【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの特性を決定するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】検査システム１６を用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステム１６は、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。 （もっと読む）

【課題】回折構造体の測定パラメータモデルを利用する分光散乱システムおよび方法を提供する。
【解決手段】モデルの固有値を事前計算し、記憶し、ある共通の特性をもつ他の構造体に対して後に再利用する。１つ以上のパラメータの値を求めるために用いられる散乱データは、下敷フィルム特性に対して感度が低くなる波長におけるデータだけに制限することが可能である。代表的な構造体をスラブ２００’（ｉ）のスタックにスライスし、各スラブの近似を行うため四角形ブロック２１０，２１２，２１４，２１６，２１８のアレイを作成することによって三次元グレーティングに対するモデルを構築することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】限界寸法の測定、及び、製造均一性を監視する方法とシステムを提供する。
【解決手段】
限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ，ＣＤ）を測定する方法は、ダイの少なくとも１つの注目領域をスキャンして、少なくとも１つの走査像を得るステップと、走査像を少なくとも１つの設計レイアウトパターンに照準させて、走査像内の複数の境界を識別するステップと、設計レイアウトパターンに対応する特定タイプの限界寸法に関連するパターンの１つ、又は、複数の境界からそれぞれ測定される距離を平均化し、ダイの限界寸法の値を得るステップと、を含む。ダイの限界寸法の値は、相対して高いスキャン速度により得られる低解像度の走査像から得られるので、上述の方法は、受け入れ可能な検査時間内で、ウェハ全体中の各ダイの限界寸法の値を得て、半導体製造プロセスの均一性を監視することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの検査が妨げられることなく、焦点補正を行うことができる回路パターン検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】回路パターン検査装置では、同一の回路パターンを有する複数のチップ領域（ダイ）を有する半導体ウエハを検査するとき、チップ領域毎の検出用画像５２２，５２３，５２４をモニタ５０に表示し、チップ領域毎の検出用画像５２２，５２３，５２４から、回路パターンの欠陥を検査する。また、チップ領域毎の検出用画像５２２，５２３，５２４から所定の画像領域を切り出し、切り出した画像を用いて自動焦点補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体パターンであっても，撮影中一次荷電粒子線照射起因帯電の影響を抑制し，二次荷電粒子の検出率の変化を抑制することにより視野内の計測歪みを抑制することのできる走査型荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 試料８上の二次元領域に対し，荷電粒子線４のライン走査の方向が交互に反転するように走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡において，荷電粒子線４の走査ライン間距離は，試料８に荷電粒子線４を照射したときの，試料８の帯電特性又は試料８の明度の視野内均一性に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題がある。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【解決手段】本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インプリントパターンの欠陥の有無の検査を効率化する。
【解決手段】下地層１上に導電層２を形成し、導電層２上にインプリントパターン４を形成し、インプリントパターン４に電解液６を接触させ、電解液６に電極７を接触させ、導電層２と電極６との間に電圧を印加し、導電層２と電極７との間に流れる電流を計測し、その電流の計測結果に基づいてインプリントパターン４の欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子顕微鏡のレンズ条件を変化させることなく、予備帯電によってもたらされる電位勾配を抑制する走査型電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料表面を帯電させる第１のビームを試料上に走査した後に、試料より放出される電子を検出するための第２のビームを走査するように、走査偏向器を制御すると共に、第１のビームの走査領域の中心部に対して相対的に、第１のビームの走査領域の周辺部の電荷密度を高めるように、前記第１のビームを走査することを特徴とする走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの全ての領域で欠陥検査が可能であり、欠陥検査が不可能な領域をなくすことができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】欠陥が検出される試料の画像を取得する画像取得手段１１０と、取得した試料の画像を複数の画像ブロックに分割する分割手段１４０と、複数のプロセッサエレメントが、画像ブロックから切り出された画像から２枚の差画像を生成し、この２枚の差画像を用いて試料の欠陥検出処理を行い、検出した欠陥の位置を含む欠陥情報を出力する第１の画像処理手段１５０と、第１の画像処理手段から出力された欠陥情報に従って、画像取得手段１１０で取得した試料の画像から画像を切り出す画像切り出し手段１３０と、複数のプロセッサエレメントが、画像切り出し手段で切り出された４枚の画像から２枚の差画像を生成し、この２枚の差画像を用いて試料の欠陥検出処理を並列に行う第２の画像処理手段１５１を備える。 （もっと読む）

【課題】検査準備時間が短く、１ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、１ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅の測定精度を向上させた表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０２）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０３）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０４）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅を求める演算ステップ（Ｓ１０５）とを有し、演算ステップでは、瞳面における対角線上の瞳内位置および対角線外の瞳内位置での階調値から、繰り返しパターンの線幅を求める。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置自体内での位置測定のために通常使用されるタイプのセンサを用いて、数あるパラメータの中でも特にＣＤおよびオーバーレイを測定可能なメトロロジ方法を提供する。
【解決手段】パターンは、基板上で互いに隣接して位置決めされかつ各々の第１および第２の周期性を有する第１および第２のサブパターン３１２、３１６を含む。パターンは観察されて、第１および第２の周期性の周波数より低い周波数における第３の周期性を有するビート成分を含む組合せ信号が得られる。リソグラフィプロセスの性能の測定値は、ビート成分の位相を参照することにより求められる。測定は、リソグラフィ装置の既存のアライメントセンサを用いて行うことができる。測定の感度および精度は、第１および第２の周期性、およびしたがって第３の周期性の選択によって調節できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）