【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トレンチの設計自由度が損なわれることなく、プロセス条件に制約されることなく、電気的特性を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１の半導体領域１内のトレンチ１５の底部に第４の半導体領域４を介して配設され、隣り合う同士において相互に離間され、第１の半導体領域１よりも高い不純物密度を有する第１の導電型の第５の半導体領域５を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。また、不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】トレンチを有する絶縁層に接して、ソース領域またはドレイン領域として機能する領域の膜厚が、チャネル形成領域として機能する領域の膜厚よりも厚い酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を用いたトランジスタは、ソース抵抗またはドレイン抵抗を低減することができると共に、しきい値のバラツキ、電気特性の劣化、ノーマリーオン化を抑制することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性と耐久性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電ベースプレートと、導電ベースプレート上に接合される半導体チップと、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の中央部に配置された第１接着剤と、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の周辺部に配置された第２接着剤とを備え、第１接着剤は第２接着剤よりも相対的に熱伝導率が高く、第２接着剤は第１接着剤より相対的に接合力が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電極パターンが基板支持台に直接押し付けられることによって生じる電極パターンへのダメージの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板４０の表面Ｓ１上に電極パターン４１が形成される。半導体基板４０の表面Ｓ１上において電極パターン４１を覆う絶縁膜４３が形成される。成膜装置の基板支持台１００上に、絶縁膜４３が基板支持台１００に接するように半導体基板４０が取り付けられる。基板支持台１００に取り付けられた半導体基板４０の裏面上に成膜装置によって電極層４４が堆積される。電極層４４が堆積された後に、電極パターン４１の少なくとも一部が露出するように絶縁膜４３がパターニングされる。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧降下の増大が抑制され、且つ順方向サージ耐量の高い、整流機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１の主面１１０から第２の主面１２０に向かって延伸し、且つ底部が第２の主面１２０に達しない複数の溝部１５が形成された第１導電型の半導体積層体１０と、それぞれの外縁領域の一部が溝部１５の側面に露出するように半導体積層体１０の第１の主面１１０に互いに離間して埋め込まれた第２導電型の複数のアノード領域２０と、アノード領域２０の形成されていない領域において半導体積層体１０とショットキー接合を形成し、且つアノード領域２０とオーミック接合を形成して、半導体積層体１０の第１の主面１１０に配置されたアノード電極３０と、半導体積層体１０の第２の主面１２０に配置されたカソード電極４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素半導体装置において、製造されたデバイスの金属/炭化珪素デバイス界面の密着性を向上し剥離を抑制することができる炭化珪素半導体装置の電極形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属を被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。
【解決手段】電源スイッチは、モノリシックまたはハイブリッドに実装され得、シングルまたはマルチチップのワイドバンドギャップ電源半導体モジュールにビルトインされた制御回路と一体化され得る。該デバイスは、高電力で温度に対する許容性があり、耐放熱性のエレクトロニクスコンポーネントにおいて用いられ得る。該デバイスを作成する方法もまた、記述される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】記憶内容に対する保持特性の改善を図ることが可能な半導体装置を提供する。また、半導体装置における消費電力の低減を図る。
【解決手段】チャネル形成領域に、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができるワイドギャップ半導体材料（例えば、酸化物半導体材料）を用い、且つ、ゲート電極用のトレンチと、素子分離用のトレンチを有するトレンチ構造のトランジスタとする。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能となる。また、ゲート電極用のトレンチを有することで、ソース電極とドレイン電極との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果の発現を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、Ｓｉ基板の裏面に低融点金属を形成する工程と、該Ｓｉ基板の表面に高融点金属層を形成する工程と、該高融点金属層の上にレーザ吸収層を形成する工程と、該レーザ吸収層にレーザ光を照射し、該低融点金属と該Ｓｉ基板のＳｉとの相互拡散を防ぐように該低融点金属の温度を低く保ちつつ、該レーザ吸収層と該高融点金属層の界面、及び該高融点金属層と該Ｓｉ基板の界面にシリサイド層を形成する工程と、該レーザ吸収層をエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の薄化工程および薄化後の工程において半導体基板を補強し、且つ補強したまま素子特性が取得できる半導体装置の製造方法および補強板を提供する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、半導体基板１１を接着剤４２で覆い、補強板３０を第１パッド１６、１７、１８と第１貫通孔３１、３２、３３が上下重なるように接合する。半導体基板１１を第２の面１１ｂ側から所定の厚さになるまで除去し、所定の処理を施した後、電極膜１９を形成する。第１貫通孔３１、３２、３３に接着剤４０の除去液４３を注入して、第１パッド１６、１７、１８を露出させる。第１パッド１６、１７、１８に第１貫通孔３１、３２、３３を通してプローブ４５、４６、４７を当接し、プローブ４５と電極膜１９の間の電流を測定する。第１貫通孔３１、３２、３３に除去液５１を注入し、半導体基板１１と補強板３０を分離する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉシリサイドを用いてＳｉＣ上で信頼性の高い低抵抗の電極を低コストで得る。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ層１１上にＮｉ層１２が形成される（図１（ａ））。熱処理を行うことによってＮｉ層１２のＮｉとｎ型ＳｉＣ層１１のＳｉとを反応させ、Ｎｉシリサイド層１３を形成させる（図１（ｂ））。この状態で酸化雰囲気中で熱処理を行う（図１（ｄ））。還元雰囲気中で例えば３００〜４００℃で熱処理を行う（図１（ｆ）：還元処理工程）。これにより、酸化層１５は還元され、Ｎｉ等で構成された還元層１６となる。この還元層１６は、ウェットエッチングで除去することができる（図１（ｇ）：エッチング工程）。その後、Ｎｉシリサイド層１３の上に配線層となるＴｉ／Ａｌ層３０を形成する（図１（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にＵ字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して３倍以上、好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】 従来と同じチップ面積でありながら従来よりも素子抵抗が低く、順方向電流が大きくとれる窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】 窒化物半導体上のショットキー電極形成領域において、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計が、前記ショットキー電極形成領域の外周長よりも長くなるように形成する。また、１０倍長いことが望ましい。例えば、ショットキー電極を同心環状とすることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材１００と、上記半導体基材１００内の、半導体材料からなるドリフト領域２と、ドリフト領域２に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極１９を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３との間に配置された蓄積誘電体４と、第１素子領域８と、第１素子領域８との間にドリフト領域２が配置され、第１素子領域８から離れて配置された第２素子領域５と、ドリフト制御領域３の接続電極１９および第１素子領域８の間に接続された容量性素子５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、素子部とダイオード部を有する。素子部は、ドレイン層と、ドレイン層の上に設けられたドリフト層と、ドリフト層の上に設けられたベース領域と、ベース領域の表面に選択的に設けられた第１導電形のソース領域と、ソース領域の表面からベース領域を貫通して、ドリフト層に接する複数の第１トレンチ内に設けられた第１ゲート電極と、この下に設けられたフィールドプレート電極と、を有する。ダイオード部は、ドレイン層とドリフト層とにおいて素子部と共有し、ベース領域の表面を貫通して、ドリフト層に接する複数の第２トレンチを有する。このダイオード部の第２トレンチ間の距離が素子部の第１トレンチ間の距離と比較して大きくなるように形成されている。 （もっと読む）