【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長法により堆積させたＳｉＣ層の表面から深い位置に形成された結晶欠陥でも、確実に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。結晶欠陥１１のある部分は、レジスト膜１２は露光されないため、開口が形成される。その開口部内にイオン注入することで、エピタキシャル層２、半導体基板１を高抵抗化し、結晶欠陥を除去する。最後に、レジスト膜１２を除去することで、半導体装置を形成することができるＳｉＣ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この製造方法は半導体基板上に絶縁膜を形成する第１工程と、前記絶縁膜の所定領域内に選択的に不純物イオンを注入して前記絶縁膜の前記所定領域内に格子欠陥（ｌａｔｔｉｃｅ ｄｅｆｅｃｔｓ）を生成する第２工程とを含む。さらに、格子欠陥を有する絶縁膜を熱処理して前記所定領域内の格子欠陥の生成を加速する第３工程を含む。その結果、前記所定領域内に電流通路（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈｓ）を有する導電性の領域が形成される。前記第３工程は前記絶縁膜を少なくとも２０℃／ｍｉｎ以上の温度変化率で急冷する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アモルファス酸化物を用いた薄膜トランジスタが、近紫外光がチャンネルに入射することで、ＴＦＴのトランジスタ特性（Ｉｄ−Ｖｇ特性）が変動する場合に、ＴＦＴ特性のばらつきを防止する、迷光の照射に伴う特性変動が小さい、酸化物からなる半導体膜をチャンネルに適用した電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体からなるチャンネル層１１とオキシナイトライドからなるソース電極１３及びドレイン電極１４を有している。これにより、ソース電極１３、ドレイン電極１４から近紫外光がチャンネル層１１に入りこむことがないため、光に対して比較的安定なＴＦＴを実現できる。さらに、チャンネル層１１とソース電極１３、ドレイン電極１４との間で、安定な電気接続が可能となり、素子の均一性、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。
【解決手段】ｐ型の層構造部において窒化チタン膜が露出するまでエッチングを行い、その後窒素ガスのプラズマを基板に供給し、ｎ型のトランジスタを形成するための層構造部におけるポリシリコン膜を窒化することによって、当該ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機スイッチングデバイスまたは部分有機スイッチングデバイスを形成する方法である。
【解決手段】前記方法は、少なくとも１つのパターニング層を含む電気デバイスを基板上に形成する方法であって、前記基板上の第１の材料層を光ビームに露光して、前記第１の層の物理的特性を改変するように、前記第１の層のパターニングを行う工程を含み、前記光ビームの一部は、前記基板上の事前堆積されたパターンによってブロックまたは減衰され、これにより、前記光がブロックまたは減衰されない領域においてのみ前記基板上の第１の層を改変する、方法である。 （もっと読む）

本発明は、自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。本発明によれば、基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成する。次いで、基板の下部側でゲート電極をマスクとして用いて、第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行した後、第２導電膜を現像することで、ゲート電極と自己整合され、ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成する。次いで、ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成する。本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程が単純になる。
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【課題】材料費、工程数を低減しその結果歩留まりを向上させ、コストを低減する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。半導体層の画素電極となる部分は、半導体領域よりも抵抗率が低い。また、保持電荷蓄積容量部にも抵抗率の低い領域を用いることができる。加えて、電極を延設し配線として用いることもできる。光制御素子はエレクトロルミネッセンス素子、液晶セル、電気泳動型粒子セル等を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 安定したパターン形成を可能にする、導電性パターン形成方法の提供。
【解決手段】
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する基板を用いて半導体装置の大量生産を行う場合、ステッパを製造プロセスに用いない半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜に対して、光制御手段、具体的には電気光学装置を介してレーザ光の照射を選択的に行ってアブレーションを生じさせることで薄膜を部分的に除去し、残存させた領域の薄膜を所望の形状とする。電気光学装置は、半導体装置の設計ＣＡＤデータに基づく電気信号を入力することで可変のマスクとして機能する。 （もっと読む）