【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた新たな半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板（例えば絶縁表面を有する基板）と、基板上の第１の電極層と、その一部が第１の電極層上に存在する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の側面を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の開口部において、酸化物半導体層と電気的に接続した第２の電極層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層の側面に電圧を印加する第３の電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率、発光効率などの光−電気変換特性に優れかつ、光−電気変換特性の安定性に優れる有機エレクトロニクス素子およびその製造方法を提供することにあり、特にフレキシブル基板に好適に用いることができ、光電変換効率、発光効率などの光−電気変換特性に優れかつ、光−電気変換特性の安定性に優れる有機エレクトロニクス素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明支持体11上に第一の電極12を有し、該第一の電極上に有機層を有し、該有機層上に第二の電極14を有する有機エレクトロニクス素子10であって、該第一の電極は透明導電層と、ネット状であり、その開口部が不規則なパターンを有する形状である補助電極とを有することを特徴とする有機エレクトロニクス素子。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層と導電性基板との密着性の低下を低減できる、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】基板１１を準備する。基板１１は、窒化ガリウム系半導体を堆積可能な第１の面１１ａと第２の面１１ｂとを有する。基板１１は、窒化ガリウム系半導体と異なる材料からなる支持体１３を含む。基板１１の第２の面１１ｂには支持体が露出されており、第２の面１１ｂには溝１５の配列が形成されている。一または複数の窒化ガリウム系半導体層を含む半導体領域を基板１１の第１の面１１ａ上に成長して、エピタキシャル基板Ｅを作製する。基板１１の第１の面１１ａと導電性基板３３との間に半導体領域１７が位置するようにエピタキシャル基板Ｅに導電性基板３３を張り付けて、基板生産物３５を作製する。この後に、第２の面１１ｂにレーザ光を照射してレーザリフトオフを行う。 （もっと読む）

【課題】移動体通信装置用半導体装置（ＲＦパワーモジュール）の電力付加効率を向上させる。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴのゲート電極７とｎ^＋型ドレイン領域１５との間に介在するオフセットドレイン領域を二重オフセット構造とし、ゲート電極７に最も近いｎ⁻型オフセットドレイン領域９の不純物濃度を相対的に低く、ゲート電極７から離間したｎ型オフセットドレイン領域１３の不純物濃度を相対的に高くする。これにより、オン抵抗（Ｒｏｎ）と帰還容量（Ｃｇｄ）を共に小さくすることができるので、増幅素子をシリコンパワーＭＯＳＦＥＴで構成したＲＦパワーモジュールの小型化と電力付加効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】伝送線路の損失を低減することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、表面から裏面までを貫通するビアホール１０７が設けられたサファイア基板１０１と、サファイア基板１０１の表面に形成されたＡｌＧａＮ／ＧａＮエピタキシャル成長層１０２内の導電層をチャネルとするＨＦＥＴ１０６と、サファイア基板１０１の裏面に形成され、ビアホール１０７を介してＨＦＥＴ１０６と電気的に接続された入力側信号線１０９及び出力側信号線１１０と接地電極１０８とから構成されるコプレーナ型伝送線路とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の安定化を図ることができるとともに、半導体装置の耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２の活性領域Ａでは、半導体層４の上側の少なくとも一部に第１絶縁層１８が形成されている。第１絶縁層１８は、半導体層４が有するダングリングボンドを終端させる終端材料を含んでいる。耐圧領域Ｂでは、半導体層４の上側に第１絶縁層と異なる材料からなる第２絶縁層２０が形成されており、第１絶縁層１８は形成されていない。そして、第２絶縁層２０が第１絶縁層１８より絶縁度が高くされている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置を提供するに際し、酸化物半導体層と電極層との接触抵抗を低減することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上方の第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と、ゲート絶縁層上方の酸化物半導体層と、酸化物半導体層、および第１のソース電極層または第１のドレイン電極層上方の第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層の下面は、ゲート電極層と重畳する領域においてゲート絶縁層と接しており、且つ、少なくとも他の一部の領域において第１のソース電極層または第１のドレイン電極層と接しており、酸化物半導体層の上面は、その一部の領域において第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と接しており、第１のソース電極層または第１のドレイン電極層は、第２のソース電極層または第２のドレイン電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物の半導体層の少なくとも一方の表面に半導体層との接着性が向上した積層電極を提供すること。
【解決手段】 積層電極形成方法は、第１工程と第２工程と第３工程を備えている。第１工程では、半導体層８０の裏面８２に、Ｍｇ又はＣｒの第１金属膜３８を形成する。第２工程では、その第１金属膜３８上に、Ａｌの第２金属膜３６を形成する。第３工程では、その第２金属膜３６上に、Ｃｕの第３金属膜３４を形成する。 （もっと読む）

シリコン太陽電池を含む光電池と、このような光電池を作製するための方法と組成物が提供される。ｐ型シリコンベースとｎ型シリコン層を有するシリコン基板に、窒化シリコン層、窒化シリコン層と接触する交換金属および、交換金属と接触する非交換金属が提供される。このアセンブリを焼成して、シリコン基板上に金属シリサイドの接点と、金属シリサイドの接点と接触する導電性金属電極を形成する。交換金属はニッケル、コバルト、鉄、マンガニーズ、モリブデンおよびそれらの組み合わせからのものであり、非交換金属は銀、銅、錫、ビスマス、鉛、アンチモン、ヒ素、インジウム、亜鉛、ゲルマニウム、金、カドミウム、ベリリウムおよびそれらの組み合わせからのものである。
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【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。 （もっと読む）

【課題】基板が薄型化されるとともに、微細パターンからなる半導体領域が形成された半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１にＮ型エピタキシャル層２を形成した後、ステッパーによるフォトリソグラフィー法を用いて微細パターンからなるＰ型不純物領域３、４及び表面オーミックコンタクト電極５を形成する工程と、表面オーミックコンタクト電極５を覆うように保護膜を形成し、前記保護膜の平坦化を行う工程と、ＳｉＣ単結晶基板１を薄くする基板薄型化工程と、ＳｉＣ単結晶基板１に裏面オーミックコンタクト電極７を形成する工程と、Ｐ型不純物領域３、４及び表面オーミックコンタクト電極５と接続されたショットキー金属部８を形成し、ショットキー金属部８を覆う表面パッド電極９を形成する工程と、を具備する半導体デバイス１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】耐圧に優れ、強度の高いIII−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明の構造では、第１のソース電極１０６がバイアホール１１２を介して導電性基板１０１に接続されており、また、第２のソース電極１１０が形成されている。これにより、ゲート電極１０８とドレイン電極１０７との間に高い逆方向電圧が印加されても、ゲート電極１０８のうちドレイン電極１０７に近い側の端部に起こりやすい電界集中を効果的に分散または緩和することができるため、耐圧が向上する。また、素子形成層を形成する基板として導電性基板１０１を用いているため、導電性基板１０１には裏面まで貫通するバイアホールを設ける必要がない。したがって、導電性基板１０１に必要な強度を保持したまま、第１のソース電極１０６と裏面電極１１５とを電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内に縦型のスイッチング素子群が設けられている半導体装置において、スイッチング素子領域内の局所的な温度上昇を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００の半導体基板内に、縦型のスイッチング素子群が設けられているスイッチング素子領域５０を備えている。スイッチング素子領域５０は、第１領域５１と第２領域５２を有している。第１領域５１には、バイポーラ構造の第１スイッチング素子群が設けられている。第２領域５２には、ユニポーラ構造の第２スイッチング素子群が設けられている。第２スイッチング素子群は、第１スイッチング素子群の間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】 マルチゲートＭＩＳＦＥＴからなる高移動度のｎＦＥＴ及びｐＦＥＴの双方の移動度を向上させる相補型半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上にｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタが形成された相補型半導体装置であって、ｎチャネルＭＩＳトランジスタ及びｐチャネルＭＩＳトランジスタが、基板１０の主面に平行な面内に引っ張り歪みを有する第一の半導体層と圧縮歪みを有する第二の半導体層とが交互に積層され、基板１０の主面に対して突出した積層構造と、積層構造の対向する両側面を覆うように形成されたゲート絶縁膜８０と、ゲート絶縁膜８０を介して前記積層構造を覆って形成されたゲート電極３０と、ゲート絶縁膜８０とゲート電極３０をはさんで対向し、積層構造の両端に形成されたソース／ドレイン領域２０と、を有することを特徴とする相補型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光変換効率の向上。
【解決手段】太陽電池は、少なくとも一面に凹凸パターンが形成された半導体基板と、第１濃度を有する第１部分および前記第１濃度より高い第２濃度を有する第２部分を含み、凹凸パターン上に形成された第１不純物層と、第１不純物層の第２部分に接触し、第１不純物層の第１部分には接触しない位置に形成された第１電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合可能な上側電極と下側電極を有する半導体装置を好適に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 上側電極４６と下側電極４８を有する半導体装置１０を製造する方法であって、半導体基板１００の上面にオーミック接触する上側オーミック金属層４６ｅを形成する上側オーミック金属層形成工程Ｓ４と、半導体基板１００の下面にオーミック接触する下側オーミック金属層４８ｆを形成する下側オーミック金属層形成工程Ｓ１０と、メッキ法によって、上側オーミック金属層４６ｅの表面と下側オーミック金属層４８ｆの表面に、ニッケルと銅の少なくとも一方を含む表面金属層４６ｃ、４８ｄを形成する表面金属層形成工程Ｓ１２を有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）