【課題】ＳＥＭ画像から輪郭線を抽出してＧＤＳＩＩなどのポリゴン座標データに変換する際に、輪郭を構成する座標点数をなるべく少なくすると同時に、パターン形状の変動を転写シミュレーションに影響がない程度に抑えるパターンデータ変換方法及びパターンデータ変換装置を提供する。
【解決手段】フォトマスク又はウェハのパターンデータの画像を入力し、入力したパターンデータの輪郭線を抽出するとともにパターンデータの輪郭線をより滑らかに変形するように変形処理し、変形処理された輪郭線からパターンデータを再現するのに必要な座標データを抽出してポリゴン座標データを生成することを特徴とするパターンデータ変換方法。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層パターンやホールパターンの穴底などの鮮明度の低い領域に対して高画質化が行える，高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】
設計データの高さ情報または画像から求めた試料の高さ情報の推定値を用いて鮮明化強度を計算し，該鮮明化強度を用いて撮像画像の画質改善処理を行う。 （もっと読む）

【課題】デザイナ・インテント・データを使用してウェハとレチクルを検査する方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータで実施される方法の１つに、ウェハの検査の前にウェハ上でパターンを形成するのに使用されるレチクルの検査によって作られた検査データに基づいてウェハ上のニューサンス欠陥を識別することを含む。もう１つのコンピュータで実施される方法に、ウェハの検査によって生成されたデータを、レチクルの部分の異なるタイプを識別する指定を含むレチクルを表すデータと組み合わせて分析することによって、ウェハ上で欠陥を検出することを含む。追加のコンピュータで実施される方法に、ウェハに形成されたデバイスの特性を変更する欠陥に基づいて、ウェハの処理に使用される製造プロセスのプロパティを決定することを含む。もう１つのコンピュータで実施される方法は、ウェハの検査によって生成されたデータに基づいて集積回路の設計の１つまたは複数の特性を変更またはシミュレートすることが含まれる。 （もっと読む）

【課題】作業者の負荷が大きいという問題や作業効率が低いという問題がある。
【解決手段】取得部１１は、半導体パターンが写されたパターン画像を取得する。入力部１２は、描写フィールドのフィールドサイズと、描写フィールドの継ぎ目の幅とを受け付ける。制御部１４は、入力部１２が受け付けたフィールドサイズおよび継ぎ目の幅に基づいて、その継ぎ目に相当する半導体パターン上の領域である非検査領域を特定する。検査部１５は、取得部１１が取得したパターン画像を用いて、半導体パターンから制御部１４にて特定された非検査領域を除いた最終検査領域内の欠陥を少なくとも検査し、その最終検査領域内の欠陥を示す最終検査結果を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのピックアップ工程を正確に検証することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ピックアップ済みの半導体ウェハＷＦに対し、ラインカメラＬＣＭを用いた各列毎の撮像が行われ、この撮像データ群３１から得られるマップデータと、プローブ検査によって得られたウェハマップデータＷＭＤとが自動照合手段３２で照合される。この撮像データ群３１からマップデータを得る際には、ダイシング時のブレードによってダイシングシートＤＳ上に形成されたダイシング溝１０が検出され、このダイシング溝１０の区画と基準チップＣＰ＿Ｒとの位置関係に応じてチップ座標が認識され、各チップ座標におけるチップＣＰの有無に基づいてマップデータが生成される。 （もっと読む）

【課題】部品数の増加及び装置の大型化を伴うことなく、短時間でビーム照射位置の調整が可能なビーム調整装置を実現する。
【解決手段】調整用ミラー１９ａ、１９ｂはチルト機構１０１により回転され、シフト機構１０２により直線的に移動される。光１８はビーム調整機構１０で調整後、集光レンズ移動機構１２１でレンズ１２を移動させレンズ１２通過後の光及びレンズ１２を通過しない光がＣＣＤカメラ１３に照射される。レンズ１２とＣＣＤカメラ１３の受光面との距離は焦点距離でありレンズ１２中心とＣＣＤカメラ中心との位置を合せておく。チルト調整量を算出しビーム調整機構１０で平行光となるように補正し、その後にレンズ１２を通過させずにＣＣＤカメラ１３に光を入射させビームのシフト調整量を算出しビーム調整機構１０でＣＣＤカメラ１３の中心に光が収束するようにビームのシフト、チルトを補正する。 （もっと読む）

【課題】欠陥レビューのレポート作成に要する時間を短縮し、欠陥レビュー装置あるいは検査システムユーザの利便性を向上する。
【解決手段】被検査試料に存在する複数の欠陥のレビュー機能を有する欠陥レビュー装置に接続されて使用されるレビュー支援装置１３において、外観検査装置３などによって取り込まれた欠陥の位置情報と画像情報とを処理する演算手段と、欠陥レビューの結果を要約したレビューレポートを作成するための操作画面が表示されるモニタとを有し、レビューレポートのレイアウト編集機能を持ったレビューレポート作成ツール１０〜１２を構成することにより上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、検出感度を向上させることができるパターン検査装置及びパターンを有する構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンの光学画像に基づいて検出データを作成する検出データ作成部と、前記パターンに関する参照データを作成する参照データ作成部と、テンプレートを構成する画素における論理を任意に設定することができる可変テンプレートを有するテンプレートマッチング部と、前記検出データと、前記参照データと、を比較して欠陥部を検出する欠陥検出部と、を備えたことを特徴とするパターン検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法やパターン形状ばらつきの低減や下層との重ね合わせやダブルパターニング法を用いた半導体デバイス製造時の重ね合わせ精度向上。
【解決手段】本発明では、パターン形状のばらつきの定量化および適正化を達成するために、以下の手段を用いた。半導体集積回路の一部が形成されたシリコン基板上で、電子を発生させる電子源と電磁レンズあるいは静電レンズからなる電子光学系により試料上で上記電子を走査して得られる信号により構成したＳＥＭ画像を取得して、複数の画像を平均化あるいは設計データから自動生成によって参照画像をもとめ、比較して、パターンの形状ばらつきや重ねあわせ精度を統計的に算出する。これらの算出をもとに、製造条件にフィードバックあるいはフィードフォワードをかけるＡＰＣを実施する。 （もっと読む）

【課題】
検査レンズの波面収差は欠陥検出感度を低下させる傾向があり、波面収差の装置間差が、検査感度一致度を下げる原因の一つとなっていた。特に検査レンズの外側は波面収差が大きくなる傾向があるため、(a)像高が高い場合、(b)光が低仰角方向へ強く散乱される欠陥を検出する場合、収差の影響を受けやすくなる。
【解決手段】
本発明では上記課題を達成するために、以下の手段を備えたシステムとして構成されるようにした。
(1)：レーザ等の光源、及び照明光学系、
(2)：検出光学系レンズの波面収差を測定可能な瞳面観測系、もしくは波面収差測定方式、
(3)：収差の大きい瞳面上の領域を遮光可能な2次元空間フィルタ、
(4)：(2)及び(3)を持つ散乱光を検出するための１つまたは複数の欠陥検出光学系及び光検出器、
(5)：波面収差測定に用いる点光源。 （もっと読む）

【課題】効率的に検査領域を設定することが可能な半導体装置の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ＮｏｎパターンＤｉｅ１０及びパターンＤｉｅ１１を比較して第１の仮パターンを取得し、第１の仮パターン第１の微細部分の集合とし、第１の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第１の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第１の微細部分を抽出し、抽出された第１の微細部分から第１のエッジ領域を規定し、ＮｏｎパターンＤｉｅ及びパターンＤｉｅを９０度回転させて比較して第２の仮パターンを抽出し、第２の仮パターンを第２の微細部分の集合とし、第２の仮パターンのＹ座標それぞれについて、隣り合った第２の微細部分間のＸ軸方向の座標差が所望の値より大きくなる第２の微細部分を抽出し、抽出された第２の微細部分から第２のエッジ領域を規定し、第１及び第２のエッジ領域に囲まれている領域を検査領域として導出する。 （もっと読む）

【課題】
多様な欠陥種の高感度検出と高感度化に伴い増加するノイズやNuisance欠陥の抑制が必要である。
【解決手段】
被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、前記照明光学系により照射された前記被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系と、異なる条件で前記検出光学系により取得された複数の画像データについてそれぞれ欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、前記複数の画像データについての欠陥候補を統合処理して欠陥判定を行う検査後処理部と、を備えた画像処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】
撮像する度に発生する異なる歪を算出し、画像毎に異なる歪補正をすることによって、高感度での欠陥検出を可能とし、かつ、歪の無い検査画像を出力する。
【解決手段】
検査画像をビーム走査方向に長い小領域に分割し，領域毎に参照画像と位置合せを行い，検査画像と参照画像の歪状態を補正し、歪補正した検査画像と参照画像の差分を演算して欠陥を検出し、欠陥箇所の歪補正した検査画像と参照画像とをＧＵＩ上に表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】多層パターンに対してテンプレート・マッチングを短時間で且つ正確に行うことができる画像処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】上層パターンと下層パターンをそれぞれSEM画像の間でパターン・マッチングを行ない、上層相関マップと下層相関マップを生成する。上層相関マップと下層相関マップを合成して合成相関マップを生成する。合成相関マップより、相関値が極大値を取る点を、マッチング位置とする。このような予備マッチングの結果を利用して、再度、高精度マッチングを行う。高精度マッチングでは、上層パターンと下層パターンを合成し、合成画像を生成する。この合成画像は層間ズレ情報が含まれている。この層間ズレ付き合成画像とＳＥＭ画像の間でテンプレート・マッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】より多数のリソグラフィ用合わせマークおよびＰＣＭを設けることができ、かつＰＣＭによる情報の漏えいを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の第１半導体チップ領域ＣＲａに挟まれる第１スクライブ領域ＳＣａの一部には、第１領域ＲＡおよび第２領域ＲＢが平行に配置されている。第１領域ＲＡには、能動素子（トランジスタなど）および受動素子（抵抗、容量など）の少なくともいずれかの電気的評価を行うための第１モニター、寸法管理を行うための第２モニター、および、膜厚測定を行うための第３モニターから選択された少なくとも１つのモニターが配置されている。第２領域ＲＢにはリソグラフィ用合わせマークが配置されている。切断する工程において第１領域ＲＡが切り落とされる。 （もっと読む）

【課題】高スループットかつ高感度の欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】広帯域波長の照明を用いて結像性能を向上させることが有効である。そこで、従来の屈折型光学系より広帯域波長の照明が使用可能な反射型光学系を用い、更に良好な収差状態を得られるレンズ外周部の円弧形状のスリット状視野にする。しかしこの方式は、受光面での各検出画素寸法の違いによる明るさの差と、センサの出力配列を視野内の位置座標に対応付けることが課題である。課題を解決するために、明るさの差及び座標を画素位置に応じて個別に補正する。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されたパターンの欠陥を高精度で検出できる検査領域の設定を簡単に実行する。
【解決手段】半導体集積回路のダイの設計レイアウト図における複数のサンプリング位置からパターンを抽出するパターン抽出ステップ（ステップＳ２）と、前記抽出されたパターンを図形的特徴の一致度に基づいて前記抽出されたパターン数よりも少ない複数種類に分類するパターン分類ステップ（ステップＳ３）と、前記ダイの大きさよりも小さい候補領域を定め、前記定めた候補領域のうちの前記パターン分類ステップにより分類されたパターンの種類を最も多く含む候補領域を欠陥検査を実行する検査領域に設定する空間探索・空間探索・検査領域設定ステップ（ステップＳ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】凹パターンと凸パターンを有する絶縁膜における凹パターンの底面を明瞭に観察する。
【解決手段】絶縁膜に形成された、ラインパターン２とスペースパターン３を有するパターン１を観察するパターン観察方法であって、パターン１に電子ビームを照射してパターン１の仮画像を取得し、この仮画像を用いてラインパターン領域４とスペースパターン領域５を算出し、ラインパターン領域４に対して正帯電条件で電子ビームを照射し、かつ、スペースパターン領域５に対して負帯電条件で電子ビームを照射することにより、ラインパターン２の上面とスペースパターン３の底面との間に、スペースパターン３の底面から放出される二次電子をパターン１の外側に引き出すための電界を形成し、その後、パターン１に電子ビームを照射して、スペースパターン３の底面の情報を有するパターン１の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】
半導体パターンの広範囲の撮像領域（ＥＰ）を複数の撮像領域（ＳＥＰ）に分割し，ＳＥＰをＳＥＭを用いて撮像した画像群を画像処理により繋ぎ合せるパノラマ画像合成技術において，繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが少なくても全画像が繋がるＳＥＰを決定すること，およびそのようなＳＥＰを決定できなくてもユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを決定することである。
【解決手段】
一部のＳＥＰ間の重複領域に繋ぎ合せの手掛かりとなるパターンが含まれなくても全画像が繋がるケースがあることに着目し，ＳＥＰ配置の最適化により前記ケースを抽出することで全画像が繋がるＳＥＰを決定できるケースが増える。また，そのようなＳＥＰを決定できなくても，複数のＳＥＰ配置の候補とユーザの要求項目を可視化した情報を表示・ＳＥＰを選択させることでユーザの要求項目をなるべく満たすＳＥＰを容易に決定できる。 （もっと読む）