【課題】簡単な構成でウェハの高電圧試験において空気放電を防止できる高電圧試験方法を提供する。
【解決手段】電極パッド形成工程の後のレジストパターン形成工程において、互いに隣接するソース電極パッド３とドレイン電極パッド４との間の隙間領域上とその隙間領域の近傍のソース電極パッド３とドレイン電極パッド４の外縁領域上とを覆うように、かつ、互いに隣接するソース電極パッド３の露出部３aとドレイン電極パッド４の露出部４aの最短距離が予め設定された電極間距離よりも長くなるように、レジストパターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧リレーを用いることなく全体構成を簡略化して、規格に適合した電流波形（または電圧波形）で高電圧印加試験を行う。
【解決手段】一または複数の検査対象デバイスに対してＥＳＤ耐性を検査する本実施形態３のＥＳＤ試験装置１Ｄにおいて、一または複数の検査対象デバイス５４を搭載したコンタクトステージ５３の上下動作により、スイッチ手段としてのスイッチ５２がオン／オフして、一または複数の検査対象デバイス５４に１対１に対応する各高電圧容量手段としての高圧コンデンサ５６の高電圧を充電／放電し、各高圧コンデンサ５６からの放電により当該一または複数の検査対象デバイス５４のＥＳＤ検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、デバイス製造工程終了後（デバイス製品）のＧＯＩ特性の評価結果と近いＧＯＩ特性の評価結果を、ウェーハ段階で事前に得ることができ、デバイス製造工程終了後のウェーハ品質に起因する耐圧不良を予測することが可能となるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】デバイス製造に用いるシリコン単結晶ウェーハの評価方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハの表面にゲート酸化膜を形成した後、デバイス製造シミュレーション熱処理を行ない、その後、前記ゲート酸化膜のＧＯＩ特性を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハテストで仕様最大電圧の試験を行うときに、半導体素子の電極間の距離を広げる方法や高価なプローバを使用する方法を用いずに、高電圧印加時の空気放電を防止することができる半導体素子試験方法および半導体素子試験装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の電極を、外部端子と電気的に接続させるステップ（Ｓ１１）と、上記電極と上記外部端子とが電気的に接続された状態で、上記検査対象の半導体素子の表面に、供給部から電離性の低い液体または気体を供給するステップ（Ｓ１２）と、上記表面が上記液体または気体で覆われた状態で、上記検査対象の半導体素子に、電圧印加部から上記外部端子を介して試験電圧を印加するステップ（Ｓ１３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】微細化したパッケージ基板の電気検査において微細なプローブを使用せず、コスト低減が可能な電気検査方法及び製造方法の提供。
【解決手段】半導体チップを接続する面の最外層の電極と半導体チップを接続しない面の最外層の電極が形成された段階のフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法であって、少なくとも前記フリップチップパッケージ用基板の半導体チップとの接続を行う面に金属層を形成する工程と、電気検査工程とからなり、前記電気検査工程は、前記金属層の任意の位置にプローブを当て、同時に半導体チップを接続しない面の電極にプローブを当てて導通検査を実施することを特徴とするフリップチップパッケージ用基板の電気検査方法。 （もっと読む）

【課題】コンタクトとゲート電極との間隔を効率よく測定できるようにする。
【解決手段】第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離と、リーク電流量の大きさの相関を示す変換用データを予め準備しておく。そして、第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の間のリーク電流量を測定し、測定したリーク電流量を、上記した変換用データを用いて第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離に変換する。そして、第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離の測定値と、この距離の設計値との差から、第１ゲート電極３１０を形成するための露光処理と、第１コンタクト３２０を形成するための露光処理と、の間の重ねあわせ誤差を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】実際のデバイスの絶縁破壊寿命に適合する精度の良いシミュレーションを行って、正確な絶縁膜の絶縁破壊寿命を求めることで、実測データとの対比で欠陥種、欠陥の大きさ等を正確に解析できる絶縁破壊寿命シミュレーション方法及びシリコンウェーハ表面の品質評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】前記シミュレーションする構造における、前記シリコンウェーハと前記絶縁膜の界面及び前記絶縁膜と前記金属電極の界面に、及び／又は、前記絶縁膜中に予め欠陥を組み込み、該欠陥を組み込んだ構造において、前記絶縁膜中に欠陥を乱数にて発生させて前記絶縁膜の絶縁破壊寿命を求める絶縁破壊寿命シミュレーション方法。 （もっと読む）

【課題】地球環境への負荷を低減し、かつ、試験装置や試験のための設備を複雑にすることなく、高電圧試験を実現する。
【解決手段】この試験装置１は、圧力容器１０と、圧力容器１０の内部空間１３に配置され、被試験体１２が載置される載置台３０と、圧力容器１０の内部空間１３に配置され、載置台３０に載置された被試験体１２に試験電圧を供給する試験電極２６，２７と、圧力容器１０の内部空間１３の気圧を上昇させる加圧手段と、を有し、加圧手段により圧力容器１０の内部空間１３の気圧を上昇させた状態で、載置台３０に載置された被試験体１２に試験電極２６，２７から試験電圧を供給して、被試験体１２の試験を行う。 （もっと読む）

【課題】製品ウェハにおけるトランジスタ寸法での、金属不純物量を予測可能とする不純物量予測方法を提供する。
【解決手段】不純物量予測方法は、半導体基板上に設けられたトランジスタのパターンを用いてＴＤＤＢ寿命及び反転膜厚として第１寿命及び第１膜厚を測定するステップ（Ｓ１）と、予め求められたゲート絶縁膜中の不純物量とＴＤＤＢ寿命及び反転膜厚との関係と、測定された前記第１寿命及び前記第１膜厚とに基づいて、前記半導体基板内のゲート絶縁膜中の不純物量を予測するステップ（Ｓ２）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップした電荷を検出する感度を向上させること。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜１４と、前記絶縁膜内に形成され、延伸方向に延伸した延伸部２２を含む第１配線２０と、前記絶縁膜内に設けられ、前記半導体基板と前記延伸部とを電気的に接続するコンタクト２６と、前記絶縁膜内に形成され、前記延伸部と前記半導体基板の面方向に対向し前記延伸部より長さの短い対向部３２と、前記対向部から前記第１配線の反対方向に引き出される引き出し部３４と、を含む第２配線３０と、前記引き出し部に電気的に接続されたアンテナ電極４０と、含む評価素子。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性を保障することができる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜を介してゲート電極が埋め込まれてなる第１トレンチと、第１絶縁膜を介して、ゲート電極に非接続の埋設電極が埋め込まれてなる第２トレンチと、を有する半導体装置において、埋設電極を、両側を第１トレンチと第２トレンチとに挟まれるチャネル領域の表面のみに導電接続する。半導体装置のターンオフゲート抵抗およびターンオフ電流の一方または両方を、ターンオフ時に埋設電極とチャネル領域との間に所望の電位差が発生するように設定して、ターンオフスイッチング試験を行う。それによって、半導体装置をターンオフさせたときに埋設電極とチャネル領域との間に所望の電位差が発生し、埋設電極とチャネル領域との間の第１絶縁膜に電圧ストレスがかかるので、第１絶縁膜の絶縁特性を評価することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜耐圧評価用ＴＥＧにおけるゲート酸化膜の耐圧異常箇所を、確実にＴＥＭ観察できる半導体装置、及び、その評価解析方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁領域２ａに囲まれたアイランド１ａが形成され、アイランド１ａ表面に形成されたゲート酸化膜２上にて複数本のゲート電極３、４が形成され、奇数本目の各ゲート電極３の一端は、絶縁領域２ａ上にて第１相互接続部３ｂに接続され、偶数本目の各ゲート電極４の他端は、絶縁領域２ａ上にて第２相互接続部４ｂに接続され、第１相互接続部３ｂは、絶縁領域２ａ上に形成された第１パッド３ａに接続され、第２相互接続部４ｂは、絶縁領域２ａ上に形成された第２パッド４ａに接続され、ゲート電極３、４の幅は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であり、ゲート電極３、４の幅とゲート電極３、４間の間隔との和となる最小ゲートピッチは、０．２μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】ソフトブレークダウンの判定条件を一意に決定することを可能にする、ゲート絶縁膜の絶縁破壊寿命の評価方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型素子のゲート絶縁膜の絶縁破壊寿命を評価する際に、ＭＯＳ型素子のゲート絶縁膜のソフトブレークダウンに至る寿命分布のワイブル傾きを決定する工程Ｓ１と、その後、決定したワイブル傾きから、ソフトブレークダウンの検知条件を決定する工程Ｓ２と、決定した検知条件を使用して、絶縁破壊試験を行う工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをＴＤＤＢ寿命によって分別できるようにする。
【解決手段】信頼性基準記憶部２１０は、第１配線層と、第１配線層の上に位置する第２配線層の重ね合わせ誤差の大きさに基づいて、半導体装置を３つ以上の信頼性ランクに分けるための基準データを記憶する。誤差記憶部２３０は、複数の半導体チップ１２が切り出される半導体ウェハ１０の面内の複数点で測定された重ね合わせ誤差を記憶する。誤差算出部２４０は、半導体ウェハ１０の面内における複数の半導体チップ１２の座標、及び誤差記憶部２３０が記憶している重ね合わせ誤差に基づいて、複数の半導体チップ１２別に重ね合わせ誤差を算出する。信頼性情報付与部２５０は、複数の半導体チップ１２別の重ね合わせ誤差と基準データに基づいて、複数の半導体チップ１２それぞれに信頼性ランクを示す信頼性情報を付与する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板およびバッファ層を含む半導体基板における正孔または電子の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に設けられたバッファ層とを有する半導体基板における漏洩電流または絶縁破壊電圧の測定方法であって、バッファ層に、電界が印加されるとバッファ層に正孔を注入する材料からなる正孔注入電極を含む複数の電極を設ける段階と、複数の電極から選択した、少なくとも一つの正孔注入電極を含む第１の一対の電極に電圧または電流を印加した場合における、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧を測定する段階と、第１の一対の電極を流れる電流および第１の一対の電極間の電圧に基づいて、半導体基板における正孔の移動による漏洩電流または絶縁破壊電圧を測定する段階とを備える測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電気部品に組付けられた半導体チップ間の電気的特性の差を小さくすることのできる半導体チップの組付け方法を実現する。
【解決手段】 パワーＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードＤ１〜Ｄ４の順方向電圧ＶＦが近似しているＮ型ＭＯＳＦＥＴチップ２１，２２を特定し、それらをペアにして、半導体ウエハ１の分断後、直接回路基板３に組付ける。また、同様にＰ型ＭＯＳＦＥＴチップ６１，６２を直接回路基板３に組付ける。モータ制御装置のＨブリッジ回路を構成する各パワーＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの順方向電圧ＶＦが近似しているため、モータ制御装置をバッテリに逆接続した場合に流れる逆電流がＨブリッジ回路の一方に偏るおそれがないので、回路やモータが破壊され難い。 （もっと読む）

【課題】より多くのデータを取得できるようにした半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】複数の試験チップに通常試験を実施する工程と、複数の試験チップの中から、予め設定されたサンプリング頻度に基づいて特別試験の対象となる試験チップ（即ち、特定チップ）を選択する工程と、特定チップに特別試験を実施する工程と、を含む。特別試験では、特定チップに負荷を与えてこれを破壊又は劣化させる。プローブ検査の工程で、より多くのデータを取得することができる。 （もっと読む）

【課題】経時的絶縁膜破壊試験等のウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保する手段の提供。
【解決手段】電流Ｉ１を発生する定電流回路１１と、電流Ｉ２を発生する定電流回路１２と、プローブ３が有し、プローブ３と定電流回路１１とを接続するプローブ接続部３ａと、プローブ４が有し、プローブ４と定電流回路１２とを接続するプローブ接続部４ａと、電極Ｆ＋と接続されるプローブ１３と、電極Ｆ−と接続されるプローブ１４と、定電流回路１１とプローブ１３との間を開閉するスイッチＳ１と、定電流回路１２とプローブ１４との間を開閉するスイッチＳ２と、電極Ｆ＋及び電極Ｆ−の何れか１つの電極上において絶縁膜が成長する所定時間が経過する前はスイッチＳ１及びスイッチＳ２を開き、上記所定時間の経過後に、スイッチＳ１及びスイッチＳ２を閉じる制御回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性試験で検出された不良配線の短絡箇所を、ボルテージコントラスト法により、短時間に確実に特定できる方法を提供する。
【解決手段】多数の第１の並列配線領域が第１の接続領域で接続された一方の（櫛歯状）配線１１と、多数の第２の並列配線領域が第２の接続領域で接続された他方の（櫛歯状）配線１２とを、第１と第２の並列配線領域が対向する配置で、絶縁膜に埋め込まれた状態で形成し、第１の並列配線領域と第２の並列配線領域との間の絶縁膜の信頼性試験を行い、短絡を生じさせ、一方の（櫛歯状）配線１１と他方の（櫛歯状）配線１２のいずれか一方の接続領域を除去ないし断線させ、ボルテージコントラスト法の観察を行ない、並列配線領域間短絡箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の半導体用ウエハの電気的特性を適切に評価すること。
【解決手段】ロットＰＬから任意に選択されたシリコンウエハ１について（Ｓ１）、Ｉ−Ｖ特性を測定し（Ｓ２，Ｓ３）、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する（Ｓ４）。一致の場合は良品であるから出荷工程に送られる（Ｓ６）。不一致の場合は、犠牲酸化膜の成長及びその除去等を行うことにより、シリコンウエハ１に付着した不純物を取り除く。同一ロットＰＬ内の別のシリコンウエハ１について再びＩ−Ｖ測定を行い、測定値６と基準値７とが一致するか否かを判定する。 （もっと読む）