【課題】例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハに関して、接合リーク電流特性を高精度で評価することが可能な半導体基板の評価方法および評価用半導体基板を提供する。
【解決手段】評価する半導体基板１に、複数のＰＮ接合５と、該複数のＰＮ接合５同士を分離する分離酸化膜６と、該分離酸化膜６の下に位置するチャネルストップ層３とを形成してから、前記複数のＰＮ接合５における接合リーク電流を測定して評価を行う半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハのリーク電流の測定において、リーク源である欠陥種を簡易な方法で特定することができる半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板をリーク電流により評価する方法であって、評価対象である半導体基板にＰＮ接合を形成し、該ＰＮ接合が形成された半導体基板の基板温度を変化させながらリーク電流を測定し、この測定結果をプロットすることによって得られる前記リーク電流の温度特性から、前記評価対象である半導体基板に含まれる欠陥種を特定する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】複数本の探針を用いて検出された吸収電流から、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像を取得し、測定効率を向上させることができる試料検査装置及び吸収電流像の作成方法を提供する。
【解決手段】複数の探針４を試料２に接触させ、試料２に電子線１を照射しつつ、探針４に流れる電流を測定し、少なくとも２本の探針４からの信号を差動増幅器６に入力する。そして、差動増幅器６からの出力を増幅し、これと電子線１の走査情報に基づいて吸収電流像７を作成する。これにより、入力間の増幅率の差を含むことなく鮮明な吸収電流像７を取得でき、半導体試料２の不良解析の測定効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。
【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第１の期間と第１の期間よりも後の第２の期間に分割した場合において、第２の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 表面側から特性試験が行える縦型の半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０では、半導体基板１１は第１の面と、第１の面に対向する第２の面を有している。半導体素子１２は半導体基板１１のダイシングライン１４、１５で囲まれた矩形状格子に形成されるとともに、第１の面に形成された第１電極２６と、第２の面に形成された第２電極２８とを有している。電流は第１電極２６と第２電極２８の間に流れる。貫通電極１６は半導体基板１１のダイシングライン１４、１５で囲まれていない領域に形成されるとともに、一端が第１の面上に延在し、他端が第２電極２８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン以外の半導体で形成される半導体素子で使用可能なＴＥＧを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＢＤ部２ａと、ＳＢＤ部２ａの電気特性を測定するためのＴＥＧ部３ａと、を備えた半導体装置１ａであって、ＳＢＤ部２ａは、ｎ型のＳｉＣドリフト層８と、ＳｉＣドリフト層８上に、ＳｉＣドリフト層８の表面９と接触して形成された第１のショットキー電極１３と、を有し、ＴＥＧ部３ａは、ＳｉＣドリフト層８の表面９を含む箇所に形成されたｐ型のイオン注入層１８ａと、ＳｉＣドリフト層８上に、ＳｉＣドリフト層８の表面９と接触して形成された第２のショットキー電極２１ａと、第２のショットキー電極２１ａと電気的に接続され、ＳｉＣドリフト層８とは接触しないようにイオン注入層１８ａ上に形成された電極パッド２２と、を有する （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの静特性及び動特性（スイッチング特性）をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台１２と、載置台１２の上方に配置されたプローブカード１３と、少なくとも載置台１２の上面に形成された導体膜と半導体ウエハＷの裏面に形成された導体層とが導通する状態で半導体ウエハＷにプローブ１３Ａを電気的に接触させてパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するテスタ１５と、を備え、プローブカード１３の外周縁部に導通ピン１４を設け、パワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定時に、導通ピン１４を介して載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）とテスタ１５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを小型化することができる半導体ウェハを提供する。
【解決手段】半導体基板２１における複数のチップ形成領域２３にそれぞれ半導体素子２４が形成され、一面上に層間絶縁膜５０〜８０が配置されていると共に、層間絶縁膜５０〜８０上に検査用パッド４１ａおよび信号用パッド４１ｂが配置されている半導体ウェハにおいて、検査用パッド４１ａおよび信号用パッド４１ｂのうち信号用パッド４１ｂを、半導体素子２４と対向する位置に備えると共に、層間絶縁膜５０〜８０の内部に形成されたビア５２ｃ〜８２ｃを介して半導体素子２４と電気的に接続する。そして、層間絶縁膜５０〜８０内の信号用パッド４１ｂと半導体素子２４との間に位置する部分に検査用配線６１ｃを備え、検査用パッド４１ａと信号用パッド４１ｂとを検査用配線６１ｃを介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】単一の電源から複数の半導体主回路部に電源を供給する場合に安定した電源を供給する半導体検査システムを供給する。
【解決手段】半導体検査システムは、半導体装置１１００と、半導体検査装置１２００とを有し、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に配置された複数の半導体回路領域１１２０を有し、半導体回路領域はそれぞれ、半導体検査装置による検査の対象となる半導体主回路部１１２１と、半導体主回路部に供給される電源を検出する検出回路部１１２２と、検出回路部の出力を無線方式で出力する第１の無線回路部１１２４と、を備え、半導体検査装置は、主電源部と、プローブカードとを有し、プローブカードは、主電源部に接続された共通電源配線と、共通電源配線に接続された複数の電源回路部と、電源回路部に接続され、電源回路部を制御する制御回路部と、制御回路部に接続された第２の無線回路部１２２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体検査システムにおいて、単一の電源から複数の半導体主回路部に電源を供給する場合、各半導体主回路部に安定した電源を供給することができない。
【解決手段】本発明の半導体検査システムは、半導体装置と、半導体検査装置とを有し、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に配置された複数の半導体回路領域を有し、半導体回路領域はそれぞれ、半導体検査装置による検査の対象となる半導体主回路部と電源制御部を備え、半導体検査装置は、主電源部と、プローブカードを有し、プローブカードは、主電源部に接続された共通電源配線を備え、共通電源配線から各電源制御部に対して、第１の電源がそれぞれ供給され、電源制御部は、第１の電源を供給源として第２の電源を半導体主回路部に供給する。 （もっと読む）

【課題】短時間でウエハー面内分布などの数多くのパターン変換差に係るデータを収集することができ、適切に半導体装置の製造精度判定或いは管理を行い得る。
【解決手段】複数の異なる面積を有するキャパシタを、半導体素子生成工程においてアクティブエリアに形成し、各キャパシタに電圧を印加して、夫々のキャパシタ電流を検出し、検出された電流値と対応するキャパシタの面積とからアクティブエリアのパターン変換差を算出し、パターン変換差に基づき製造精度を判定する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗性のオープン抵抗の特定を可能とする電子部品の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】電子部品の検査装置であって、当該検査装置は、電子部品における故障発生が疑われる配線に接続するための電流検出端子１０６と、電流検出端子１０６に接続されており、配線に生じた電流を検出する電流検出器１０５と、電流検出端子１０６と電流検出器１０５との間に設けられ、電流を通過させるか否かをゲートの開閉により切り替えるゲーティング装置１１２と、電子ビームを生成する電子銃１０１と、電子ビームをパルス化するパルスビーム発生装置１１１と、パルス化された電子ビームを配線に照射した際に生じた電流を電流検出器１０５により検出する際に、ゲーティング装置１１２のゲートの開閉を調整するゲーティング調整装置１１３とを備える。 （もっと読む）

【目的】プラズマプロセスによる半導体集積装置の各製造段階において、所望のエッチング工程で生じたチャージアップの度合いのみを測定することが可能な半導体集積装置の評価システム及び評価用半導体チップを提供することを目的とするものである。
【構成】評価用半導体チップにプラズマエッチング処理を施している間にこの評価用半導体チップ内に生じたチャージアップに伴って流れる電流を、評価用半導体チップから外部に導出されている第１リード線及び第２リード線を介して計測する。評価用半導体チップは、シリコン基板上にゲート酸化膜、ゲート電極、プラズマによる電子電流の流入を部分的に遮断するパターンを有するレジストが積層された構造を有する。この際、レジスト上面側からシリコン基板の表面までを貫通する第１のコンタクトホールを介して上記第１リード線がシリコン基板の表面と電気的に接続されていると共に、上記レジストを貫通する第２のコンタクトホールを介して第２リード線がゲート電極の表面と電気的に接続されている。 （もっと読む）

本発明は、電力端子（２．１，２．２）と、該電力端子から電気的に絶縁されている、制御電圧（Ｕ２）を印加するための制御端子（２．０）とを有する半導体構成素子（２）、並びに、半導体構成素子の電気的な特性を測定するために制御端子に接触接続するための制御端子コンタクト面（３）を有する電気的な回路装置（１，１ａ，１ｂ，３１，５１，６１，７１）に関する。接続装置（６，３２）、特にアンチヒューズ又は回路ユニットが設けられている。接続装置を介して制御端子を直列ユニット（４；３４；７８，７４）と電気的に接続可能であり、接続装置を、制御端子が直列ユニットと電気的に接続されていない非導通状態から、制御端子が直列ユニットと電気的に接続されている導通状態に移行可能である。アンチヒューズを半導体構成素子に集積することができる。
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【課題】 半導体基板のリーク電流による評価方法において、測定のための構造が単純であっても、安定した測定を行うことができ、デバイス活性領域を感度良く評価することができる半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板をリーク電流により評価する方法であって、少なくとも、前記半導体基板の表面部にＰＮ接合を形成する工程と、前記ＰＮ接合による内部電界と同等の第一の電圧Ｖ_１を前記ＰＮ接合に印加してリーク電流を測定し、第一のリーク電流値Ｉ_１を得る工程と、前記第一の電圧Ｖ_１よりも高い第二の電圧Ｖ_２を前記ＰＮ接合に印加してリーク電流を測定し、第二のリーク電流値Ｉ_２を得る工程と、リーク電流値Ｉを、計算式Ｉ＝Ｉ_２−（Ｖ_２／Ｖ_１）^１／２×Ｉ_１に従って算出する工程とを含み、前記算出したリーク電流値Ｉにより前記半導体基板を評価する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】ソフトブレークダウンの判定条件を一意に決定することを可能にする、ゲート絶縁膜の絶縁破壊寿命の評価方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型素子のゲート絶縁膜の絶縁破壊寿命を評価する際に、ＭＯＳ型素子のゲート絶縁膜のソフトブレークダウンに至る寿命分布のワイブル傾きを決定する工程Ｓ１と、その後、決定したワイブル傾きから、ソフトブレークダウンの検知条件を決定する工程Ｓ２と、決定した検知条件を使用して、絶縁破壊試験を行う工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】 微細化、多層配線構造化に伴う配線長の短縮化、周辺回路の多様な論理状態等に影響されない故障箇所の特定、特にオープン故障箇所を特定することが可能な故障診断方法及び故障診断装置を提供すること。
【解決手段】 半導体集積回路の故障診断方法であって、該半導体集積回路に外部刺激を印加し、該外部刺激による電気的特性の変化を計測し、計測結果を分析することにより故障含有領域を特定し、前記故障含有領域のレイアウト情報に基づいて故障候補を特定し、該故障候補を回路に埋め込んで論理シミュレーションを行い、実故障品の電気的特性と一致する故障候補を最終故障候補として特定することを特徴とする半導体集積回路の故障診断方法とする。 （もっと読む）

【課題】自動切り替え機構の制御をプローブカード内で行ってテスタから独立させ、テスタからの制御信号数に制限されることがなく、検査対象を増やす。
【解決手段】検査対象物の電極に接触させる複数のプローブと、当該プローブとテスタとを電気的に接続する電源チャネルとを備えたプローブカード及び検査装置である。各電源チャネルをそれぞれ複数の電源配線部に分岐させて前記各プローブにそれぞれ接続させると共に、過電流等の電気的変動に基づいて前記電源配線部を遮断する自動切り替え機構と、前記検査対象物の中に不良品が存在することによって前記電気的変動が生じた場合に、その電気的変動を検出する電気的変動検出機構と、当該電気的変動検出機構で電気的変動を検出した時、当該電気的変動が生じた電源配線部を前記自動切り替え機構で遮断させる制御機構と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と半導体基板間のリーク位置を、ＴＥＧ素子を用いて非接触で迅速に測定することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
ＴＥＧ素子１０１は、絶縁分離溝２により画定さるＴＥＧ素子形成領域８上にゲート絶縁膜３を介して形成された一端が半導体基板１に接続されたゲート電極４と、少なくともゲート電極の両側に形成された不純物領域５ａと、不純物領域より深い位置に素子形成領域の底全面を塞ぐように設けられ、不純物領域を半導体基板から電気的に絶縁する絶縁分離層７とを有する。荷電粒子ビームを不純物領域５ａの一端及び他端に照射したときの内部抵抗Ｒ１、Ｒ２の差、及び不純物領域５ａの両端間の抵抗Ｒｏｂを用いて、リーク位置を決定する。 （もっと読む）