【課題】 所望の高さの隔壁を容易に形成することができる隔壁形成技術等を提供する。
【解決手段】 第１層間絶縁膜１４０の上に形成されるパターニング用のレジスト膜１５０を厚く形成することにより、パターニング用のマスクとして利用するだけでなく、隔壁としても利用する。まず、有機材料からなるレジスト材をインクジェット装置などを用いて第１層間絶縁膜１４０の上に全面塗布する。次に、レジスト膜１５０（レジストマスク）を利用して第１層間絶縁膜１４０をエッチングする。この第１層間絶縁膜１４０をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極１６０を形成するための隔壁として利用する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】 ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型化合物の半導体層１０２、活性層１０４及びｐ型化合物の半導体層１０６を備える化合物半導体発光素子のｐ型化合物の半導体層１０６上に形成される反射電極２６において、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面の一部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層２１と、オーミックコンタクト層２１、及びオーミックコンタクト層２１により覆われていないｐ型化合物の半導体層１０６の上面を覆う反射電極層２５と、を備え、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面に、反射電極層２５とｐ型化合物の半導体層１０６とが直接コンタクトされるコンタクト領域１１ａ、１１ｂが設けられた化合物半導体発光素子の反射電極２６、及び反射電極２６を備える化合物半導体の発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＬＩＳの更なる高集積化に伴って要求されている超微細化孔への埋め込み特性や、精密な段差被覆性の実現が可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって基体上に金属原子含有薄膜を製造する方法であり、基体にパルスバイアス電圧を印加しながら該金属原子含有薄膜を形成する薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
従来のメタルゲート技術では、nMOSFET及びpMOSFETのゲート電極が異なる金属で形成さ
れ、製造プロセスが複雑化するという問題があった。本発明では、nMOSFETとpMOSFETで同
一のメタルゲート有し、集積化容易なCMOS半導体装置を提供する。
【解決手段】
nMOSFET、pMOSFETから形成される半導体装置において、nMOSFET、pMOSFETの前記金属ゲ
ート電極は、Ti、Zr、Hf、Ta及びLa等の希土類金属元素、もしくはこれら金属のボライド
、シリサイド、ジャーマナイド化合物のいずれか一つの同一の金属材料からなり、nMOSFE
T及びpMOSFETの前記絶縁膜の少なくとも金属電極側は異なる絶縁膜材料としたことを特徴
とする。 （もっと読む）

【課題】
寄生抵抗を低減した電界効果トランジスタを提供し、素子の性能および信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
基板上に、窒化物半導体からなるチャネル層１３と、チャネル層１３上に位置し窒化物半導体からなる電子供給層１４とを含む積層体を有し、この積層体表面にソース電極１６、ドレイン電極１７及びゲート電極１８を備えた電界効果トランジスタであって、チャネル層１３において、ソース電極１６及びドレイン電極１７各々の下のｎ型不純物濃度が、ゲート電極１８の下のｎ型不純物濃度よりも高く、電子供給層１４において、ソース電極１６及びドレイン電極１７各々の下のｎ型不純物濃度が、ゲート電極１８の下のｎ型不純物濃度よりも高い電界効果トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素ＴＦＴ、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置において、基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線表面に接触した際の接触抵抗を低減しうる配線構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ポリマー及び有機高分子、電着され得て特定の金属の中にある固体、最終的に沈殿又は重力により堆積され得る固体を表面に確実に位置決めし、その材料を表面に付着させる共通のプロセスを提案すること
【解決手段】本発明は、表面上に材料を堆積又は付着することに関する。本発明は、第１材料及び第２材料による表面の被覆プロセスに関し、次の諸工程を含む：
− 前記表面上に前記第１材料をする工程、
− 前記表面上に配置された前記第１材料の中に前記第２材料の前駆体分子を挿入する工程、
− 被覆された前記表面上で、且つ前記表面上に配置された前記第１材料内部に前記第２材料が形成されるように、前記第１材料の中に挿入された前記第２材料の前駆体分子を前記第２材料へ転化する工程。
本発明のプロセスの目的は、あらゆるタイプの表面上にあらゆるタイプの材料を堆積することである。
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【課題】 有機材料層等の上に、２つ以上の金属部を狭い間隔で作製する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１層の有機材料層５上に、少なくとも２つの金属部６であって、該金属部間の最短距離が０より大きく１００μｍ以下である金属部６を作製する方法であって、基板表面から上方に伸長する立上部と、該立上部から延長してさらに前記基板上の空間を２分するように横断する横断部とから少なくとも構成されるブリッジ構造４を備えた基板を採用し、該基板上に前記２分された基板表面と前記横断部下の基板表面を連続的に覆うように有機材料５を蒸着させる工程と、該蒸着後に前記横断部より上方の一定方向から前記有機材料上に金属６を蒸着させる工程とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 耐マイグレーション性に優れ、かつ比抵抗を低下させて導電性を向上させることができる導電材を提供することを目的とする。
【解決手段】 隣接する導電粉１０のＡｕのメッキ被膜１２どうしが多数の箇所で接して、複数の導電粉１０が、Ａｕのメッキ被膜１２どうしを介して強い力で凝集し、１つの導電塊２０を形成する。
このようにすると、Ａｕのメッキ被膜１２どうしが効率よく接し、Ａｕのメッキ被膜１２どうしの接触率が大きくなる。その結果、導電粉１０の凝集密度を高くできるともに、隣接する導電粉１０間では、メッキ被膜１２どうしの接触面積が大きくなり、導電粉１０間の接触抵抗を低下させることができ、導電材の比抵抗を低くできる。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ波の強度が小さいこと。
【解決手段】半導体基板５と、ナノワイヤ状の半導体層４と、絶縁膜７と、複数のゲート電極１と、ドレイン電極３と、ソース電極２を含み、半導体層４に励起されたプラズマ波の波長の周期でゲート電極１を配置し、ゲート電極のゲート長を周期の１／４とすることでプラズマ波の強度がゲート電極の本数倍される。 （もっと読む）

【課題】 順方向の電圧降下が低く、逆方向電圧に対する耐圧および静電気サージ耐量が優れたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ドライエッチングにより凹部３を形成し、凹部３を含む低濃度Ｎ型エピタキシャル層２の表面を熱酸化した後に、高濃度Ｐ型ガードリング７を形成する。高濃度Ｐ型ガードリング７に熱を加えることがないため、高濃度Ｐ型ガードリング７を必要以上に拡散させることなく、低濃度Ｎ型エピタキシャル層２の表面のダメージを除去することができる。これにより、ＳＢＤの逆方向電圧に対する耐圧を低下させることなく、静電気サージ耐量を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳとが同一基板上に形成されたものであって，熱が局所的に集中して発生することを抑制し，高耐圧かつ低オン抵抗であり，製造が容易な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置２００は，ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり，ショットキ領域とＭＯＳ領域とがトレンチゲート２１を境界として交互に配置されている。さらに，Ｎ^- ドリフト領域１２中に濃度が異なる３つの領域（Ｎ^- ドリフト領域１２ｓｍ，Ｎ^--ドリフト領域１２ｓ，Ｎドリフト領域１２ｍ）を設けることとしている。具体的に，ショットキ領域に位置するＮ^--ドリフト領域１２ｓは低濃度の領域とし，ＭＯＳ領域に位置するＮドリフト領域１２ｍは高濃度の領域とする。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面を、金属材料から作られる核生成フィルムで被覆する方法に関し、前記表面は、導電性又は半導電性表面であり、凹部及び／又は凸部を含む。 本発明方法は、有機フィルムを表面上に蒸着する工程であって、前記フィルムの厚さが、その自由面が、導電性又は半導電性表面（その上に、フィルムが蒸着されている）の凹部及び／又は凸部に共形的にならうものから成る工程；金属材料の前駆体を、表面上に蒸着した有機フィルムに挿入する工程であって、前記表面上に有機フィルムを蒸着させることから成る工程と同時の又はその後に続く工程；及び金属材料の前駆体を金属材料に変換する工程にある。 本発明方法は、集積回路、超小型電子相互接続及びマイクロシステムの製造のために使用することができる。
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【課題】 ゲート誘電体等の誘電体の上に直接ゲート金属または他の導体材料または半導体材料を電気めっきするための方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、基板、誘電体の層、および電解液または溶融物を選択することを含み、基板、誘電体層、および電解液または溶融物の組み合わせによって、基板から誘電体層を介して電解液または溶融物へと電気化学電流を流すことができる。また、誘電体貫通電流を用いて誘電体の電気化学的な変更を行うための方法も提供する。 （もっと読む）

互いに重ねて堆積させたいくつかの金属層（８,９,１３；８,１２,１３）として形成したゲート電極（１５,１６）を有するＭＯＳトランジスタを備える半導体デバイスの製造方法。この方法では、シリコン本体（１）に、ゲート誘電体層（７）を備えるシリコン活性領域（４,５）およびこれらの領域を互いに絶縁するフィールド分離領域（６）を形成する。次いで、第１の金属層（８）を堆積させ、活性領域（４）の一部の位置でその層中に局所的に窒素を導入する。次いで、第１の金属層上に第２の金属層（１３）を堆積させ、その後それらの金属層中にゲート電極をエッチングする。第１の金属層中に窒素を導入する前に、第１の金属層上に窒素透過性の第３の金属補助層（９）を堆積させる。したがって、その下にあるゲート電極に損傷を与える危険なく、第１の金属層を窒化することができる。金属の仕事関数を実質的に変えることが可能であるとともに、ＮＭＯＳおよびＰＭＯＳを備える半導体デバイスが実現される。
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【課題】熱処理過程でのゲート電極下部のシリコン層の損傷を防止した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層２２の両側をドーピングして形成されたソース２８とドレイン２９、シリコン層２２の上面中心に部分的に形成された絶縁層２５、及び絶縁層２５上に形成されたゲート電極２６を含む薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極２６は、耐熱性材料よりなる第１ゲート電極２６ａと第１ゲート電極２６ａ上に形成され、光反射性金属よりなる第２ゲート電極２６ｂで構成された複層構造の電極である。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）