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Fターム[4K063FA18]の内容

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【課題】らせん状に進行する帯状体2を真空中で均一に高温加熱することが可能なヒータユニット60を提供する。
【解決手段】らせん状に進行する帯状体2に対して真空中で熱処理を行うヒータユニット60であって、複数の金属線を撚り合わせた線材が帯状体2と平行な水平面内においてつづら折り状に配置された線材ヒータ62を備えている。その線材ヒータ62は、第1支持部材64および第2支持部材74により、フレーム90に対して伸縮自在に支持されている。 (もっと読む)


【課題】炉芯管の温度均一性を良好にすると同時に、高温における炉心管の変形も防止するようにした高温熱処理炉を提供することを目的とする。
【解決手段】略水平に配置され、耐熱性の材質からなる直円筒状の炉芯管と、この炉芯管を収容して加熱する加熱手段とを備え、炉体内壁を断熱材で断熱された高温熱処理炉において、炉芯管の熱処理炉内部に位置する領域を断熱性の炉芯管支持台で連続的に支持することを特徴とする。 また、炉芯管と炉芯管支持台との間に炉芯管支持用の炉芯管支持部材を配置することを特徴とする。 (もっと読む)


この垂直設置用の電気発熱体は、工業生産に使用される炉用の垂直懸吊式電気抵抗体2を含んでいる。この電気発熱体では、各抵抗体は導電性脚から成り、穴4を有するセラミックディスク3が抵抗体の長さに沿って配置され、これらの穴を抵抗体の関連脚が貫通し、また前記セラミックディスク3がセラミック管7,8の間に配置され、該セラミック管内には金属製の上部中心ロッド11が配置され、該中心ロッドが抵抗体を支持しており、該抵抗体が放熱管によって取り囲まれている。本発明の特徴は、中間のセラミックディスク3を有する数個の上部セラミック管15,16,17が上部中心ロッド11の外側に配置され、該中心ロッド11が下方へ向って一定距離だけ放熱管14内へ延び、中間のセラミックディスク3を有する数個の下部セラミック管18,19,20が下部中心ロッド21の外側に配置され、該下部中心ロッド21が放熱管14の底部24から上方へ向って一定距離だけ延び、下部中心ロッド21と下部セラミック管14の底部24とが放熱管14の底部24によって支持されている点にある。
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本発明の一実施形態は加熱素子構造体である。第1のトレイが、内側境界と外側境界を有する。内側境界と外側境界はスペースを決める。第1のトレイに取り付けられかつ内側境界を取り囲む第1の加熱素子が、電源が投入されたときに発熱する。加熱素子は、ある温度範囲内でそのスペース内で膨張する。
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【課題】 熱処理炉のヒータ表面に熱処理すべきグリーンコンパクトからのフェノール樹脂成分が付着することがなく、炉内のクリーニングが容易となり、燃料コンパクトの品質を低下することがない。
【解決手段】 高温ガス炉用の燃料コンパクトを製造する過程でプレス成型して形成されるグリーンコンパクト16内にバインダーとして含まれる樹脂成分を炭化するためのものであり、グリーンコンパクト16を装填し不活性ガス雰囲気が維持されるチャンバー20とこのチャンバー20の外側に配置されたヒータ22とから成り、チャンバー20は、平滑な内面20WFを有する。 (もっと読む)


【課題】一枚当りの重量削減しても変形を有効に防止でき、しかも加熱のための電気容量を低減できる大面積加熱板を用いた加熱装置を提供する。
【解決手段】発熱体2を第一発熱体保持板3及び第二発熱体保持板1で挟持し、更に、第一発熱体保持板側に格子状支持板4を組み付けて保持して大面積加熱板を構成することにより、加熱板の変形を防止するとともに、加熱板の軽量化及び電気容量の低減化を可能とした。保温体で囲まれた保温室内に、この大面積加熱板少なくとも一枚を、大面積加熱板の少なくとも片面側に空間が残されるように取り付けて熱処理装置とする。 (もっと読む)


相互に当接されて円筒体を形成し、同円筒体の内容積は炉空間を構成し、且つ電気抵抗要素5を前記円筒体の内面4に当着且つ締着可能とするのに適した、少なくとも2つの円筒状分節2、3、7、8としてのファイバ・モジュールを備える炉断熱材。本発明は、前記円筒体の内側部分は1つ又は複数の半径方向に伸長若しくは概ね半径方向に伸長する間隙12、14を含むことを特徴とする。
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【課題】 構造が簡素で発熱体を確実に支持し、かつ、放熱効率の高い電気ヒーターを提供する。
【解決手段】 絶縁体に形成した溝に螺旋状の発熱体を挿入した構成において、
発熱体5を扁平状に形成する。発熱体5の断面の長手方向線LWが絶縁体2の平面と平行となるように溝3を形成する。発熱体5の前部をその断面の長手方向幅Wに沿って溝3の開口部より露出させる。発熱体5を少なくともその断面長手方向の一方側又は後部で溝3内に固定する。 (もっと読む)


【課題】従来の外部加熱による焼成炉に比較して、焼成に必要な時間を短縮することができるとともに、焼成された被焼成体の気孔率及び曲げ強度のばらつきを小さくすることができる焼成炉を提供する。
【解決手段】焼成炉本体11は、絶縁性の断熱材で形成された焼成室13内に、四角筒状のカーボン製のマッフル15が配設されている。マッフル15内には被焼成体17を載置支持する焼成用治具18が配置されている。焼成室13内には、第1電極22及び第2電極23が、マッフル15を上下から挟持するように配置されている。第1電極22及び第2電極23は、交流電源24に電力制御器25を介してそれぞれ接続されている。電力制御器25は、サイリスタ回路を備え、制御装置26からの指令信号に基づいて、マッフル15に供給する電力をオン・オフ制御するようになっている。 (もっと読む)


放射パイプ(1)と前記パイプに含まれる電気加熱要素(2,3)とを備える、放射チューブを有する電気加熱要素において、前記加熱要素は、前記パイプ内で前後に延びる脚部を有し、前記加熱要素は、電流がそこを介して前記加熱要素に供給される電力アウトレットが設けられる、炉壁に近接する前記パイプの一つの端部において接続され、前記加熱要素は前記パイプ内において、それぞれの脚部がそこを介して延びる貫通孔が設けられた支持セラミックディスク(9)により支持され、二つの加熱要素(2,3)が、前記放射パイプにおいて、その長軸に沿って順に配置される。本発明において、中心ロッド(5)が、前記放射パイプ(1)の中心を介して、その一つの端部(8)からそのもう一方の端部(11)へ、及び各前記支持ディスク(9)の前記中心を介して延び、前記中心ロッドは電力アウトレットを、前記加熱要素(3)の少なくとも一つに対して形成し、前記放射パイプにおける前記二つの加熱要素に対する接続領域(12)は、前記パイプ(1)の長手方向において前記加熱要素間に位置しており、それぞれの加熱要素は、前記接続領域のそれぞれの電力アウトレット(4〜6)に接続され、前記加熱要素は、前記接続領域に設置されるセラミックディスク(18〜23)を前記パイプの長軸に沿う方向において実質的に保持するように機能する、ストップ手段(13〜17)を含み、それぞれの要素を支持する支持セラミックディスク(9)が、前記接続領域(12)からある距離で配置されており、前記セラミックディスク(14,15)の少なくともいくつかは、前記要素の温度の変化に応答してそれぞれの要素が伸縮するときに、要素に関連するストップ手段(27)が許す範囲において、前記パイプ(1)に沿って自由に動くことができることを特徴とする。
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本発明は、工業分野で使用される加熱炉又はオーブン用の垂直吊り下げ式電気抵抗体1を保持する方法、それも、各抵抗体が上下方向に何度も往復している導電性脚6を含み、また該抵抗体が、その長さに沿って多くのセラミックディスク8を含み、該セラミックディスクが各抵抗体脚が貫通する貫通孔を備え、前記抵抗体の上部が、電源に接続された端子5a,5bと合体しており、更に、前記抵抗体が、最上部のセラミックディスクの少なくとも1個によって保持される形式のものに関する。本発明は、前記抵抗体を支持する最上部の単数セラミックディスク又は最上部の複数セラミックディスク10,11を、炉2の屋根の断熱材3内に、それも該屋根の下面15より上方に位置させ、かつまた抵抗体の脚6を、短絡板7によって前記屋根の下面15より僅かに又は幾分下方の位置で短絡させることを特徴としている。 (もっと読む)


電気的に加熱された炉装置用の電気発熱体を支持するセラミックの伝熱体支持ディスクであって、前記発熱体の長手軸線に対して平行に位置する中央穴(2)と、前記中央穴(2)とディスク(1)の外周(4)との間に位置した一つ以上の穴(3,6,10−15)とを有する支持ディスクである。本発明は、ディスク(1)には前記外周(4)から前記穴(3,6,10−15)の中の一つおよび(または)前記中央穴(2)まで延在した一つ以上の細長い開口(5,7,8,9,16,17)が設けられ、前記細長い開口の各々が前記ディスク(1)の厚さ全体を貫通していることを特徴とする。

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アンドープト・セラミック材のマトリックス内に部分的または完全に埋め込まれたドープト・セラミック加熱素子を備えている抵抗ヒーター。セラミックは、炭化珪素でありうるし、かつドーパントは、窒素でありうる。本発明のヒーターの効果の多くは、加熱素子およびそれらの素子を取り囲んでいるマトリックス材を備えている材料が実質的に同じ熱膨張係数を有しているという事実から生じる。一実施形態では、ヒーターは、コンパクト、強力、強靭、および熱式質量が低く、それを電力入力変化に迅速に応答させる、モノリシック・プレートである。抵抗ヒーターは、エピタキシャル薄膜を成膜し、かつ高速熱処理を実行するもののような、集積回路を製作するために用いられる反応器および処理チャンバの多くで用いられうる。 (もっと読む)


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