【課題】画像内に含まれる目的の対象物を検出する速度を向上させる。
【解決手段】標準パターンの領域を、任意の点である領域分割中心点から放射線状に２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある標準パターン画素位置を標準パターン代表点として選定する。被判定パターンの領域を、標準パターン代表点選定ステップと同じ条件で領域分割中心点を用いて２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある被判定パターン画素位置を被判定パターン代表点として選定する。対応する分割領域における標準パターン代表点の座標と被判定パターン代表点の座標の位置的差異を求め、すべての分割領域において位置的差異が予め定められた範囲内であるときに被判定パターンは目的の対象物であると判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の高分解能な画像を求め、故障箇所を高精度に絞り込むことができるようにすること。
【解決手段】故障解析装置は、半導体集積回路にＸ線を照射するＸ線発生部と、半導体集積回路を透過したＸ線を光に変換する移動可能なシンチレータと、シンチレータによって変換された光を検出するとともに、電圧が印加された半導体集積回路から生じたフォトエミッション光を検出する光検出部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全体に亘る高寸法均一性を得るように後続半導体処理段階を制御するためにウェーハにおいて複数の位置を測定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】その方法及び装置は、処理寸法マップを作成するように複数の位置において特徴の寸法をマッピングし、寸法マップを処理パラメータマップに変換し、そして、その特定のウェーハに対して後続処理段階を調節するように処理パラメータマップを用いる。ウェーハはまた、目的の出力と実際の出力とを比較するために処理後に測定され、その差分は、後続のウェーハのために寸法マップから処理パラメータマップへの変換を改善するように用いられる。 （もっと読む）

【課題】マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。
【解決手段】検査対象を撮像して光学画像を得る。また、パターンの設計データから参照画像を作成する。１つ以上のテンプレートと、検査に必要なパラメータセットとを備えた検査レシピを用意する。パターンとテンプレートを照合して、テンプレートに対応する参照画像を選択する。選択した参照画像について、任意の座標を基準としてパラメータセットにしたがい第１のエッジと第２のエッジを検出する。選択した参照画像に対応する光学画像について、第１のエッジに対応するエッジと、第２のエッジに対応するエッジとを検出する。光学画像と参照画像との差または光学画像で検出したエッジ間の線幅を測定することにより、光学画像と参照画像との線幅の差から検査値を求める。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造プロセスにおいて，パターン微細化に伴い，致命となる欠陥サイズも微小化しており，微細な欠陥を検出するために欠陥検査装置の感度を上げると，本来は欠陥ではない製造公差などを検出してしまい，欠陥の発生傾向を捕らえることが困難となる。
【解決手段】
被検査対象を検査する方法において，被検査対象の指定箇所について画像撮像手段を用いて撮像し，撮像した画像から欠陥を検出し，撮像した画像から回路パターンを認識し，検出した欠陥から画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，認識した回路パターンから画像濃淡および形状に関する特徴量を算出し，検出した欠陥と認識した回路パターンの中から特定の欠陥又は回路パターンをフィルタリングして抽出し、フィルタリングして抽出された特定の欠陥又は回路パターンの特徴量の中からマッピングする特徴量を決定し、決定した特徴量の分布状況を画面上にマップ形式で表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】試料の観察画像の回転を精度よく検出することのできる画像処理技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る画像処理装置は、試料の測定箇所を含む広角画像データを介して、測定画像データと基準画像データの間の回転ずれを間接的に補正する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域をデータ点の分布領域を横切る分割用直線によって２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割領域内のデータ点のうち分割用直線が延びる２方向でそれぞれ最も外側に位置するデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域を任意の点である領域の分割中心点から放射線状に２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割中心点から最大距離にあるデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】精度の良い試料表面検査を行える方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子線式試料表面検査装置を用いて試料表面を検査する方法であって、前記試料表面検査装置の電子銃から発生した電子ビームを前記試料表面に照射し、前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面に向けて結像させ前記試料表面を検査する方法において、前記検出器の検出面における前記二次電子の結像条件を、前記試料表面の電位が前記試料表面に照射された電子ビームの量に応じて変化するように制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体の微細化、プロセスの複雑化に伴いプロセスのマージンは減り、プロセスの条件出しが難しくなっているため半導体の開発初期においてはウェーハ全面において良品チップが存在しない場合があり、定点検査を実行する場合において、比較検査のための適切な基準画像を撮像することができないという課題を解決する技術を提供する。
【解決手段】複数チップの定点検査画像を用いて平均化画像を生成し、定点位置に対応する回路デザインに関する情報を用いて平均化画像を評価し、平均化画像を基準画像とするか否かを決定する。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】高感度にＲＯＩ領域の欠陥発生頻度や特性尤度の効率的なモニタリングをする。
【解決手段】ステージの連続移動に同期して、マトリクス状に配置した複数の電子線をステージ移動方向に間引いて回路パターンに照射し、発生する二次電子等を取得し、同一領域で取得した画像を加算平均することで高速にしかも高ＳＮの画像を取得し、取得画像より回路パターンの欠陥を判定する。ステージ移動と垂直方向への移動時に隣接領域ではなく、間引いて画像取得することで、ＲＯＩ領域のみ、又は回路パターン全体の欠陥発生頻度や特性尤度を効率的にモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】合わせずれ検査のサンプリングの精度を保持したままで合わせずれ補正係数を適正化する。
【解決手段】測定値の許容範囲を決定する工程と、第１サンプリングプランと第１合格判定値の算出条件を決定する工程と、第１測定値を取得する工程と、第１分布関数、合わせずれ誤差要因、第１合格率および第１補正係数精度を求める工程と、第２サンプリングプランを上記合わせずれ誤差要因に基づいて決定し、第２合格判定値の算出条件を決定する工程と、第２測定値を取得する工程と、第２分布関数、第２合格率および第２補正係数精度を求める工程と、上記許容範囲を用いて、上記第１分布関数、上記第１合格率および上記第１補正係数精度、並びに、上記第２分布関数、上記第２合格率および上記第２補正係数精度を比較することにより、上記第１サンプリングプランおよび第２サンプリングプランのいずれが適切かを評価する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【課題】照明条件、もしくは検出条件の異なる検査結果を統合することで、ノイズやNuisance欠陥と真の欠陥を高精度に判別することができる欠陥検査装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置であって、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、該複数の画像データから検出された欠陥候補の情報を統合して、欠陥とノイズを判別する検査後処理部とを有する画像処理部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層構造を有する回路パターンのように、観察像のコントラストが明確でない回路パターンを、正確に検査することのできる技術を提供する。
【解決手段】パターン検査方法は、反射電子像の輝度を用いて回路パターンを区分し、各区分に属する反射電子像内の領域と、２次電子像内の領域とを対応付ける。具体的には、反射電子の信号からＢＳＥ像を合成し（ステップＳ３０２）、区分する（ステップＳ３０４）。さらに、パターンマッチングを行って（ステップＳ３０６）、設計データとの比較により所望の回路パターンが得られたかを検査する（ステップＳ３０７）。 （もっと読む）