【課題】 電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は半導体装置に関し、特に半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置において、性能と耐圧だけでなく、半導体基板の機械的な強度も満足でき、また写真製版工程に際して露光装置等の調整の手間が不要な半導体装置を提供することを目的とする。
そして、上記目的を達成するために、第１の主面（ＭＳ１）とは反対側の第２の主面（ＭＳ２）に、側面（９１）および底面（９２）によって規定される凹部（９）を有した半導体基板（１）と、半導体基板（１）の凹部（９）の底面（９２）の表面内に配設された半導体領域（ＩＰ５）と、第２の主面（ＭＳ２）側の周辺領域１Ａの表面内に配設された半導体領域（ＩＰ４）と、凹部（９）の側面（９１）上に配設され、半導体領域（ＩＰ４）と（ＩＰ５）とを電気的に絶縁する絶縁膜（ＩＬ）とを備えている。
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本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、基板上に高誘電率ゲート誘電体層を形成する工程、高誘電率ゲート誘電体層上に障壁層を形成する工程、及び障壁層上に完全にシリサイド化されたゲート電極を形成する工程を有する。
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【課題】電気伝導度が高く、温度安定性に優れ、安価に生産できる有機ダイオードを提供する。
【解決手段】p−n接合を有する有機半導体ダイオード１０は、陽極１２、陰極１５、前記陽極１２に接触するホール輸送層１３、および前記陰極１５に接触する電子輸送層１４を含み、２つの輸送層は、互いに接触する。他の態様は、陽極、陰極および有機半導体層を含むショットキーバリア・ダイオードであり、前記半導体層は、ホールまたは電子輸送層のいずれかである。前記輸送層の少なくとも１つは、１つの結晶軸の方向に、分子間隔3．4±0．3Åを有する全体的に秩序ある結晶構造によって特徴づけられ、共役π系を有する少なくとも１つの多環式有機化合物を含む棒状超分子によって形成される。もう１つの態様は、電子ホールタイプの伝導性を有する有機半導体層を得る方法である。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に形成されるトランジスタの導電型によらず、移動度を向上させる。
【解決手段】 半導体装置は、シリコン基板１上にPMOSトランジスタ２と、NMOSトランジスタ３とを備えている。いずれのトランジスタも、シリコン基板１上に形成されるゲート絶縁膜４と、このゲート絶縁膜４上に形成されるゲート電極５ａ，５ｂとを有する。ゲート電極５ａ，５ｂは例えばタングステン（Ｗ）で形成されている。PMOSトランジスタ２のゲート電極５ａとNMOSトランジスタ３のゲート電極５ｂとに、互いに異なる応力を持たせる。 （もっと読む）

【課題】超伝導金属からなるソースドレイン電極を、高電子移動度トランジスタのＩｎＧａＡｓからなるチャネル層にオーミック接続し、ゲート電極を用いて超伝導電流を制御する半導体超伝導三端子素子を、より容易に製造できるようにする。
【解決手段】レジストパターン１２２をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ層１２８を選択的にエッチング除去し、ゲートコンタクト層１０８が形成されてエッチングストップ層１０６の上面が露出された状態とする。このエッチングでは、ＩｎＰに対してＩｎＡｌＡｓを選択的にエッチング除去できるエッチング方法を用いる。次に、レジストパターン１２２をマスクとし、露出しているエッチングストップ層１０６をエッチング除去し、この両脇にチャネル層１０５が露出された状態とする。このエッチングでは、ＩｎＧａＡｓに対してＩｎＰを選択的にエッチング除去できるエッチング方法を用いる。 （もっと読む）

炭化シリコンが、その表面に少なくとも１つの電源電極と、少なくとも１つのパッシベーション層とを有し、はんだ付け可能コンタクトが電源電極に形成され、かつパッシベーション層は、はんだ付け可能コンタクトを囲んでいるが、はんだ付け可能コンタクトから隔離されており、それによって隙間を形成している。 （もっと読む）

【課題】 高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。
【解決手段】 シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｉｇｈ−ｋ膜を用いたＭＩＳＦＥＴの電子移動度および正孔移動度を共に増加させ高性能の相補型ＭＩＳＦＥＴを形成する。
【解決手段】 シリコン基板１の表面部にｐウェル層２およびｎウェル層３が形成され、素子分離領域４により区画されたｎチャネルＭＩＳＦＥＴには、窒素添加のないｎチャネル界面層５、窒素添加のないｎチャネル高誘電体ゲート絶縁膜６およびｎチャネルゲート電極７が形成されている。そして、ｎ型ソース・ドレイン拡散層８が設けられている。これに対して、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴでは、窒素添加のｐチャネル界面層９、窒素添加のｐチャネル高誘電体ゲート絶縁膜１０およびｐチャネルゲート電極１１が形成されている。そして、ｐ型ソース・ドレイン拡散層１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】透光性が高く、低抵抗の透光性電極の製造方法。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、高キャリヤ濃度ｎ⁺層１０４、ｎ型層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８を順に積層して形成され、少なくとも酸素が存在する雰囲気下で電子線蒸着法又はイオンプレーティング法により形成され、後に焼成されて形成されたＩＴＯから成る透光性電極１１０を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板との密着性と導電性に優れ、簡易に形成された電極を有する、電極の高解像化が実現された薄層トランジスタ、及び、該薄層トランジスタを備えてなる電気的特性に優れたアクティブマトリックス型表示装置及び駆動用ＬＳＩチップのドライバ入出力配線の導電性が改良され、高解像度で配線が形成されてなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなる基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてパターン状にエネルギーを付与し、該基板上にパターン状のグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなる導電層をゲート電極１１０とし、該ゲート電極１１０上に、ゲート絶縁膜１１４、半導体膜１１８、ソース電極１２０、ドレイン電極１２２を順次備えてなる薄層トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】略規則性をもって配列されたチャネル形成領域構成微粒子と有機半導体分子との結合を有するチャネル形成領域を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ソース／ドレイン電極１４、チャネル形成領域１５、ゲート絶縁層１３及びゲート電極１２を備え、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４間に位置する支持体１１の部分とチャネル形成領域１５との間には、下地層３０が形成され、下地層３０は電気的絶縁材料から成る下地層構成微粒子３１が略規則性をもって配列されて成り、チャネル形成領域１５は、導体又は半導体から成るチャネル形成領域構成微粒子２１と、該チャネル形成領域構成微粒子２１と結合した有機半導体分子２２とによって構成された導電路２０を有し、下地層３０の微粒子配列状態に基づき、チャネル形成領域構成微粒子２１が略規則性をもって配列されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 積層膜或いは連結膜を簡便且つ確実に得ることが可能な膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、基板Ｐ上に、相対的に膜厚の小さい薄膜部３２と相対的に膜厚の大きい厚膜部３３とを有する段差構造を備え、前記薄膜部３２が前記厚膜部３３により取り囲まれてなる構成のバンク３５を形成するバンク形成工程と、前記薄膜部３２により囲まれた領域に対して第１機能液１０を配置する第１配置工程と、配置した第１機能液１０を乾燥して第１機能膜１１を得る乾燥工程と、前記乾燥工程の後、前記薄膜部３２を選択的に除去する薄膜部除去工程と、前記薄膜部３２の除去後、残存するバンクにより囲まれた領域に対して第２機能液を配置する第２配置工程と、配置した第２機能液を乾燥して第２機能膜を得る乾燥工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 触媒材料をパターニングすることなく、従って基板上の他の部分にダメージを与えたり、当該触媒材料が汚染されたりすることなく、容易且つ確実に基板上の任意の形状・面積の所定領域にＣＮＴを成長させる。
【解決手段】 シリコン基板１上の所望部位にＴｉ膜２をパターン形成し、Ｔｉ膜２を覆うように基板１上にＣｏ膜３を形成する。そして、熱ＣＶＤ法により６００℃程度でＣｏ膜３表面のうち、下部にＴｉ膜２の形成された部位のみにＣＮＴ４を形成する。ＣＮＴ４の長さはＴｉ膜２の厚みを調節することにより制御できる。 （もっと読む）

後に酸素含有環境に晒されるときに下地の金属層の特性及び形態を維持する不動態化された金属層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１）内に基板（５０、３０２、４０３、５１０）を設置する工程、化学的気相堆積法にて基板（５０、３０２、４０３、５１０）上にレニウム金属層（３０４、４０８、５８０）を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板（５０、３０２、４０３、５１０）を晒す工程、及びレニウム金属表面でのレニウム含有ノジュール（３０６）の酸素誘起成長を抑制するために、レニウム金属層（３０４、４０８、５８０）上にパッシベーション層（４１４、５９０）を形成する工程を有する。
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【課題】 金属ゲート電極、金属ソース領域および金属ドレイン領域を備え、電流駆動能力を高めた電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 ソース領域２６、ドレイン領域２８、およびゲート電極３１ｎ、３１ｐをシリサイド等の金属材料により構成し、ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ２４ｎでは、ゲート電極３１ｎの仕事関数Ｗｇとソース領域２６の仕事関数Ｗｓとの関係がＷｇ＜Ｗｓであり、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴ２４ｎでは、ゲート電極３１ｐの仕事関数Ｗｇとソース領域２６の仕事関数Ｗｓとの関係がＷｇ＞Ｗｓであるように金属材料を選択する。
【効果】 ソース領域２６とチャネル領域２９との界面のバリア高さが低下し、チャネル領域２９のキャリア濃度が向上し電流駆動能力が向上する。 （もっと読む）

【課題】 微粒子とこの微粒子に結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、その導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置及びその製造方法であって、デバイス構造を工夫することによって性能が向上した半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 金などの微粒子１０と、この微粒子に結合した有機半導体分子１３との結合体を電極２の上に層状に形成し、電極２の反対側の結合体層の面上に電極６を設け、電極２と電極６との間の結合体層の膜厚方向に形成された導電路の導電性を、ゲート電極４を通じて制御する縦型電界効果トランジスタを形成する。上記結合体層では微粒子１０と有機半導体分子１３とが交互に結合したネットワーク型の導電路が形成される。この導電路では、有機半導体分子内の導電路が微粒子内の導電路によって連結され、有機半導体分子内の移動度を最大限に利用することができる。 （もっと読む）

（ａ）（ｉ）モノマーを含む前駆物質をプラズマ重合すること、および（ｉｉ）モノマーのインターポリマー化単位のポリマーを１つ以上含むターゲットからスパッタリングすることからなる群から選択されたプラズマによる堆積技術を用いて、実質的にフッ素化されていないポリマー層を誘電体層上に堆積する工程であって、前記モノマーが芳香族モノマー、実質的に炭化水素のモノマー、およびそれらの組合せからなる群から選択される工程と、（ｂ）有機半導体層を前記ポリマー層に隣接して堆積する工程とによる、電子デバイスの製造方法。
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【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）