【課題】埋込み配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成して回収・配線を保護することができるようにする。
【解決手段】フィルタ３０５では取りきれない無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物を磁気力によって除去する磁気除去部３５６，３６２を有し、これにより、無電解めっき液中の微細な磁性浮遊物が、例えば絶縁膜等の表面に付着して異常析出物が生じることを防止し、しかも無電解めっき液の性質を一定にしてめっき反応を安定させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のソース／ドレインとゲートおよびウェル間の漏洩電流を低減する。
【解決手段】電界効果トランジスタ２は、ゲート電極４のいずれかの側面に配置された第１および第２ソース／ドレイン領域２８を備え、第１および第２ソース／ドレイン領域２８に挟まれた、ゲート電極４の直下に位置する半導体基板２４内に、チャネル領域２６が形成される。基板上にゲート酸化物層２２が形成される。ゲート電極４は、ゲート酸化物層２２の表面と接触しており、少なくとも第１導電体層１０および第２導電体層１２を備える。第１導電体層１０および第２導電体層１２は互いに異なる仕事関数を有する材料から構成されている。ゲート電極４の第１導電体層１０はゲート酸化物層２２表面の第１部分４０と接触しており、第２導電体層１２はゲート酸化物層の表面の第２部分４２と接触している。第１導電体層１０は、さらに第２導電体層１２と導電接続されている。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成する。
【解決手段】基板Ｐ上に配線パターン４１を形成する工程と、配線パターン４１の少なくとも一部上にスイッチング素子を形成する工程とを有し、配線パターン４１をメッキ処理により成膜する。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成可能とする。
【解決手段】基板Ｐ上に積層構造の配線４１、４２を形成する。基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１の上に液状体の液滴を吐出して配線本体Ｆ２を形成する工程とを有する。液状体は、銀を含む第１微粒子と、第１微粒子に添加され銀とは異なる第２微粒子とを含む。 （もっと読む）

【課題】 シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 第１の蒸着プロセスに係る処理空間に第１のプロセスガス組成を導入し、基板上に第１の膜を堆積させ、第１の処理空間よりサイズが異なる第２の処理空間に第２のプロセスガス組成を導入し、そして第２のプロセスガス組成から基板上に第２の膜を堆積させる基板上への蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、およびシステムである。このように、システムは、第１のボリュームを有する第１の処理空間を含む処理チャンバを有する。処理チャンバは、更に、第１の処理空間の少なくとも一部を含んで、第１のボリュームと異なる第２のボリュームを有する第２の処理空間を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴのソース・ドレイン電極とオーム性コンタクトをとるためには、ソース・
ドレイン領域に十分高い濃度を有するドーパントを与えることが必要となる。従来は、ド
ーパントの導入方法としてフォスフィン処理等を用いて全面に不純物を導入していた。そ
のため、チャネル部にも不純物が導入されてしまうという問題があった。そこで、チャネ
ル部へのドーパントの侵入を抑えられるＴＦＴの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０１上に下地保護膜１０２、Ｍｏ電極１０３を形成した後ドー
パントを含んだ液体シリコン１０４を塗布、乾燥させる。次にソース・ドレイン領域１０
７の部分のみを残してエッチングする。続けて熱処理を行い液体シリコン１０４をポリシ
リコン化させることで、高い濃度を有するソース・ドレイン領域１０８ａを有するＴＦＴ
を形成する。 （もっと読む）

【課題】スタンプ製造方法、それを利用した薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板との接触性が向上したスタンプ（Ｓｔａｍｐ）の製造方法を提供し、前記スタンプを利用して、基板上に帯電された領域を作った後に、前記帯電領域の電荷と反対電荷に帯電されたナノ物質を塗布又はメッキさせて、セルフアセンブリ（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）を介して自己組織化単分子膜（ＳＡＭ；ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成することによって、精密なナノパターンを有する薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供し、これによって素子の性能を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】裏面に極めて低抵抗なオーミック・コンタクトを有する炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主表面（表面）と表面に対向する第２の主表面（裏面）とを備える炭化珪素基板１と、表面側に配置された主要電極要素群と、裏面に接する非熱処理型オーミック電極９とを有し、非熱処理型オーミック電極９は、炭化珪素半導体装置が完成するまでに４５０℃を超える熱処理を被ることなく形成され、裏面の表層は、炭化珪素半導体装置の製造工程において形成される、接触抵抗を増大させる原因となる抵抗増大層を含まない。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の低抵抗化を図る。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、Ｎ型の半導体基板１に形成されたエピタキシャル層２と、前記エピタキシャル層２に形成されたＰ型の不純物拡散層３と、前記不純物拡散層３の表層から前記エピタキシャル層２の所定深さ位置まで形成されたトレンチ溝４と、前記トレンチ溝４内に絶縁層５を介して導電層が埋設されて成るゲート電極６と、前記不純物拡散層３の表層で、かつ前記トレンチ溝４の両側壁部に前記絶縁層５に隣接して形成されたソース層７と、前記エピタキシャル層２の表層から前記半導体基板１を貫通するように貫通孔１Ａが穿設され、この貫通孔１Ａ内に貫通電極構造を成すように形成されたドレイン層９と、前記半導体基板１の裏面に形成され、前記ドレイン層９の底部と電気的に接続された金属層１４とを具備したことを特徴とする （もっと読む）

【課題】 デバイスに適用されるにおいて好適な回路基板を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に導電性超微粒子のインクを塗布して配線層を形成した回路基板であって、焼結後の前記配線層は ０．１ｖｏｌ％から１０ｖｏｌ％の空孔を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜との密着性に優れ、ＰＭＯＳＦＥＴに適した閾値電圧が得られる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を備えたｐ型の電界効果トランジスタからなる半導体装置であって、ゲート電極１５は、少なくともゲート絶縁膜１４側がルテニウムとシリコンとを含む膜で構成されていることを特徴とする半導体装置である。また、ゲート電極１５を形成する工程では、堆積法により、少なくともゲート絶縁膜１４側にルテニウムとシリコンとを含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにする。
【解決手段】配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するめっき装置であって、基板カセットを置くカセットテーブル１２と、基板に対して濡れ性を良くするためのプリウェット処理を施すプリウェット槽２６と、該プリウェット槽でプリウェット処理を施した基板にめっきを施すめっき槽３４と、めっきされた基板を洗浄する洗浄装置３０ｂと、洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置３２と、めっき液の成分を分析し、この分析結果に基づいてめっき液に成分を追加するめっき液管理装置と、基板を搬送する基板搬送装置４０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】液相法を用いて形成され、さらに拡散による不都合を解消するとともに、平坦性をも有した金属配線とその製造方法、さらには拡散や平坦性の低下に起因する特性の低下を防止した薄膜トランジスタと、これを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上に液相法で形成された金属材料からなる主導電層６６、６７、８１と、主導電層６６、６７、８１上に液相法で形成されたキャップ層６８ａ、８２とを備えた金属配線３４、３５、８０ａである。キャップ層６８ａ、８２は、有機金属又は無機金属塩の溶液が主導電層６６、６７、８１上に配され、焼成されたことによって形成されている。金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。 （もっと読む）

【課題】 無電解メッキによりダイオードなどに金属層を製造する。
【解決手段】 金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ１０の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層１２を形成し、その上に金属層パターン１８を定めるレジスト層１６を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層１４を形成する。
湿式プロセスにより形成された金属層は、接着性に優れ、ワイヤボンディングパッドやフリップチップボンディングの電極層として好適である。 （もっと読む）

【課題】耐電圧、耐熱性、耐放射線性、及び高速性が優れ、かつ、チャネル領域を短くでき、素子の応答性が高いダイヤモンド半導体素子を高精度で製造できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のダイヤモンド半導体領域１の表面上に、絶縁膜２と電極金属層３と犠牲層４を積層し、この犠牲層４の上に、局所的にレジスト５をパターン形成する。そして、レジスト５をマスクとして、第１の犠牲層、電極金属層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去することにより、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、絶縁膜２と電極金属層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。その後、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、不純物がドープされた高濃度ドープ層７（第２及び第３のダイヤモンド半導体領域）を形成する。その後、犠牲層４をエッチングにより除去し、高濃度ドープ層７上に電極金属８を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高速化が可能な半導体装置に必要なＮｉ合金シリサイド層を形成する際に、所望の耐熱性を持つシリサイドを所望の領域に形成できるようにする。
【解決手段】半導体基板１００上にゲート電極１０３Ａ及び１０３Ｂを形成した後、半導体基板１００におけるゲート電極１０３Ａの両側及びゲート電極１０３Ｂの両側にそれぞれソース・ドレイン領域となる高濃度不純物拡散層１０９Ａ及び１０９Ｂを形成する。ゲート電極１０３Ａ上及び高濃度不純物拡散層１０９Ａ上に第１のニッケル合金シリサイド層１１３を形成する。ゲート電極１０３Ｂ上及び高濃度不純物拡散層１０９Ｂ上に第２のニッケル合金シリサイド層１１７を形成する。ニッケル合金シリサイド層１１３及び１１７をそれぞれ形成する工程において、半導体基板１００上にニッケル合金膜及びニッケル膜を順次堆積した後に熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＦＵＳＩゲート電極に達するコンタクト部と、ソース・ドレイン層に達するコンタクト部とで深さが異なることに起因する不具合を解消した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜４を厚さ方向に貫通して２つのソース・ドレイン層３４上層部のシリサイド層３５およびＦＵＳＩゲート電極３２にそれぞれ達する２つのＦＵＳＩコンタクト部４１が設けられている。ＦＵＳＩコンタクト部４１は、層間絶縁膜４を貫通するコンタクト開口部ＣＨ１内に、完全にシリサイド化されたＦＵＳＩコンタクト層４１１を充填して構成されており、ＦＵＳＩゲート電極３２と同じ高さを有している。 （もっと読む）

【課題】ウエハの降温速度を高める。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理室３２と、処理室３２に水素ガスを供給する水素ガス供給装置３９と、処理室３２に窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置８５と、処理室３２の水素ガスの濃度を検出する水素ガス濃度計４６と、排気ポンプ４２が設けられた第一排気ライン４１と、除害装置４８が設けられた第二排気ライン４７と、排気ポンプと除害装置４８を迂回したバイパス排気ライン４９とを備えたアニール装置１０において、アニール後に水素ガス濃度計４６が設定値よりも高い濃度を検出している時には第一排気ライン４１または第二排気ライン４７にて排気し、設定値以下を検出した時には第三排気ライン４９にて排気する。 （もっと読む）

【課題】含有される金属成分が溶剤に可溶で微細化及び薄膜化が可能であり、焼成時に有害物質が生成されることのない導電性ペーストを提供する。
【解決手段】焼成により基体上に導電膜を形成する導電性ペーストにおいて、金属元素Ｍ（形式酸化数 ＋ｍ）と有機酸基Ａ（イオン価数 −р）を含み、組成式がＡｘＭｙ（ＯＨ）ｚ・ｎＨ_２Ｏ（ｘ≧１、ｚ≧１、m×ｙ＝ｐ×ｘ＋ｚ、ｎ＝０以上の整数または半整数）で示される塩基性有機酸金属塩を金属成分として少なくとも含有する導電性ペーストである。 （もっと読む）