【課題】 １回のリソグラフィによりフィールドプレート構造を形成できる方法を提供する。
【解決手段】 基板の主表面に形成される動作層と、動作層上に形成される絶縁層と、動作層および絶縁層の双方に接続する電極とを有するフィールドプレート構造の形成方法であって、基板の主表面に動作層を形成する工程と、動作層上に電気絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に感光性の熱収縮性有機物層を形成する工程と、感光性の有機物層をリソグラフィによりパターン化する工程と、パターン化した有機物層をマスクとして絶縁層をエッチングする工程と、有機物層を加熱により収縮させる工程と、電極材料層を形成する工程と、熱収縮した有機物層を除去する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型トランジスタ及びその製造方法に関し、容量の増加を招かず、ゲート−ドレイン間に低抵抗な微細な電界緩和用電極を設ける。
【解決手段】 ゲート−ドレイン間に金属的性質を示すカーボンナノチューブからなる電界緩和用電極８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、窒化物を含む半導体から構成されるヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ゲートリーク電流の抑制および電流コラプスの改善を図ることができる、ヘテロ接合電界効果型トランジスタ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係わるヘテロ接合電界効果型トランジスタは、バリア層４上にＡｌ層８が形成されている。さらに、当該Ａｌ層８上に、ゲート電極９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を第１の線上に中心を有するように吐出し、第１の液滴の間に複数の第２の液滴を第２の線上に中心を有するように吐出して形成されたパターンを有する半導体装置である。第１の線と第２の線とが一定の距離を有するため、パターンの側端部が波状形状となる。 （もっと読む）

【課題】受光面積の大きい太陽電池を提供する。
【解決手段】透光性および絶縁性を有する筒状基板と、前記筒状基板の内周面に形成された光電素子とを備え、前記光電素子は、筒状基板の内周面に積層された第１電極層と、第１電極層の上に積層された第２電極層と、第１および第２電極の間に介在する光電変換層とからなる太陽電池。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタが形成される半導体層の結晶性の劣化を抑制しつつ、電界効果型トランジスタが形成される半導体層下に低抵抗化されたバックゲート電極を配置する。
【解決手段】単結晶半導体基板１１上には埋め込み酸化膜１２が形成され、埋め込み酸化膜１２上には、バックゲート電極を構成する第１単結晶半導体層１３が形成されている。さらに、第１単結晶半導体層１３上には埋め込み酸化膜１４が形成され、埋め込み酸化膜１４上には、メサ分離された第２単結晶半導体層１５ａ、１５ｂが積層され、第２単結晶半導体層１５ａ、１５ｂの膜厚は第１単結晶半導体層１３の膜厚よりも厚くするとともに、第２単結晶半導体層１５ａ、１５ｂにＳＯＩトランジスタを形成する。 （もっと読む）

均一な表面及び安定した組成を有する大面積のバナジウム酸化物薄膜の製造方法である。これにより、バナジウム−有機金属化合物ガスをチャンバに注入し、バナジウム−有機金属化合物ガス分子が基板の表面に飽和吸着された吸着物を形成する。次いで、チャンバに酸素−前駆体を注入し、吸着物と表面飽和反応させてバナジウム酸化物薄膜を製造する。
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【課題】 応力が加えられたゲート金属シリサイド層を含む高性能の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）及び高性能ＭＯＳＦＥＴを製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、ゲート誘電体層、ゲート電極及び１つ又は複数のゲート側壁スペーサを備えた少なくとも１つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む半導体デバイスに関する。このようなＦＥＴのゲート電極は、１つ又は複数のゲート側壁スペーサによって横方向に制限され、かつ、ＦＥＴのチャネル領域内に応力を生じさせるように配置され構成される内因性応力が加えられたゲート金属シリサイド層を含む。半導体デバイスは、少なくとも１つのｐ−ＦＥＴを含むことが好ましく、ｐ−チャネルＦＥＴは、１つ又は複数のゲート側壁スペーサによって横方向に制限され、かつ、ＦＥＴのｐ−チャネル内に圧縮応力を生じさせるように配置され構成される内因性応力が加えられたゲート金属シリサイド層を備えたゲート電極を有することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】デュアルゲート構造及びその製造方法、デュアルゲート構造を備える半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、基板上に形成された少なくとも２つのスタックゲート構造を備える。２つのスタックゲート構造は、各々半導体層及び半導体層上に形成された金属層を備える。基板上に形成された２つのスタックゲート構造は、相異なる中間層、すなわち、２つのスタックゲートのうち１つは、オーミック層を備え、２つのスタックゲートのうち他の１つは、オーミック層を備えないことにその特徴がある。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ及びその作製技術を提供することを目的とする。また、薄膜トランジスタを構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第２の領域に設けられ、電極層は第１の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第１の領域より前記第２の領域が高い領域に設けられる。 （もっと読む）

シールドゲートトレンチＦＥＴは、以下のように形成される。第１の導電型のシリコン領域内にトレンチが形成される。トレンチは、シールド絶縁膜によってシリコン領域から絶縁されたシールド電極を含む。熱酸化物層およびコンフォーマルな絶縁体層からなるインターポリ絶縁膜（ＩＰＤ）がシールド電極上面に沿って形成される。少なくともトレンチ側壁上方を覆うゲート絶縁膜が形成される。ゲート電極がトレンチ内に形成される。ゲート電極は、ＩＰＤによってシールド電極から絶縁される。 （もっと読む）

【課題】 定常損失を低減しつつ耐圧を向上することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 整流素子は、基板１と、半導体からなる不純物領域層（ｎ層３およびｐ層５）と、アノード電極９とを備える。不純物領域層は、基板１上に形成され、基板１側の表面である第１の面と、当該第１の面と反対側の表面である第２の面とを有する。アノード電極９はｎ層３およびｐ層５上に形成される。不純物領域層では、第２の面から第１の面に到達するｎ型のｎ層３と、ｎ層３に隣接するとともにｎ層３を挟むように配置され、第２の面から第１の面に向けて延在するｐ型のｐ層５とが形成される。アノード電極９は、ｎ層３にショットキー接触し、かつ、ｐ層５に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの増大を抑制しつつ、絶縁体上に配置された導電型の異なる電界効果型トランジスタ下にフィールドプレートを形成する。
【解決手段】素子分離絶縁層７ａにまたがるように配置されたゲート電極１０ａをゲート絶縁膜８ａ、９ａをそれぞれ介して単結晶半導体層５ａ、６ａ上に形成し、ゲート電極１０ａを挟み込むように配置されたＰ型ソース層１１ａおよびＰ型ドレイン層１２ａを単結晶半導体層５ａに形成し、ゲート電極１０ａを挟み込むように配置されたＮ型ソース層１３ａおよびＮ型ドレイン層１４ａを単結晶半導体層６ａに形成し、ゲート電極１０ａ、素子分離絶縁層７ａおよび絶縁層４ａを貫通して半導体層３ａに接続された埋め込み電極１５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおけるパンチスルーとリーク電流の抑制をはかることができ、素子信頼性の向上をはかる。
【解決手段】表面部にチャネル領域が形成される第１導電型の第１の半導体領域１００と、チャネル領域上にゲート絶縁膜１０１を介して形成されたゲート電極１０２と、チャネル領域を挟んで形成されたソース・ドレイン電極１０８と、ソース・ドレイン電極１０８とチャネル領域との間に形成され、ソース・ドレインのエクステンション領域となる第２導電型の第２の半導体領域１０５と、ソース・ドレイン電極１０８と第１，第２の半導体領域１００，１０５との間に形成され、第２の半導体領域１０５よりも不純物濃度の高い第２導電型の第３の半導体領域１０９とを備えた電界効果トランジスタであり、第３の半導体領域１０９はソース・ドレイン電極１０８からの偏析によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】高温下で使用しても、特性劣化が生じない炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体基体５００と、この炭化珪素半導体基体５００にヘテロ接合し、炭化珪素とはバンドギャップの異なるヘテロ半導体材料からなるソース領域１１と、炭化珪素半導体基体５００とソース領域１１との接合部に隣接してゲート絶縁膜７を介して配設されたゲート電極８と、ソース領域１１に接するように形成されたソース電極９と、炭化珪素半導体基体５００と接触するように形成されたカーボンナノチューブ層１２と、このカーボンナノチューブ層１２を介して炭化珪素半導体基体５００と隣接するように形成されたドレイン電極１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチング動作とエネルギー損失低減の両立が図れ、かつ電気機器のインダクタンス負荷等による逆起電力に基づく電流集中耐性に優れた半導体装置および電気機器を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、第１導電型のワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層３と、半導体層３の厚み方向に電荷キャリアを移動させる縦型電界効果トランジスタ１０２が形成されたトランジスタセル１０１Ｔと、半導体層３にショットキー電極９がショットキー接合されてなるショットキーダイオード１０３が形成されたダイオードセル３１と、を備え、半導体層３に、平面視において、仮想の境界ラインにより互いに交差する２方向に配列された４角形の複数のサブ領域１０１が区画され、かつサブ領域１０１の４つの隅部を切り欠くようにしてサブ領域１０１の残部からなるトランジスタセル１０１Ｔと切り欠かれた部分からなるダイオードセル３１とが区画されている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、第一ＭＯＳＦＥＴ型領域（４０）では半導体層（２２）を完全に半導体金属合金に変換するのに十分な厚さで、第二ＭＯＳＦＥＴ型領域（３０）では半導体層（２０）を部分的に半導体金属合金に変換するのに十分な厚さで金属含有層（５６）を形成する。第一の実施態様では、第一ＭＯＳＦＥＴ型領域（４０）のゲートスタックは金属含有層（５６）を形成する前に凹化しておくので第一ＭＯＳＦＥＴ半導体スタックの高さは第二ＭＯＳＦＥＴ半導体スタックの高さ未満である。もう一つの実施態様では、変換プロセスの前に第一ＭＯＳＦＥＴ領域（４０）よりも第二ＭＯＳＦＥＴ領域（３０）の金属含有層（５６）を薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】 ショットキー接合面での電界を緩和して耐圧を向上させつつ、順バイアス時のオン抵抗を下げることができる。
【解決手段】 半導体整流素子は、ｎ型SiC基板１上に形成されるｎ型SiCエピタキシャル層２と、SiCエピタキシャル層２上形成されるトレンチ３と、各トレンチ３の底部に位置するSiCエピタキシャル層２に形成されるｐ型の電界緩和層４と、隣接トレンチ３間のSiCエピタキシャル層２の上面にショットキー接合にて接続される第１ショットキー電極５と、トレンチ３の側壁上にショットキー接合にて接続される第２ショットキー電極６と、SiC基板１の裏面に形成されるカソード電極７とを備えている。第１ショットキー電極５のバリアハイトと第２ショットキー電極６のバリアハイトとの差分を、両者に同じ材料でかつ同じ製法からなる電極を形成した場合のバリアハイトの差分よりも小さくするため、オン抵抗をより低減できる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＥＴデバイスにおける閾値電圧をより良く制御できるデバイスを提供すること。
【解決手段】 基板（１０１）と、基板（１０１）の上のシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層（１０３）と、ＳｉＧｅ層（１０３）の上の、ＳｉＧｅ層（１０３）に隣接した半導体層（１０５）と、基板（１０１）、ＳｉＧｅ層（１０３）及び半導体層（１０５）に隣接した絶縁層（１０９ａ）と、絶縁層（１０９ａ）に隣接した一対の第１のゲート構造体（１１１）と、絶縁層（１０９ａ）の上の第２のゲート構造体（１１３）とを含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、ＦＥＴを形成する方法である。絶縁層（１０９ａ）は、ＳｉＧｅ層（１０３）の側面、並びに半導体層（１０５）の上面、半導体層（１０５）の下面及び半導体（１０５）の側面に隣接していることが好ましい。ＳｉＧｅ層（１０３）は、炭素を含むことが好ましい。一対の第１のゲート構造体（１１１）が、第２のゲート構造体（１１３）に対して実質的に横断方向にあることが好ましい。さらに、第１のゲート構造体（１１１）の対は、絶縁層（１０９ａ）によりカプセル封入されることが好ましい。 （もっと読む）