【課題】ＬＤＤ領域を有する微細ＴＦＴを、工程数の少ないプロセスで作製し、各回路に応じた構造のＴＦＴを作り分けることを課題とする。また、ＬＤＤ領域を有する微細ＴＦＴであってもオン電流を確保することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極を２層とし、下層のゲート電極のゲート長を上層のゲート電極のゲート長よりも長くし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。この際に、レジストの後退幅を利用して上層のゲート電極のみをエッチングし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。また、配線と半導体膜のコンタクト部をシリサイド化し、コンタクト抵抗を下げる。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を低減し、素子特性のばらつきの少ない半導体装置の製造方
法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン層を構成要素として備え、この多結晶シリコン層が
Ｐ型多結晶シリコン層５とＮ型多結晶シリコン層６とを有する半導体装置の製造
方法であって、Ｐ型多結晶シリコン層５を形成する工程と、Ｐ型多結晶シリコン
層５と一部分が重なるようにＮ型となる不純物を導入してＮ型多結晶シリコン層
６を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と半導体基板上に形成されたドープされた導電膜を含む半導体素子を提供する。
【解決手段】拡散バリヤ膜がドープされた導電膜上に形成される。拡散バリヤ膜は、非晶質半導体物質を含む。オーミックコンタクト膜が拡散バリヤ膜上に形成される。金属バリヤ膜がオーミックコンタクト膜上に形成される。金属膜が金属バリヤ膜上に形成される。これにより、界面抵抗を所望の範囲内に維持できながら、オーミックコンタクト膜下部の導電体にドープされた不純物が外部に拡散することを効果的に防止できて、多層構造を採用した半導体素子の反転キャパシタンス特性などを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ドレイン電流を低下させることなくドレイン耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体層（２）上に設けられたゲート電極（３）と、ゲート電極（３）を挟むように半導体層（２）上に設けられたソース電極（５）およびドレイン電極（９）と、半導体層（２）上のゲート電極（３）とドレイン電極（９）との間に設けられた電極（１０）とを備え、電極（１０）の半導体層（２）側の先端部におけるゲート・ドレイン電極間方向の幅は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡単であり、高い耐圧保持機能を有する耐圧構造を備えた炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ^＋ 型の炭化珪素からなる炭化珪素基板領域１１と、炭化珪素基板領域１１の上に形成されたｎ⁻型のカソード領域１２と、カソード領域１２における炭化珪素基板領域１１との接合界面に対向する一主面に接しているアノード電極１３と、炭化珪素基板領域１１の裏面に形成されたカソード電極１４と、アノード電極１３の外周に接し、且つ環状をなすように配置されたエッジ保護領域１６と、アノード電極１３並びにエッジ保護領域１６と同心円状に、且つ互いに接しないように環状に配置された複数の電界緩和領域１７とが形成されている。 （もっと読む）

電界効果トランジスタデバイス及び電界効果トランジスタを形成するための方法であって、当該デバイスは、半導体とオーム接触しているソース電極及びドレイン電極とを備える、電界効果トランジスタデバイス及び電界効果トランジスタを形成するための方法。ゲート電極−フィールドプレート構造は、ソース電極とドレイン電極との間に配置される。ゲート電極−フィールドプレート構造は、誘電体と、半導体とショットキー接触している第１の金属と、第２の金属とを有する。第２の金属は、第１の金属の一部の上に配置されると共に電気的に接続される第１の部分と、誘電体の一部によって第１の金属の第２の部分から分離され、且つ第１の金属のエッジを越えて、第２の金属のエッジまで延在する第２の部分とを有する。電界効果トランジスタデバイスのためのフィールドプレートを設けるために、第１の金属のエッジは、第２の金属のエッジよりもドレイン電極から離れている。 （もっと読む）

【課題】 ゲート空乏化が抑制され、より簡易な工程で製造することができる半導体装置を提供する
【解決手段】 本発明の半導体装置は、
半導体層１０と、
前記半導体層１０に設けられた絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０と、を含み、
前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０は、
前記半導体層１０の上方に設けられたゲート絶縁層２２と、
前記ゲート絶縁層２２の上方に設けられ、ゲート電極となる電極層２４と、
前記半導体層１０に設けられ、ソース領域またはドレイン領域となる不純物領域２８と、を含み、
前記電極層２４の平均結晶粒径は、３０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、該電極層２４の全体に不純物が分散している （もっと読む）

一体的に統合されたトレンチＦＥＴおよびショットキーダイオードを含む構造体であって、半導体領域内に伸張するゲートトレンチと、ゲートトレンチの各側面に位置し、実質的に三角形状のソース領域と、隣接するトレンチ間における半導体領域内部に伸長するコンタクト開口と、コンタクト開口を満たし、各ソース領域の傾斜した側壁部の少なくとも一部に沿ってソース領域と電気的に接触し、且つコンタクト開口の底部に沿って半導体領域と電気的に接触し、且つ半導体領域とショットキーコンタクトを形成する導電体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 低コストかつ簡易な工程でサブミクロンオーダのチャネル長を有する半導体装置を製造することができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】 基板２１０の上に第１絶縁膜２２０を形成した後（図３（ａ）参照）、該基板２１０の全面に、絶縁性材料を塗布し、ベーク・アニール処理を施すことにより、第２絶縁膜２４０を形成する。ここで、第１絶縁膜２２０の端部ｅを覆う第２絶縁膜２４０の膜厚Ｄ２は、他の部分の膜厚Ｄ３に較べて薄い。この膜厚差（Ｄ３−Ｄ２）によって生じる膜の収縮度合いの違いにより、第１絶縁膜２２０の端部ｅの直上に位置する第２絶縁膜２４０にスリットＳＴが形成される（図３（ｂ）参照）。このスリットＳＴを利用することで、スリットＳＴの幅に応じたサブミクロンオーダのゲート電極２５０を形成し（図３（ｃ）参照）、その後、ゲート電極２５０を挟んで対向配置されたソース領域及びドレイン領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 動作特性の温度依存性が小さく、窒化物系半導体デバイスの高温動作が可能であるという特徴を生かすことのできる窒化物系半導体デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一組の窒化物系半導体層のヘテロ接合５と少なくとも２つの電極Ｅからなり、前記一組の半導体層を構成する一の半導体層中に発生する２次元電子ガス層６を走行するキャリアが前記２つの電極の間を流れる電流となる窒化物系半導体デバイスにおいて、前記電極のコンタクト抵抗の温度依存性が負であることを特徴とする窒化物系半導体デバイス。 （もっと読む）

本発明は、半導体本体（１）内に配置された半導体デバイスであって、それぞれ第１導電型である少なくとも１つのソース領域（４）および少なくとも１つのドレイン領域（５）と、ソース領域（４）とドレイン領域（５）との間に配置された第２の導電型の少なくとも１つの本体領域（８）と、分離層（９）によって半導体本体（１）に対して分離されている少なくとも１つのゲート電極（１０）とを備えるデバイスに関する。前記分離層（９）は、それぞれナノ粒子の分離したコアおよび分極可能な陰イオンまたは分極可能な陽イオンのシースからなる分極可能な粒子を含む。分離層（９）は、高い誘電率εを示す。
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【課題】ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０への遷移金属群金属１２の堆積、基板１０と堆積金属１２の間で固相化学反応を起こし、基板１０中に基板１０とは異なる変質特性を有する変質層１４、および珪化物１８とナノ結晶グラファイト層１６からなる副生物を形成する基板１０の高温でのアニール、一もしくはそれ以上の固相化学反応の副生物を基板１０の表面から除去するための基板１０の選択的エッチング、オーミック接続を形成するための基板１０上の変質層１４を覆う遷移群金属からなる金属膜２０の堆積、を含んでいる。変質層１４は、金属膜２０の堆積後に高温のアニールを必要とせずに、オーミック接続の形成を可能とする。 （もっと読む）

本発明に係るトランジスタは、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲートが形成される。ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層がある。このスペーサ層上にはフィールドプレートがあり、活性領域の上のスペーサ上をドレイン電極に向かって延びる。このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。少なくとも１つの導電性経路が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。
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【課題】 複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードの逆方向リーク電流を減少させる。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１０上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ₂膜を形成した後、ＮＯガス雰囲気中で１２５０℃の温度で１時間熱処理を行うことで、ＳｉＯ₂膜を窒化してパッシベーション膜２３とする。窒化処理により、ＳｉＣとＳｉＯ₂との界面１５に残っていた炭素が除去されるとともに欠陥が不活性化され、界面準位密度が大きく低下する。それによって逆電圧印加時のリーク電流を減少させることができる。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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【課題】 複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードやｐｎ接合ダイオードの逆方向耐圧を改善する。
【解決手段】 ｎ型半導体であるＳｉＣ基板１０上に設けられたショットキー電極１１を取り囲むように、基板１０表面を被覆するパッシベーション膜２３の中に負の固定電荷を導入する。これにより、パッシベーション膜２３直下に薄い補助空乏層２４が形成され、ショットキー金属層１１直下の主空乏層１４の端部のコーナー部１５の曲がりが緩やかになるため電界集中が緩和され、逆方向耐圧が向上する。ＳｉＮ膜中に負の固定電荷を導入するには、成膜時のＳｉＨ₄ガスとＮＨ₃ガスとの流量比を適切に制御するだけでよいので特に面倒な工程の追加を要しない。 （もっと読む）

共振トランジスタは、基板と、基板上に形成されたソースおよびドレインと、入力電極と、カーボンナノチューブゲートとを含む。ソースとドレインとの間には、ギャップが形成されている。入力電極は、基板上に形成されている。カーボンナノチューブゲートは、その一端がコンタクト電極に固定され、ギャップおよび入力電極の真上に配置されており、片持ち支持されていることが好ましい。
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【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。
【解決手段】ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。ショットキ金属層１５は、金属窒化物層３２ｂを含む。より具体的には、ショットキ金属層１５は、多結晶金属層３２ａと、この多結晶金属層３２ａの表面および粒界に形成された金属窒化物層３２ｂとを有する金属窒化物含有多結晶金属層３２を有している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。
【解決手段】ショットキダイオードは、半導体基板１０と、この半導体基板１０にショットキ接触するショットキ金属層１５と、ショットキ金属層１５上に形成されたボンディングメタル層１６とを含む。ショットキ金属層１５は、金属窒化物層３２ｂを含む金属窒化物含有多結晶金属層３２からなるバリア層と、これに積層された金属層３１とを有している。 （もっと読む）