【課題】ダイシングの際にクラック発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間に配置されたビア層と、前記複数の配線層に形成された導電膜と、前記ビア層の上下の前記配線層の前記導電膜と接続するビアプラグＶ５とを有し、スクライブ領域３１は、チップ領域の外周であって前記半導体基板の縁に接して位置し、前記スクライブ領域３１は前記縁に接するパッド領域３３を有し、前記パッド領域３３は、前記複数の配線層の各々に、平面視において相互に重なって配置され、前記複数の配線層は、第１の配線層と第２の配線層を有し、前記第１の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域３３の全面に形成された第１の導電パターン５５を有し、前記第２の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域の一部に形成された第２の導電パターン５０を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性取得評価方法に関し、試料側にもプローブ側にも問題を発生させることなく安定な電気特性取得評価を行う。
【解決手段】積層体の表面側電極に対するコンタクトホール２１を露出する工程と、前記露出したコンタクトホール２１に導電性物質を埋め込んで凸状構造２２を形成する工程と、前記凸状構造２２を含む領域にカンチレバーを間欠接触測定方式で接触させて前記凸状構造２２の位置を認識する工程と、前記凸状構造２２の中心軸の方向に前記カンチレバーを押しつけて電気特性を取得する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品４０は、互いに平行を成す一方の主面４１ａと他方の主面４１ｂが矩形状の基体４１を有する。基体４１の一方の主面４１ａには、第一チッピング検出用配線４２が配されている。また、基体４１の他方の主面４１ｂには、第二チッピング検出用配線４４が配されている。第一チッピング検出用配線４２は貫通配線４３ａを介して第二チッピング検出用配線４４に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 チップパッケージの信頼性及び構造安定性を提供する。
【解決手段】 第１表面と第２表面を有する基板、前記基板の前記第１表面上に位置された導電パッド構造、前記基板の前記第１表面と前記導電パッド構造上に位置され、前記導電パッド構造の一部を露出する開口を有する誘電体層、及び前記誘電体層上に位置され、前記開口内に充填されるキャップ層を含むチップパッケージ。 （もっと読む）

【課題】電子部品の貫通電極において、基板の両面から貫通電極に接触することが必要であることに起因して高度な検査技術が必要である貫通電極の検査を容易にすることができる、マザー基板、電子部品の検査方法、電子部品、及び電子部品の製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、マザー基板に区画形成された電子部品の製造方法であって、基板の第１面における複数の区画領域に回路を形成する回路形成工程と、区画領域にて、第１面と第１面の反対面である第２面とを電気的に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、互いに異なる区画領域に位置する貫通電極を第１面にて連結配線で電気的に接続する連結配線形成工程と、第２面にて、連結配線形成工程で電気的に接続された複数の貫通電極に検査プローブを電気的に接続させることによって、貫通電極の機能を検査する機能検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜（アルミニウム膜１０ｂ）を形成する工程と、（ｂ）上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、（ｃ）上記配線の上部に第１絶縁膜（第１保護膜）を形成する工程と、を有する。さらに、（ｄ）上記第１絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域（Ｐｄ）を露出する工程と（ｅ）上記パッド領域（Ｐｄ）に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記パッド領域（Ｐｄ）にプローブ針を当接し、上記パッド領域（Ｐｄ）に通電する工程と、を有する。上記（ｅ）工程により、上記パッド領域（Ｐｄ）に窒化アルミニウム層（１５）が形成され、パッド領域（Ｐｄ）とプローブ針（Ｎ）との接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄いウェハでも破損させることなく、高温でもウェハの良否判定が可能な半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）ウェハ１３の第１主面と第２主面上に電極を有する半導体素子をウェハ１３に形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後に、ウェハ１３の第２主面と金属製の支持部材１５の第１主面を接合部材１４により接合する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後に、ウェハ１３の第１主面上の電極と支持部材１５の第２主面上に電圧を印加してウェハテストを行う工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プローブ針の先端を研磨する時間を短縮することと接触抵抗を低く安定させること。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路と、前記半導体基板上に形成され、前記電子回路と電気的に接続し、金属膜３４と前記金属膜より硬い材料の層３６とを備え、上視した場合前記層と前記金属膜とが配置された第１領域４０と、前記金属膜が配置され前記層が形成されない第２領域４２とを備えるパッド１６と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、検査工程における検査用パッドへのコンタクトを容易化することに適した半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体装置は、表面に垂直な方向から見た場合にチップエリアを内側に含む半導体基板と、前記チップエリアを保護するように、前記表面上における前記チップエリアの周囲に配されたエッジシールと、前記表面上における縁部に配された複数のパッド片と、前記表面上における前記チップエリアに対して第１の方向の少なくとも片側と第２の方向の少なくとも片側とのそれぞれにおいて、前記パッド片における前記エッジシールの側の縁部を覆う絶縁膜パターンとを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイシングブレードの寿命を延ばすことができるとともに、半導体装置のエッジ部へのダメージを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。下配線２５はＣｕ以外の配線材料からなり、上配線２９はＣｕからなる。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口４４から露出した部分が第２パッド１０である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが接続されたボンディングパッドを一面に有する半導体基板において、ワイヤの接続によるボンディングパッド下部のクラックの発生を適切に検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１０の下部には、当該半導体基板１の特性を検査するための検査用配線４０が設けられており、検査用配線４０は、ボンディングパッド１０のうちボンディングワイヤ７０の端部が位置する部位の直下に配置されている。 （もっと読む）

【課題】検査に用いるプローブの耐久性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ウエハーのスクライブ線１５０上に配置された第１チェック素子１を具備する。第１チェック素子１は、第１配線絶縁膜５と、第１配線絶縁膜５の第１開口部に配置された第１チェック素子パッド１０とを備える。第１チェック素子パッド１０は、導電性の第１パッドメタル部１２と、矩形の平面形状を有する絶縁性の第１ダミー部１３とを含む。第１ダミー部１３の平面形状は、スクライブ線１５０の長手方向と垂直な２つの第１長辺と、第１チェック素子パッド１０の外周部近傍に配置される２つの第１短辺とを含む。 （もっと読む）

【課題】測定時において疑似ピークが現れないＤＬＴＳ測定用電極を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に設けられたアンチモンからなるショットキー電極１２ａと、シリコン基板１０の表面１０ａとショットキー電極１２ａとの間に設けられたチタンからなる密着膜１２ｂとを備える。本発明によれば、ショットキー電極の材料としてアンチモンを用いていることから、ＤＬＴＳ測定において疑似ピークがほとんど現れず、しかも、測定時におけるリーク電流を抑制することが可能となる。このため、シリコンウェーハに含まれている重金属の種類や濃度を正確且つ高感度に評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】針傷を防止し、有効チップ数の減少を抑える半導体装置を提供すること。
【解決手段】対象チップ２−１は、ウェハ１に設けられている。隣接チップ２−２は、ウェハ１に設けられ、対象チップ２−１に隣接する。ボンディングパッド３は、対象チップ２−１の表面に設けられている。スクライブ領域４は、ウェハ１の対象チップ２−１と隣接チップ２−２との間に設けられ、ウェハ１の検査後にダイシングされる。貫通ビア５は、対象チップ２−１又は隣接チップ２−２に設けられている。表面配線６は、ボンディングパッド３からスクライブ領域４を介して対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の表面の貫通ビア５に接続されている。検査用パッド７は、対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の裏面に設けられている。裏面配線８は、対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の裏面の貫通ビア５から検査用パッド７に接続されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の電気特性を効率よく検査する。
【解決手段】本発明の半導体装置２の製造方法は、シリコン基板２０に半導体素子を含んだ電気回路を形成する工程と、シリコン基板２０を貫通して設けられ、電気回路と電気的に接続される第１貫通電極２２を形成する工程と、シリコン基板２０を貫通して設けられ、シリコン基板２０の表面２０ａで第１貫通電極２２と短絡する第２貫通電極２３を形成する工程と、シリコン基板２０の裏面２０ｂにおいて、第１貫通電極２２と第２貫通電極２３との間の電気特性を検査する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不導体被膜が、バンプ形成用領域に形成されることを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１の上に形成された第１の電極パッド２ａと、半導体チップ１の上に形成された第２の電極パッド２ｂと、半導体チップ１の上に形成され、第１の電極パッド２ａの上面を露出する第１の開口部４ａ、及び第２の電極パッド２ｂの上面を露出する第２の開口部４ｂを有する絶縁膜４と、第１の電極パッド２ａの上に形成された第１のＵＢＭ６ａと、第２の電極パッド２ｂの上に形成された第２のＵＢＭ６ｂと、第１のＵＢＭ６ａの上に形成された不導体被膜７と、第２のＵＢＭ６ｂの上に形成されたバンプ８とを有している。絶縁膜４における第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとの間に形成された部分には、第１の溝５Ｘが形成され、第１の電極パッド側に位置する第１の溝５Ｘにより段差部５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】プローブとパッドとを低接触抵抗で相互に電気的に接続させ、安定した特性検査を行うことができる方法の提供。
【解決手段】半導体装置は、電気的特性の検査を行う検査装置のプローブ８が接触されるパッド９を備え、パッド９の少なくとも表層部には、凹部２１の内径がプローブ８の先端部８ａよりも小径であり、凸部２２の頂部が平坦である凹凸形状が形成されている。この構造により、パッド９上でオーバードライブされるプローブ８の先端部８ａとパッド９の表面との摩擦を大きくすることができる。オーバードライブの際に、パッド９の表面に元々生成されている絶縁物をプローブ８の先端部８ａで掻き取るようにして十分に剥がすことができる。こうすることで、プローブ８とパッド９とを低接触抵抗で相互に電気的に接続させ、安定した特性検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの異常を容易に発見することが可能である。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板の第１領域における第１表面から前記第１表面に対向する第２表面まで空けられた第１貫通孔８０内に形成された第１貫通電極２５と、前記半導体基板の前記第１表面において、前記第１貫通電極に接して形成された第１電極パッド２８と、前記第１電極パッドと離間して形成され、前記第１電極パッドと対向する第２電極パッド２９と、前記半導体基板の前記第２表面上に形成され、前記第１貫通電極と電気的に接続された外部端子２７と、前記半導体基板の前記第１表面において、前記半導体基板の前記第１領域と異なる第２領域における前記第１表面から前記第２表面まで空けられた第２貫通孔８０上に形成され、電気的に浮遊した第３電極パッド２８と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】電極を形成後において、半導体装置のテストを安定的に実施することができるとともに信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に第一のパッド部１２と、第二のパッド部１３とを形成する工程と、第二のパッド部１３上に第一の絶縁膜１５を形成するとともに、第一のパッド部１２上には第一の絶縁膜１５を設けない工程と、第一のパッド部１２上および第二のパッド部１３上に金属膜１６を形成する工程と、第一のパッド部１２上に、金属膜１６を介して電極１７を形成する工程と、第二のパッド部１３上の金属膜１６を選択的に除去する工程と、第二のパッド部１３上の第一の絶縁膜１５を除去する工程とを含む。 （もっと読む）