【課題】繰り返しパターンの異常の原因を特定することが可能な評価装置を提供する。
【解決手段】評価装置１において、第１撮像素子３１は、検光子２１の透過軸の方位が偏光子１７の透過軸に対して９０度±３度の傾斜角度となるように検光子２１を回転させて、それぞれの条件でフーリエ画像を撮像し、演算処理部４０は、２枚のフーリエ画像における信号強度の差分に基づいて、ドーズ量の変化に起因する繰り返しパターン３の状態変化を検出し、２枚のフーリエ画像における信号強度の平均に基づいて、フォーカスの変化に起因する繰り返しパターン３の状態変化を検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの欠陥検査方法では、基準となるパターンの画像データを膨張・収縮といった操作を行い、許容できる最大の寸法と最小の寸法を有するマスタパターンを作製し、被検査物から得た画像データをこのマスタパターンと比較することで欠陥を発見する。このマスタパターンを作製する膨張・収縮という画像処理においては、画素毎にその周囲の画素を加減する処理が行われるが、様々な線幅が含まれる基準パターンの場合は線幅の比率によって一定の割合で膨張・収縮することが困難であった。
【解決手段】基準パターンに属する画素に背景からの距離データを付与し、周辺の画素に自分より大きな距離データがなくなるまで画素を削除し、基準パターンの骨格を代表する骨格パターンを作製する。この骨格パターンに属する画素が有する距離データに所定倍率をかけた範囲にある画素をマスタパターンとする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ膜厚の変動が疑似欠陥として検出されることなく、ＳＯＩウェーハの表面近傍を正確に検査することができるＳＯＩウェーハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可視光波長以上の波長帯の光を照射する光源を有する光学的検査装置を用いて、埋め込み絶縁層上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハの表面に前記光源から光を照射し、前記ＳＯＩウェーハからの検出光を検出して前記ＳＯＩウェーハの表面近傍を検査するＳＯＩウェーハの検査方法において、検査対象の前記ＳＯＩウェーハの埋め込み絶縁層の厚さに応じて、前記ＳＯＩウェーハへの照射光の波長及び／又は前記ＳＯＩウェーハからの検出光の波長を設定することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】半導体検査装置に係わり、第一に、検査の良否判定、検査画像の画質の設定等を、ユーザが判断、選択等できる手段を実現して、各製造メーカや各世代のプロセスの半導体の検査を有効に効率的に実現できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体検査装置は、半導体基板６２の検査に係わり、表示装置７１の画面に検査画像と検査画像のＳＮ比などの画質情報と検査条件選択ボタン等を表示し、ユーザの操作に応じて検出回路７３の回路特性を選択制御する。検出回路７３において、検出器６５からの電流信号を電圧信号に変換するＩ−Ｖ変換回路６６では、制御回路７２からの制御により特性（Ｉ−Ｖ変換ゲイン）が切り替えられる。ユーザは検査条件選択ボタンの選択操作などにより、検査画像の画質を切り替えて検査ができる。 （もっと読む）

【課題】
プロセッサエレメント（ＰＥ）に対する耐故障性を有する外観検査装置を提供すること。また、検査を中断することなく故障状況が表示される外観検査装置を提供すること。
【解決手段】
接続されたＰＥの状態に応じてＰＥへの画像分配制御を行う画像分配制御部３２を有し、画像分配制御部３２は、ＰＥの接続状態を監視するＰＥ状態監視部３８と、接続されたＰＥの数に応じて処理負荷値を各ＰＥに割振るテーブル設定部３６と、処理負荷値に応じて画像検出速度を設定する検出速度設定部３１とを備える外観検査装置。また、検査状態や処理速度、接続されているＰＥ数を表示するモニタを備えた外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハが大型化した場合における、検査装置における（１）ステージの加速・減速制御の複雑化、（２）スループット低下、（３）ステージ反転動作時のステージ支持台の振動増大（分解能劣化）等の問題を解決する。
【解決手段】ウェハ６を回転させ、回転するウェハ６に対して走査型電子顕微鏡１から電子ビームを照射し、ウェハ６から放出される２次電子９を検出する。検出された２次電子９は画像処理部において、ＡＤ変換１６され、画像データ並べ替部１７において並べかえられ、画像演算１８されて表示される。これによってステージ４をＸ方向、Ｙ方向に大きく移動することなく、ウェハ６の全ダイの画像情報を取得することが出来る。 （もっと読む）

【課題】干渉フィルタの透過波長が変化せず安定した光量の照明光を出射することができる照明装置および該照明装置を備えた表面検査装置を提供する。
【解決手段】照明装置５０は、光源５１から放射された光を特定波長を含む照明用の光と該照明用に光以外の非照明光とに分割するダイクロイックミラー５３と、分割された照明用の光から前記特定波長を有する照明光を抽出する干渉フィルタと、干渉フィルタをウエハ照明光路Ｏｐ１とフィルタ加熱光路Ｏｐ２とに移動させることが可能な第１，第２フィルタ装置５６，５７と、第１，第２フィルタ装置５６，５７により干渉フィルタをフィルタ加熱光路Ｏｐ２に移動させて干渉フィルタに前記非照明光を照射して干渉フィルタを加熱させた後、第１，第２フィルタ装置５６，５７により干渉フィルタをウエハ照明光路Ｏｐ１に移動させて干渉フィルタに前記照明用の光を照射して前記照明光を抽出して出射させる制御を行う制御部とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】検出信号から帯電むらの影響をリアルタイムで低減させることが可能な半導体検査装置の提供。
【解決手段】帯電むらなどによって生じる低周波信号を実信号から消失させるためには、検出信号の伝送径路に直列にコンデンサ１１４を追加する。プリアンプは、電磁リレー１１２、信号経路１１３及び信号パス１１５を介して電磁リレー１１６が接続されている。信号経路１１３は、互いに並列に接続された信号線からなり、各信号線は互いに静電容量値が異なるコンデンサ１１４が接続されている。電磁リレー１１６は、増幅器１１７、高域制限フィルタ１１８、増幅器１１９を介してＡＤ変換器に接続されている。また、ＡＤ変換器は、オフセット調整部１２０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 基盤電流値を用いてコンタクトホール底、ビアホール底のプロセス状態の定量評価を実施する際に、ホール底以外の影響を最小限に抑制し、ホール底のプロセス状態を評価できるコンタクトホール界面評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明のコンタクトホール界面評価方法は、電子ビームＥＢをウェハ基板ＷＥＨのコンタクトホールＣＯＮＨに照射して、ウェハ基板ＷＥＨに吸収される吸収電流値をウェハ基板電流値ＩＡＣとして測定することによってコンタクトホール界面ＣＯＮＨＤを評価するものであり、電子ビームＥＢの照射により測定されるウェハ基板電流値ＩＡＣがウェハ基板ＷＥＨの帯電状態や微妙な表面状態の影響を受けることを避けるために、任意のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣを基準にして、それ以外の複数のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣとの差分を求め、コンタクトホール界面を評価する。 （もっと読む）

【課題】 偏光解析装置、偏光解析による異常検出方法、磁気記録媒体の製造方法、及び、半導体ウェーハの製造方法に関し、試料の広範囲の平均的な膜厚、形状、物理特性を短時間、かつ精度よく計測する。
【解決手段】 試料上の分光光学特性を計測する計測機構と、前記計測機構からの計測光が前記試料に当たる位置を調整できるステージ機構と、前記計測光の前記試料上での照射位置を検出するためのステージ位置検出機構と、前記試料を移動させながら前記計測光が前記試料上の予め設定した所定の領域にある時のみ所定の波長の光学特性を加算して取得および記録する受光記録機構と、前記受光記録機構における記録を基に前記試料の表面の構造を解析するエリプソメーター或いはスキャトロメーターのいずれかの解析機能を有する偏光解析機構とを設ける。 （もっと読む）

【課題】精度高く基板の検査を行うことができる基板検査方法を提供すること。
【解決手段】３次元のワールド座標系における座標が既知である基準点を含む治具を撮像カメラにより撮像し、撮像素子のピクセル群により特定される画像座標系上の前記基準点の座標を取得する。そして、その基準点の座標を撮像カメラに設定されたカメラ座標系の座標へと変換し、ワールド座標系とカメラ座標系との変換パラメータを演算により求める。そして、その変換パラメータを用いて、被検査基板を撮像して得られるピクセル座標系上の画像データをワールド座標系上の画像データへと変換して検査を行う。このワールド座標系における被検査基板の画像は、撮像手段の位置及び姿勢による歪みが抑えられているので、被検査基板の検査精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】標準データの取得が容易な欠陥解析装置，および欠陥解析方法を提供する。
【解決手段】欠陥解析装置は，半導体ウエハへの所定の処理に対応する処理パターンの情報を含むデータを記憶する記憶部と，複数の標本箇所それぞれでの前記処理パターンの特徴を抽出する第１の抽出部と，前記複数の標本箇所における，特徴と頻度の第１の対応関係を導出する第１の導出部と，半導体ウエハから検出された，複数の欠陥箇所それぞれでの前記処理パターンの特徴を抽出する第２の抽出部と，前記複数の欠陥箇所における，特徴と頻度の第２の対応関係を導出する第２の導出部と，前記第１，第２の対応関係に基づき，標本箇所と欠陥箇所とで，頻度が乖離する特徴を検出する検出部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＥＭレビューを、より効率的に行う技術が望まれている。
【解決手段】 記憶装置に、異なる条件で欠陥検出が行われた２種類の欠陥検出データが記憶される。撮像装置が、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する。制御装置が、欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも２つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定する。欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う。 （もっと読む）

【課題】パターンが連結しているか分断しているかを確実に判断することができ、さらに、パターン形状を定量的に評価することが可能なパターン形状の評価方法を提供する。
【解決手段】測定対象パターンが連結しているか分断しているかを判定するパターン形状の評価方法であって、
前記測定対象パターンを有する画像データに対して、所定の領域に測定対象領域を設定し、
前記測定対象領域における前記測定対象パターンの輪郭を構成する、複数のパターン輪郭点を抽出し、
前記複数のパターン輪郭点を元に、前記パターン輪郭点の集合であって隣り合う前記パターン輪郭点間の距離が全て所定の値以下である、２つのパターン輪郭点列を作成し、
前記２つのパターン輪郭点列間の最短距離を算出し、
前記最短距離を与える２つの前記パターン輪郭点を通る直線と、前記測定対象領域に対して任意に定められた基準線のなす角度を算出し、
前記角度に基づいて、前記測定対象パターンの形状の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】より高感度な検査を行うことができる表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１において、照明光学系３０は、照明装置３１からの光を偏光にする第１の偏光素子３３を有し、照明装置３１から第１の偏光素子３３を透過して得られた偏光をウェハ１０の表面に照射するように構成され、撮像光学系４０は、第１の偏光素子３３に対してクロスニコル状態となるように配置された第２の偏光素子４３を有し、偏光が照射されたウェハ１０の表面から第２の偏光素子４３を透過して得られた光を検出するように構成されており、第１の偏光素子３３および第２の偏光素子４３が、光路上に並んで配設された消光比の波長特性が互いに異なる複数の偏光部材３４〜３６，４４〜４６を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況を評価する半導体検査装置において、電子銃１０によって所定の電子ビームサイズでコンタクトホールを照射し、その際に測定される吸収電流値をコンタクトホールサイズで正規化した値をグラフ化し、そのグラフから任意の領域を指定して、表示装置１５０に表示されるウェハ上のマップにその測定点を表示する。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の検査工程を含む半導体装置の製造技術において、検査の迅速性を損なうことなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウェハの主面上に中間配線層（工程ｓ０３，ｓ０５）、ビア層（工程ｓ０４，ｓ０６）、最上配線層（工程ｓ０７）を形成する。中間配線層を形成した後の電位コントラスト観察工程ｖｃ０１，ｖｃ０２と、最上配線層を形成した後の電気的検査工程ｅｃ０１とを有する。中間配線層は、平面積が大きい第１配線パターンと、面積が小さく、浮遊状態となる第２配線パターンとを有する。最上配線層は、第１配線パターンに導通する第１最上配線パターンと、第２配線パターンに導通する第２最上配線パターンとを有する。電気的検査では、第１最上配線パターンと第２最上配線パターンとの間に電位差を与えて導通状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの除電を効率よく行うことができ、基板電流をより正確かつ精密に測定可能なウェハ除電方法を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハの除電方法は、電子ビーム照射によりウェハＷＥＨに流れる基板電流を真空中の試料室内で測定する前に、Ｘ線イオナイザー１’を用いて軟Ｘ線を気流存在の条件下で、ウェハＷＥＨに向けて照射して、ウェハＷEＨに帯電している電子を除電する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ等の基板に欠陥などを生じさせることなく、ウェハを帯電させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 （もっと読む）