【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１の主表面１との第２の主表面２とを有する炭化珪素基板８０が準備される。第１の主表面１に電極が形成される。炭化珪素基板８０は六方晶の結晶構造を有し、第１の主表面１の｛０００１｝面に対するオフ角が±８°以内であり、第１の主表面１は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第１の主表面１に生ずる７５０ｎｍ以上の波長域における発光領域３の密度が１×１０⁴cm^-2以下であるような特性を有する。 （もっと読む）

【課題】不良の太陽電池になり得る素地を含む間接バンドギャップ半導体構造の検査システムを提供する。
【解決手段】光源110は間接バンドギャップ半導体構造140にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させる。ユニット114は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ112は光をコリメートする。半導体構造140はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明される。撮像デバイス130は半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、半導体構造140の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理される。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の高温特性検査において、チップ面積を増大させることなく低コストで実現可能な半導体発光素子の温度特性検査装置および温度特性検査方法を提供する。
【解決手段】温度特性検査装置１０は、電流印加・電圧測定装置１と測定対象の半導体発光素子２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、電流印加部１１、電圧検出部１２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、たとえば、チッププローバであり、ウェハ状態の半導体発光素子２の電極にプローブをあて電流印加、電圧測定を行っている。測定された順方向電圧値や光出力値を用いて、たとえば、外部にある演算部３、判定部４により、半導体発光素子２の温度特性の良否判定が行われる。 （もっと読む）

【課題】下地基板の導電性を問わずに非破壊でＨＥＭＴ構造のシート抵抗を評価する方法を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴ構造を備えるエピタキシャル基板のシート抵抗評価方法が、障壁層におけるIII族元素の組成比を除いて評価対象エピタキシャル基板と同一の構造を有する複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてフォトルミネッセンス測定を行い、得られたスペクトルからバンド端ピーク強度値を取得する第１予備測定工程と、複数のエピタキシャル基板のそれぞれについてシート抵抗値を測定する第２予備測定工程と、取得したバンド端ピーク強度値とシート抵抗値とから検量線を作成する検量線作成工程と、評価対象エピタキシャル基板についてフォトルミネッセンス測定を行ってバンド端ピーク強度値を取得する実測工程と、得られたバンド端ピーク強度値と検量線とに基づいて評価対象エピタキシャル基板のシート抵抗値を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベルＬＥＤチップのための検出用法及び検出装置並びにそれらの等眼０プローブカードについて開示している。
【解決手段】透明プローブカードが備えられ、その透明プローブカードは、ＬＥＤチップにおいて照明試験を実行するようにコンタクトを介してＬＥＤチップの試験パッドに電気的に接続するためのウェーハを覆う。ＬＥＤチップが照明されるとき、イメージング処理が、検知要素において画像を生成するようにＬＥＤチップの光信号に関して実行される。画像が捕捉され、画像浸透は、ＬＥＤチップの各々に対応する光フィールド情報及び位置情報に変換される。ＬＥＤチップのスペクトル及び発光強度は、ＬＥＤチップの光フィールド情報に従って得られる。ＬＥＤチップは、ＬＥＤチップのスペクトル及び発光強度に従って分類される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図りつつ、正確な故障箇所の位置の特定を可能とする。
【解決手段】半導体基板１０の他面に溝部を形成する工程と、部品２０と溝部の位置関係を示すレイアウトデータを取得する工程と、部品２０に電圧を印加することにより、部品２０の故障箇所５０を発光させるとともに、故障箇所５０からの発光を溝部の内部へ伝播させる工程と、故障箇所５０からの発光により生じる第１の発光部の位置、および故障箇所５０からの発光が溝部の内部を伝播することによって生じる第２の発光部の位置を他面側から検出する工程と、第１の発光部の位置および第２の発光部の位置から、溝部の位置を推定する工程と、推定した溝部の位置に対する第１の発光部の相対位置と、レイアウトデータにおける溝部の位置とを用いて、故障箇所を特定する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂塗布装置Ｍ４において、マップデータ１８と樹脂塗布情報１４に基づき適正塗布量の樹脂を基板に実装された各ＬＥＤ素子に塗布する。 （もっと読む）

【課題】転位や積層欠陥などの結晶欠陥を容易かつ精度よく検出する。
【解決手段】単結晶基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長基板１７の上方より励起光を照射して励起した後に、フォトルミネッセンスによる発光強度のマッピングをエピタキシャル成長基板全体に渡って行う座標変換手段としてのＸＹ座標変換手段１１２と、座標変換手段１１２により座標に分割された複数のピクセルのそれぞれとこれに隣接する複数ピクセルとの差を用いて、欠陥検出すべきピクセルが欠陥ピクセルかどうかを順次検出する欠陥検出手段１１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。
【解決手段】鉄濃度既知のボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペアの乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求めること、求められたΔＰＬと既知の鉄濃度とに基づき、（ΔＰＬ）²と鉄濃度との相関関係を示す一次関数を求めること、測定対象であるボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペア乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求め、上記求められた一次関数により鉄濃度を算出すること、を含む、ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】高太陽強度及び高温（ＨＩＨＴ）環境で操作される多−接合太陽電池のスクリーニング方法を説明する。
【解決手段】各太陽電池が、重なり合って積層された少なくとも２つのｐｎ−接合（２，３，６）を備え、ｐｎ−接合の１つ（６）が、均一なｐｎ−接合である。ＨＩＨＴ環境における有用性についてスクリーニングされる多数の太陽電池（１００）が提供される。所定のバイアス電流（Ｉｓｃ）で均一なｐｎ−接合のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）画像が取得される。各太陽電池において、エレクトロルミネセンス画像内の空間的強度分布が分析され、ＨＩＨＴ環境内において電力を放出する可能性がある局部的強度変化（２２）が存在するかどうかが決定される。エレクトロルミネセンス画像内に局部的強度変化（２２）を有さない太陽電池が、第１群（Ａ）に分類され、少なくとも１つの局部的強度変化（２２）を有する太陽電池が、第２群（Ｂ）に分類される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高分解能な画像を求め、故障箇所を高精度に絞り込むことができるようにすること。
【解決手段】故障解析装置は、半導体集積回路にＸ線を照射するＸ線発生部と、半導体集積回路を透過したＸ線を光に変換する移動可能なシンチレータと、シンチレータによって変換された光を検出するとともに、電圧が印加された半導体集積回路から生じたフォトエミッション光を検出する光検出部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】窒素ドープされた４Ｈ型SiCバルク単結晶基板に含まれる６Ｈ型積層欠陥を検出できる基板の欠陥検査方法、及びこれを用いた基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板を提供する。
【解決手段】基板の表面に、波長２００ｎｍ以上３９０ｎｍ以下の紫外線を照射し、該基板から発光して得られるフォトルミネッセンス光から、少なくとも６００ｎｍ未満の光を遮断して長波長側のフォトルミネッセンス像を得て、このフォトルミネッセンス像において、隣接する部位との明暗の差から、明るい部位を６Ｈ型の積層欠陥を含んだ欠陥領域として判別するSiCバルク単結晶基板の欠陥検査方法であり、また、この方法を用いた基板の欠陥検査システム、及び、これにより得られた欠陥情報付きのSiCバルク単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】プロービング状態におけるウエハの反りを可及的に抑え、かつ十分な観測視野が得ることが可能なウエハプローバ、及び当該ウエハプローバを用いた故障解析方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１に対して固浸レンズ２３を用いた裏面解析を行うためのウエハプローバ１０であって、
ウエハ１を支持する表面に設けられた凹部１１ａと、この凹部１１ａの底面１１ａ２の一部を貫通する開口部１１ｂとを有するウエハステージ１１と、
凹部１１ａにｘ−ｙ方向に移動可能に収容され、ウエハ１を支持し、開口部１１ｂよりも小さい観測口１２ａを有する、可動プレート１２と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表層の深さ方向における電気的に活性な欠陥や汚染の分布を評価可能な半導体ウェーハの表層評価方法を提供する。
【解決手段】良品の半導体ウェーハのフォトルミネセンス強度について、複数の温度別深さ依存グラフおよび基準温度依存グラフを作成し、温度別深さ依存グラフ毎について、フォトルミネセンス強度の支配的なウェーハ深さ領域を求め、実測温度依存グラフを作成する。その後、基準温度依存グラフと実測温度依存グラフとを対比して欠陥および汚染を評価する。また、シフト量が大きい部分の温度を求め、これに応じた温度別深さ依存グラフの支配的なウェーハ深さ領域から、実測のウェーハの欠陥や汚染の深さ領域を推定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面または表層の欠陥および汚染を高感度に測定し、評価結果の信頼性を高めることが可能な半導体ウェーハの表面または表層評価方法を提供する。
【解決手段】過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。その結果、電気的に活性な欠陥および局所的な汚染を、自然酸化膜を含む酸化膜を除去しない従来法に比べて高感度に検出し、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の発光解析により半導体装置の故障箇所を精度よく検出可能な発光解析装置および発光解析方法を提供する。
【解決手段】発光解析システムは、制御部１と、画像取得部２と、画像記憶部３と、座標合わせ部４と、比較部５と、駆動装置６と、発光検出器７と、画像表示部８と、を備えている。終了テストパターンアドレスを変化させながら複数の合成発光積分画像を取得し、終了テストパターンアドレスが小さい順、すなわち開始テストパターンアドレスに近い終了テストパターンアドレスから順に良品および不良品半導体装置の合成発光積分画像の比較を行う。そのため、不良品半導体装置における異常な発光が生じる頻度が小さい場合や、良品半導体装置との発光の差異がタイミングの差異のみである場合でも、合成発光積分画像の差異を検出でき、故障箇所を特定できる。 （もっと読む）