャネルを形成するようにハウジングキャビティ内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】レイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】レイヤ上にフォトレジストレイヤが形成される。フォトレジストレイヤがパターン付けされることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャが形成され、フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する。フォトレジストフィーチャの側壁上にコンフォーマルレイヤが堆積されることによって、フォトレジストフィーチャの前記微小寸法が低減される。レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 （もっと読む）