【課題】長期にわたって信頼性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の一方の面に第１表面電極２を形成し、第１表面電極２が形成された基板１の表面にレジスト組成物を塗布し、プリベークしてレジスト膜１０を形成し、該レジスト膜１０を貫通して第１表面電極１上にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内にコンタクト電極４を形成し、第１表面電極２が形成された基板の表面に、熱膨張率が２ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃未満の第１絶縁膜３ａを形成し、次いで、該第１絶縁膜３ａ上に熱膨張率が７ｐｐｍ／℃以上２４ｐｐｍ／℃以下の第２絶縁膜３ｂを積層して絶縁膜３を形成し、コンタクト電極４を介して絶縁膜上に第２表面電極５を形成し、第１表面電極２、第２表面電極５及び絶縁膜３が形成された基板の裏面側を支持体に固定し、第１表面電極側からダイシングして素子ユニットを分離して半導体素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極とチャネル領域を挟んで対向する第２のゲート電極とを有するデュアルゲート型の薄膜トランジスタのチャネル領域の形成方法において、結晶粒の間に非晶質半導体が充填される微結晶半導体膜を形成する第１の条件で第１の微結晶半導体膜を形成した後、結晶成長を促進させる第２の条件で、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。
【解決手段】半導体層１に、半導体層１の電子親和力と同程度かそれ以下の仕事関数の材料よりなる第１の導体電極３ａ、第２の導体電極３ｂを接して設け、さらに、半導体層１のゲートの形成された面と逆の面に接して、半導体層１の電子親和力より大きな仕事関数の材料で、半導体層を横切るようにして、第３の導体電極２を形成することにより、半導体層中にショットキーバリヤ型の接合を形成し、この部分のキャリア濃度が極めて低いことから、オフ電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 （もっと読む）

【課題】耐圧劣化を防止するとともに低コストで製造可能な構造を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、基板上に形成される炭化珪素からなる第１導電型の半導体層と、半導体層の表面に形成される活性領域と、活性領域を取り囲むように、半導体層の表面に形成される第２導電型の第１の半導体領域と、半導体層の表面に第１の半導体領域の外側に接し、第１の半導体領域を取り囲んで設けられ、第１の半導体領域と同一の不純物濃度および同一の深さを有する第２導電型の不純物領域がメッシュ形状に形成される第２の半導体領域と、活性領域上に設けられる第１の電極と、半導体基板の裏面に設けられる第２の電極を備えることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極またはドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端面よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含み、第２の導電層の伸長した領域の上に、前記伸長した領域のチャネル長方向の長さより小さいチャネル長方向の長さの底面を有するサイドウォール絶縁層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）

電気的浸透性ソース層を含む半導体デバイス及びこれの製造方法に対する様々な実施例が与えられる。一実施例では、半導体デバイスは、ゲート層、誘電体層、メモリ層、ソース層、半導体チャネル層、及びドレイン層を含む。ソース層は電気的浸透性及びパーフォレーションを有する。半導体チャネル層はソース層及びメモリ層と接触する。ソース層及び半導体チャネル層は、ゲート電圧チューナブル電荷注入バリアを形成する。
（もっと読む）

【課題】半絶縁性基板に形成されたゲートパッドにマイナスの電圧が印加され、半絶縁性基板の裏面に形成された裏面電極にプラスの電圧が印加されても、リーク電流を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】裏面電極１０が形成された半絶縁性基板１１の表面上に並列に形成された、複数のゲート電極１５がゲート電極接続部２１に接続されるとともに、このゲート電極接続部２１が複数に分割された半導体装置であって、ゲート電極接続部２１間の半絶縁性基板１１の表面に形成されたｎ型の抵抗層２２と、このｎ型の抵抗層２２の周囲を覆うように、ｐ型不純物層２３と、このｐ型不純物層２３の周囲を覆うように、所望の濃度で形成されたｎ型不純物層２４と、を具備し、ゲートパッド２９は、ゲート電極接続部２１と、このゲート電極接続部２１に隣接するｎ型の抵抗層２２上の引き出し電極２５とを接続するように形成される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素を材料とするＳｉＣ半導体基板にオーミック接合するオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】 オーミック電極は、鉄（Ｆｅ）を主成分とするＦｅ系電極層を含んでいる。Ｆｅ系電極層は、オーステナイトもしくはマルテンサイトを少なくともその一部に有しているため、カーボンを固溶して取り込むことができる。Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をリードフレームに固着するためのペーストや半導体基板によって生じる寄生抵抗を低減する。
【解決手段】半導体基板裏面に裏面電極が形成され、リードフレームに固着されている半導体装置において、リードフレームの表面には凹凸構造が形成されており、凹部に入っているペーストにより、リードフレームの凸部を裏面電極に直接固着することで寄生抵抗を下げ、半導体装置の駆動能力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素半導体装置を、表面構造形成工程を前に、裏面構造形成工程を後に実施する製造方法によって製造し、かつ、炭化ケイ素半導体装置の特性を確保する。
【解決手段】表面電極と、裏面電極とを備えた炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、表面電極の材料となる表面電極材料層を半導体基板に接して成膜する表面電極材料層の成膜工程と、表面電極材料層をアニール処理する第１アニール工程と、を含む表面構造形成工程と、裏面電極層の材料となる裏面電極材料層を半導体基板に接して成膜する裏面電極材料層の成膜工程と、裏面電極材料層にレーザ照射を行って、裏面電極材料層と半導体基板とをオーミック接合させる第２アニール工程と、を含み、表面構造形成工程の後に行われる裏面構造形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを有する半導体デバイスを、経済的に製造できるようにする。
【解決手段】半導体デバイス１０は、半導体基板１２と、該半導体基板の表面上にあり、半導体基板の解離温度未満の解離温度を有するエピタキシャル層１４と、半導体基板内に形成された漸増キャリヤー濃度帯１６と、金属層１８とから構成される。漸増キャリヤー濃度帯は、約１０００Åの厚さを有し、エピタキシャル層と反対の半導体基板の表面から該表面と反対側の表面に向かって伸びており、該反対側の表面に向かってドーパントの濃度が漸次低下している。金属層は、漸増キャリヤー濃度帯との境界２０においてオーミックコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルシリサイド層の酸化を防止するとともに、良好なオーミックコンタクトを有したオーミック電極を備えた炭化珪素半導体装置を得る。
【解決手段】シリコン層３の一方主面上に厚さ約１００ｎｍのニッケル層４を、スパッタリング法によって形成し、さらに、ニッケル層４の一方主面上に酸化保護層として厚さ３００〜５００ｎｍの窒化チタン層５を、スパッタリング法によって形成する。その後、４００〜７００℃の高温アニール処理を５分間行うことで、シリコン層３とニッケル層４とを反応させてニッケルシリサイド層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】オン電圧の低電圧化と高速動作を両立させた半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、ソース領域５の端縁部からウエル領域４の外縁にかけての部分の上部に相当する領域が、厚さ約５０ｎｍの薄膜部３ａとなっており、エピタキシャル層１の上部に相当する領域が、厚さ８０〜１００ｎｍの厚膜部３ｂとなっている。薄膜部３ａと厚膜部３ｂとの間は曲率を有して緩やかに変化し、この薄膜部３ａから厚膜部３ｂへと変化する領域を膜厚変化領域１５と呼称する。膜厚変化領域１５は、エピタキシャル層１のウエル領域４の側面に接する部分および、当該部分近傍のウエル領域４の上部に相当する領域であり、そこでの、ゲート絶縁膜３の厚さは薄膜部３ａよりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】 裏面電極に対してアニール処理を実施したときに、そのアニール処理に起因する熱ダメージを低減すること。
【解決手段】 半導体装置は、縦型のショットキーダイオードが形成されている炭化珪素基板１０と、その炭化珪素基板１０の表面側に設けられているアノード電極２０と、その炭化珪素基板１０の裏面側に設けられているカソード電極５０と、炭化珪素基板１０とカソード電極５０の間に設けられている導電性の断熱領域４０を備えている。断熱領域４０は、炭化珪素基板１０の半導体材料の熱伝導率よりも小さな熱伝導率である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

半導体材料（１）上に少なくとも１つの導体を形成する方法は、（Ｅ１）−シルクスクリーン印刷によって第１の高温ペーストを堆積させるステップと、（Ｅ２）−前のステップの間に堆積された第１の高温ペーストに少なくとも部分的に重ねて、シルクスクリーン印刷によって、低温ペーストを堆積させるステップとを有する。 （もっと読む）