【課題】 順方向サージに対する耐性を向上することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１ａはＭＯＳＦＥＴである。Ｎ^＋バルク層１０１において、主面１０１ｂ側の表面領域には、高濃度のＰ型不純物を含むＳｉＣを主組成としたＰ型領域１０９が形成されている。Ｎ^＋バルク層１０１の主面１０１ｂ上には、Ｎ^＋バルク層１０１とオーミック接触を形成するドレイン電極膜１０９が形成されている。順方向サージが印加されても、Ｎ⁻ドリフト層１０２が伝導度変調され、オン抵抗が低下し、発熱量が低下するので、順方向サージに対する耐性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 グラファイト層の除去工程を行わなくても、密着性の高い配線用電極が形成できるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 グラファイト層５が形成される前に、予めＮｉ膜２の上にＮｉシリサイド膜３を形成する。このようにすれば、Ｎｉ膜２をシリサイド化したときに、グラファイト層５がＮｉシリサイド膜３と科学的に結合されるようにすることができる。これにより、グラファイト層５とＮｉシリサイド膜３とを高い密着強度で接合することができる。そして、グラファイト層５の表面にではなく、Ｎｉシリサイド膜３の上に配線用電極６を形成することができるため、配線用電極６がＮｉシリサイド膜３から剥離することもない。このため、グラファイト層５の除去工程を行わなくても、配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ショットキー電極上にコンタクト電極を形成した状態で熱処理をした場合でも、ダイオード特性の悪化を抑制する。
【解決手段】 炭化珪素からなる半導体基板１１上にエピタキシャル層１２を形成し、そのエピタキシャル層１２の表面にショットキー電極１４を形成したショットキーバリアダイオードにおいて、前記ショットキー電極１４上に貴金属のコンタクト電極１５を形成し、そのコンタクト電極１５を形成した後、６００〜１０００℃で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】 バンチングステップ等の表面荒れを発生させることなく、不純物注入層の活性化率を十分に高くする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素半導体装置の製造方法が、炭化珪素基板を準備する工程と、炭化珪素基板に不純物イオンを注入する工程と、炭化珪素基板を熱処理する熱処理工程とを含む。熱処理工程は、水素ガスとアルキル系炭化水素ガスとの混合ガス雰囲気で行われる。アルキル系炭化水素ガスは、例えばプロパンガスからなる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗配線および低抵抗高アスペクト比ビアプラグを実現するＳｉＣパワーデバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、炭化珪素半導体基板１１と、炭化珪素半導体基板１１の主面上に形成されたソース電極（オーミック電極）１５と、ソース電極１５と電気的接続をとるためのビアプラグ２５または配線２１と、炭化珪素半導体基板１１の裏面に形成されたドレイン電極（オーミック電極）２２とを備えている。ビアプラグ２５または配線２１は、ドレイン電極２２のシンター温度よりも高い融点の材料、好ましくはタングステンまたは銅を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板裏面に極めて低抵抗のオーミックコンタクトを有する縦型パワー炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板なＳｉＣ基板１の第１の主面側に主要な構成部分を設け、第１の主面の裏面である第２の主面側に少なくとも１つの熱処理型オーミック電極９を設けてなるＳｉＣ半導体装置において、熱処理型オーミック電極９は、第２の主面の表層に高温イオン注入で形成された、平坦かつ低抵抗な高濃度不純物領域４に接している。 （もっと読む）

【課題】 逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 ショットキーダイオード１は、基板２と、第１の半導体３と、第２の半導体４と、ショットキー金属５と、オーミック金属６とを備える。第１の半導体３は基板２の主表面に形成されている。第２の半導体層４は第１の半導体層３の表面に形成され、第１の半導体層３と同じ導電型を有し、第１の半導体層３よりも高い不純物濃度を有している。逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 （もっと読む）

たとえばサイリスタのような高電圧炭化珪素（ＳｉＣ）デバイスが提供される。第１の導電型を有する第１のＳｉＣ層が第２の導電型を有する電圧遮断用ＳｉＣ基板の第１の表面上に備えられる。ＳｉＣの第１の領域が第１のＳｉＣ層上に備えられ、この領域は第２の導電型を有する。ＳｉＣの第２の領域が第１のＳｉＣ層内に備えられる。ＳｉＣの第２の領域は第１の導電型を有し、ＳｉＣの第１の領域に隣接している。第１の導電型を有する第２のＳｉＣ層が電圧遮断用ＳｉＣ基板の、第１の表面とは反対側の第２の表面上に備えられる。第１、第２、および第３の電極がそれぞれＳｉＣの第１の領域、ＳｉＣの第２の領域、および第２のＳｉＣ層上に備えられる。高電圧ＳｉＣデバイスの作製に関する方法も提供される。
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【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤにより窒素よも水素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜を成長し、その後３族原料ガスの供給を一旦停止し、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体を成長することにより、前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度及び水素原子濃度が増大する第１の領域が設けられ、前記第１の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高い構造とする。 （もっと読む）

【課題】 第１導電型領域とよりも第２導電型領域とのほうが低いコンタクト抵抗率となる金属材料を用いて第１導電型領域の接点を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 周辺半導体領域５の不純物の濃度値よりも高い濃度値のｐ型不純物を含むｐ型領域５と、周辺半導体領域５の不純物の濃度値よりも高い濃度値のｎ型不純物を含み、ｐ型領域１と重複するように位置するｎ型領域２と、少なくともｎ型領域２上に位置する金属層３とを備える。 （もっと読む）

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する一体構造が提供される。このＰｉＮダイオードと直列に、ＰｉＮダイオードとは逆向きのショットキーダイオードを組み込むことができる。ＰｉＮダイオードとショットキーコンタクトとの間に、直列抵抗または絶縁層を形成することができる。ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。第２の領域は、第１の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触する。第２の炭化シリコン領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する。
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【課題】 逆方向バイアスにおける耐圧性能を確保し、かつ順方向バイアスにおけるショットキー障壁を低くした上で、結晶性に優れてオン抵抗が低く、かつ耐熱性を十分に確保した炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素半導体装置１０は、第１導電型の六方晶炭化珪素半導体基板１と、第１導電型の第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と、第１導電型の第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３と、ショットキー金属層５と、オーミック金属層４とを備える。第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３は、第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と同じ結晶構造を有し、かつ第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２よりも高い積層欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】不純物形成領域に確実に不純物を注入することを可能にするとともに、ソース・ドレインの全領域に対してセルフアラインサリサイドを行うことを可能にする。
【解決手段】基板上に設けられたほぼ直方体形状の第１導電型の第１半導体層６ａと、第１半導体層の対向する一対の第１側面にゲート絶縁膜９を介して設けられたゲート電極１０と、第１半導体層の、第１側面とほぼ直交する方向の対向する一対の第２側面の底部に接続されて直交する方向に延在する第１導電型の第２半導体層６ｂと、第２半導体層に設けられた第２導電型の第１不純物領域１６と、第１半導体層の一対の第２側面に設けられ第１不純物領域と接続する第２不純物領域１４と、第１半導体層の第２不純物領域間に形成されるチャネル領域１５と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置では、高電位が印加された配線層が分離領域上面を交差する領域では、その分離領域で耐圧劣化するという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、基板２上にエピタキシャル層３が堆積し、分離領域４で区画された領域にＬＤＭＯＳＦＥＴ１が形成されている。ドレイン電極１６と接続する配線層１８が分離領域４上面を交差する領域では、配線層１８の下方に接地電位の導電プレート２４とフローティング状態の導電プレート２５とが形成されている。この構造により、配線層１８下方では、分離領域４近傍での電界が緩和され、ＬＤＭＯＳＦＥＴ１の耐圧特性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子を電源回路に使用したときの破壊を防止する電源回路を提供する。
【解決手段】ブースト変換回路などの電源回路で用いられるＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子は、オーミック接合ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極間のゲート電極および、前記ソース・ドレイン電極の近傍に電源スイッチと一体化されたショットキ接合電極を備える。前記ショットキ接合にはフィールドプレート電極が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 低仕事関数金属の不適切な熱安定性のために、ｎＦＥＴ仕事関数とｐＦＥＴ仕事関数との両方を適正にするために用いることができるゲート・スタックを有するＣＭＯＳ構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明は、半導体基板の１つの領域上に配置された少なくとも１つのｎＭＯＳデバイスと、半導体基板の別の領域上に配置された少なくとも１つのｐＭＯＳデバイスとを含む、ＣＭＯＳ構造体に向けられる。本発明によれば、少なくとも１つのｎＭＯＳデバイスは、ゲート誘電体と、４．２ｅＶ未満の仕事関数を有する低仕事関数の元素状金属と、その場金属キャッピング層と、ポリシリコン・カプセル化層とを含むゲート・スタックを含み、少なくとも１つのｐＭＯＳデバイスは、ゲート誘電体と、４．９ｅＶより大きい仕事関数を有する高仕事関数の元素状金属と、金属キャッピング層と、ポリシリコン・カプセル化層とを含むゲート・スタックを有する。本発明はまた、こうしたＣＭＯＳ構造体を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ基板表面にＳｉＣが形成された半導体基板を用い、Ｓｉ基板を除去しなくても、Ｓｉ基板とＳｉＣとのバンドオフセット分の電圧降下が生じないＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣで構成されるＮ⁺型低抵抗層３とＮ⁺型Ｓｉ基板１との間に、金属で構成された導体層１１を介在させることで、実質的にバンドオフセットを消滅させられるようにする。これにより、Ｎ⁺型ＳｉＣ基板１がＮ型ＳｉＣ層２から除去されていない半導体基板を用いつつ、Ｎ⁺型Ｓｉ基板１とＮ型ＳｉＣ層２とのバンドオフセット分の電圧降下が生じないＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高性能ＣＭＯＳ用途のためのＨｆドープされた極薄酸窒化シリコン膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体構造体と、これを形成する方法であって、この方法は、ベース・ゲート誘電体層（５３）の上部に安定した拡散制御材料の均一なバッファ層を形成するステップと、次いで、遷移金属原子のソースを含有する均一な層を形成するステップと、次いで、この構造体をアニールして、ソースから遷移金属原子を、拡散制御材料を通してベース・ゲート誘電体層（５３）に拡散させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減し、電流特性を向上することができるＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電体層１０１は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｎ型不純物を含むＮ型半導体層である。第２導電体層１０２は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｐ型不純物を含むＰ型半導体層である。隣接した第１導電体層１０１および第２導電体層１０２の界面に形成されたＰＮ接合を保護するため、端部３１を被覆するように絶縁膜１０３が側壁１０４上に形成されている。側壁１０４の主面の法線方向に伸びる軸Ｃ１の向きは、［０００１］軸方向から［０１−１０］軸方向へ２５度以上４５度以下の範囲で傾いている。これによって、絶縁膜とＰＮ接合の端部との間の界面準位（界面準位密度）が減少するので、リーク電流を低減し、電流特性を向上することができる。 （もっと読む）

炭化珪素ＤＭＯＳＦＥＴおよびＤＭＯＳＦＥＴのダイオードに内蔵された少なくとも部分的にバイパスする構成の一体型炭化珪素ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）ダイオードを備える炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体の製造方法。ショットキーダイオードは接合障壁ショットキーダイオードの場合があり、ＤＭＯＳＦＥＴの内蔵ボディダイオードのターンオン電圧より低いターンオン電圧を有する場合がある。ショットキーダイオードは、ＤＭＯＳＦＥＴの活性領域より狭い活性領域を有する場合がある。
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