【課題】 第１導電型領域とよりも第２導電型領域とのほうが低いコンタクト抵抗率となる金属材料を用いて第１導電型領域の接点を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 周辺半導体領域５の不純物の濃度値よりも高い濃度値のｐ型不純物を含むｐ型領域５と、周辺半導体領域５の不純物の濃度値よりも高い濃度値のｎ型不純物を含み、ｐ型領域１と重複するように位置するｎ型領域２と、少なくともｎ型領域２上に位置する金属層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 動作特性の温度依存性が小さく、窒化物系半導体デバイスの高温動作が可能であるという特徴を生かすことのできる窒化物系半導体デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一組の窒化物系半導体層のヘテロ接合５と少なくとも２つの電極Ｅからなり、前記一組の半導体層を構成する一の半導体層中に発生する２次元電子ガス層６を走行するキャリアが前記２つの電極の間を流れる電流となる窒化物系半導体デバイスにおいて、前記電極のコンタクト抵抗の温度依存性が負であることを特徴とする窒化物系半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】 黒鉛の析出を低減でき、かつ、ＳｉＣ基板とオーミック電極との接触抵抗を充分に低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１にオーミック接触しているオーミック電極２とを有する半導体装置１０であって、オーミック電極２が、ＳｉＣ基板１上に配置されているシリサイド（ＮｉＳｉ）２ｅと、シリサイド２ｅ上に配置されている第１のＮｉ層２ａと、第１のＮｉ層２ａ上に配置されているＴｉ層２ｂと、Ｔｉ層２ｂ上に配置されておりＮｉ２ｄ_１とＳｉ２ｄ_２とを含んでなるＮｉ／Ｓｉ層２ｄと、Ｎｉ／Ｓｉ層２ｄ上に配置されている第２のＮｉ層２ｃとを有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短絡不良の発生を抑え、信頼性に優れた半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 トレンチ１５に充填する絶縁用酸化膜３０を、ｎ^＋ソース領域１２よりも上まで形成し、この絶縁膜３０の開口部においてのみ、金属またはシリサイド膜をｎ^＋ソース領域１２とオーミック接触させソース電極２２１を形成する。また、ユニットの長手方向におけるソース配線２２の端部とソース領域１２の端部の距離ｄをソース配線２２の厚さＴｓｗの２倍以上とする。
【効果】 ソース／ゲート間の短絡を防止し、歩留り向上によりコストを低減し、冷却系及びシステムサイズを小型化した。 （もっと読む）

【課題】ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】表面側に活性領域１acを備えた半導体基板１上に、活性領域１acに対してオーミック接続させた状態で高融点金属からなるソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄを形成する。ソース電極７ｓ−ドレイン電極７ｄ間における活性領域１acの表面層にｐ型不純物を拡散させてゲート領域９ｂを形成する。ソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄ、ゲート領域９ｂに連続して形成されたｐ型のパッド領域１０ｂに端子を接続させ電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】基板強度を保持しつつオン抵抗を低減し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第１の不純物濃度を有する半導体からなる支持体２１と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度を有する半導体層３と、前記半導体層３に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスが、記述される。電源スイッチは、モノリシックまたはハイブリッドに実装され得、シングルまたはマルチチップのワイドバンドギャップ電源半導体モジュールにビルトインされた制御回路と一体化され得る。該デバイスは、高電力で温度に対する許容性があり、耐放熱性のエレクトロニクスコンポーネントにおいて用いられ得る。該デバイスを作成する方法もまた、記述される。
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【課題】 低オン抵抗化を実現し、高速スイッチングが可能なＪＦＥＴやＳＩＴなどの炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】 トレンチ溝１１０〜１１３に沿って形成したゲート領域１３間のチャネルに拡がる空乏層により電流をオンオフするＪＦＥＴやＳＩＴにおいて、半導体基体表面あるいはトレンチ溝１１３の底部に、外部より電圧が供給可能なゲートコンタクト層１０２とゲート電極１０３を設け、これとは独立し、トレンチ溝１１０〜１１２の底部で、ゲート領域１３のｐ^＋＋コンタクト層１４にオーミック接触するメタル導電部（仮想ゲート電極）１０１を設ける構造とした。この仮想ゲート電極１０１は、ゲート電極１０３や外部配線とは絶縁された形となる。
【効果】 ゲート抵抗を小さくし、高速スイッチング動作が可能な大電流容量の炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧／低オン抵抗の窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体装置は、窒化物系半導体から実質的になる第１半導体層１と、第１半導体層上に配設されたノンドープ若しくは第１導電型の窒化物系半導体から実質的になる第２半導体層２と、を有する。第１及び第２半導体層はヘテロ界面を形成する。第２半導体層上にゲート電極１１が配設される。ゲート電極を間に挟むように第２半導体層の表面内に第１及び第２トレンチ３、４が形成される。第１及び第２トレンチの表面内に、第１及び第２半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第１導電型の第３及び第４半導体層５、６が形成される。第３及び４半導体層にソース電極１５及びドレイン電極１６が電気的に接続される。 （もっと読む）

基板及び２以上のエピタキシャル層を含んだSiCショットキーバリアダイオード（SBD）が提供され、該エピタキシャル層は少なくとも薄い低濃度にドーピングされたN型頂部エピタキシャル層、及び最高位のエピタキシャル層が配置されるN型エピタキシャル層を有している。多数のエピタキシャル層がダイオードの阻止電圧を支え、該多数のエピタキシャル層の各々が阻止電圧の大部分を支える。少なくとも頂部の２つのエピタキシャル層の厚さ及びドーパント濃度を最適化することによって、結果的に順方向電圧及びオン抵抗への影響を低く維持しつつ静電容量及びスイッチング損失が低減する。代替案として、SBDは連続的に濃淡がつけられたN型ドーピング領域を有し、かかるドーピングは領域の頂部における低ドーパント濃度から底部における高ドーパント濃度に向けて変化している。
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【課題】 有機ＥＬ素子や有機ＴＦＴ素子等の有機機能素子において、有機材料層への電極形成において蒸着を用いる必要が無く、また、折り曲げても断線しない信頼性の高い有機機能素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも複数の電極と有機材料層から構成される有機機能素子であって、該電極の少なくとも一つが液体金属で形成されている。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物デバイスが、名目上オフ、すなわち、エンハンスメントモードのデバイスを作製するための凹部電極を含む。凹部電極を設けることによって、デバイス中の電流の流れを阻止するために、電極が非能動であるときに２つのＩＩＩ族窒化物材料の境界面に形成された導電チャネルが中断される。電極はショットキー接点または絶縁金属接点であり得る。名目上オフの特性を有する整流器デバイスを形成するために、２つのオーム接点を設けることができる。電極が形成された凹部は傾斜側面を有することができる。電極は、デバイスの電流運搬電極と組み合わせて幾つもの幾何学配置で形成可能である。電極が凹部でないとき、名目上オンのデバイス、すなわち、ピンチ抵抗が形成される。ダイオードは、絶縁体を貫通してＡｌＧａＮ層に達する非凹部のオーム接点およびショットキー接点を設けることによっても形成される。
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