【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】マスク上での欠陥と、そのウェハへの波及の程度を推定しながら、効率的に欠陥判定処理を行うことのできる検査措置と検査方法を提供する。
【解決手段】各転写像を次の（１）〜（３）の順にレビューする。
（１）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値以上であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値以上である場合、（２）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値未満であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値以上である場合、（３）第１の比較部で判定された欠陥の程度が第３の閾値以上であって、第２の比較部で判定されたこの欠陥に対応する欠陥の線幅または線間距離の誤差比率が第４の閾値未満である場合 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスのようなパターンの検査において、特定のパターン上の欠陥を選択的に検出することが欠陥発生原因を推定するのに有用である。そこで、本願発明は、試料上のパターン形状に応じて検査対象とする領域を設定することができる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明は、試料の画像に基づいて得られるテンプレート画像を用いて試料上のパターンの輪郭を抽出し、前記パターンの輪郭に基づいて検査対象領域を設定し、被検査画像を比較画像と比較して欠陥候補を検出し、前記検査対象領域と当該検査対象領域に含まれる前記欠陥候補との位置関係を用いて、試料を検査することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第１サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第１サーチダイの右隣のダイを第２サーチダイとし、第２サーチダイの上隣のダイを第３サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第２サーチダイ及び第３サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第２サーチダイのパターンマッチ座標と第３サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第１サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡を用いたグローバルアライメント（ウェーハの位置ずれ・回転検出）を安定かつ自動に行う技術を提供する。
【解決手段】グローバルアライメント用のパターンとして、複数のアライメントパターン候補を算出し（１０７）、アライメントパターン毎に複数のマッチング用データを作成し（１０８）、光学顕微鏡からの画像信号に基づく画像（１１３）とアライメントパターンとして適正度の高いアライメントパターン候補順にアライメントパターン毎にマッチング用データとマッチングを行い（１１４）、マッチングの結果に基づき（１１５）ウェーハの位置ずれ量・回転量を算出する（１１６）。 （もっと読む）

【課題】
走査荷電粒子顕微鏡の評価性能を低下させることなく、スループットの向上化を図る。
【解決手段】
走査荷電粒子顕微鏡を用いて半導体ウェハ上に形成された回路パターンの形状を評価する方法において、複数の評価パターンが走査荷電粒子顕微鏡の１視野内に入るように形成された半導体ウェハを走査荷電粒子顕微鏡を用いて撮像して複数の評価パターンを含む画像を取得し、この取得した複数の評価パターンを含む画像の走査荷電粒子顕微鏡の視野に含まれる複数の評価パターンとは異なるパターンを用いて走査荷電粒子顕微鏡を制御して画像の画質を調整し、この画質が調整された走査荷電粒子顕微鏡を制御して複数の評価パターンを含む視野内でイメージシフトにより複数の評価パターンの画像を順次取得し、このイメージシフトにより順次取得した複数の評価パターンの画像を用いてこの複数の回路パターンの形状を評価するようにした。 （もっと読む）

【課題】測定のスループットが低下するのを防ぎ、測定感度の高い半導体計測装置を提供する。
【解決手段】一定の偏光状態の光を多入射角に分解する第１のレンズ３１と、第１のレンズ３１から出射される光が計測対象物で反射した、多反射角の反射光を同軸の平行光に変える第２のレンズ３２と、第２のレンズ３２を透過した光の所定の成分を波長および入射角に対応して分光する分光器４０と、分光器４０から照射される光の波長および入射角をパラメータとして表される光強度分布を検出して電気信号に変換する２次元検出器５０と、２次元検出器５０から受信する電気信号に基づく光学パターンを解析し、計測対象物の構造を特定する情報処理装置７０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン形状の測定精度を向上させた検査装置を提供する。
【解決手段】下地層の上に所定のパターンを有するウェハ５のパターンを検査する検査装置であって、対物レンズ７の瞳面もしくは該瞳面と共役な面における領域毎の光の強度情報を検出する撮像素子１８と、パターンの形状変化に対しては強度情報の変化が異なり、下地層の変化に対しては強度情報の変化が同程度である、瞳面もしくは該瞳面と共役な面内の第１領域と第２領域の位置情報をそれぞれ記憶する記憶部と、撮像素子１８で検出される、第１領域の強度情報と、第２領域の強度情報との差異に基づいてパターンの形状を求める演算処理部２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】マッチング精度が向上するＡＰを設定可能な走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料上のＥＰを観察する前に位置決め用として前記ＥＰ周辺に設定されたＡＰに関する情報を含む撮像レシピに基づき、ＥＰの画像を取得する走査型電子顕微鏡であって、前記ＡＰの位置と前記試料の設計データを含む情報を取得する情報取得部と、前記情報を基に、前記ＡＰのＦＯＶに含まれるパターンが閉図形であるか否かを判定するパターン解析部と、前記ＡＰのＦＯＶに含まれるパターンが閉図形の場合、該閉図形を包含する矩形領域が前記ＡＰのＦＯＶに収まる場合は頂点数を最も多く有する閉図形が前記ＡＰの中心になるように前記ＡＰを移動するか、または前記矩形領域が前記ＡＰのＦＯＶに収まらない場合は前記閉図形の頂点数が最も多くなる位置に前記ＡＰを移動する位置調整部と、前記最適化したＡＰの位置を撮像レシピに登録する撮像レシピ登録部とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低いパターンと信頼性の高いパターンを均一に評価されるため、パターンマッチングの成功率が低い場合がある。
【解決手段】パターンマッチングに使用するデザインパターン又はデザインテンプレートのパターンに重みを付し、信頼性の低いパターンの領域と信頼性の高いパターンの領域を重みにより区別可能にする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンにおいて発生する欠陥であるレジスト倒れの発生頻度を正確に計測する、レジストパターンの評価方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの評価方法において、レジストパターン１内に、スペースを挟んで隣接する二つのパターン部分２を含む測定領域を設定し、測定領域内でＣＤ-ＳＥＭを用いた測定を行い、その二つのパターン部分２の二次電子像３を取得し、その二次電子像に含まれる、二つのパターン部分それぞれの二次電子像の分離の程度を評価して、レジストパターン中の欠陥の有無を評価するようにする。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡で画像を撮像するとき，焦点を合わせるために動作させるＺ座標の走査範囲を短くして，焦点を合わせる時間を短縮する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡で試料上の複数の箇所のＳＥＭ画像を順次取得することを、最初の所定の数の箇所においては電子ビームの焦点位置を試料の表面の法線方向に所定の範囲走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせてから試料を撮像し、最初の所定の数の箇所において試料の表面に合わせた電子ビームの焦点位置の情報を用いて試料の表面の曲面形状を推定し、最初の所定の数の箇所で撮像した後は、電子ビームの焦点を試料の表面に合わせるために電子ビームの焦点位置を法線方向へ走査する範囲を推定した曲面情報を用いて最初の所定の数の箇所において走査した所定の範囲よりも狭い範囲で走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせて前記試料を撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】危険度の高いシステマティック欠陥を識別することのできる半導体装置の製造方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、一方向に露光量を変化させ、他方向にＦｏｃｕｓ量を変化させた複数の露光領域がマトリックス状に配列されたウェーハを作製する工程（１）と、前記ウェーハの欠陥検査を行なう工程（２）と、前記欠陥検査工程で検出された欠陥について、システマティック欠陥を識別する工程（３）と、識別された前記システマティック欠陥が発生する露光条件に基づいて、前記システマティック欠陥について危険度の順位付けを行なう工程（４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】基準面と、基準面と同一の光路内にある対象面を良好に調整できる、光学系調整方法を提供する。
【解決手段】光学系調整方法は、観察対象の像を投影する投影面、パタンが形成されたマスク、及び、マスクと観察対象との間に設置され観察対象からの光を投影面に向けて反射するハーフミラーを有する光学系のマスクの表面を観察対象の方向から撮像する調整用カメラと、光学系に対する調整用カメラの位置を調整するステージと、投影面の位置を調整する調整手段とを有する調整装置における調整方法であって、投影面が取り付けられる前に、調整用カメラに撮像されたマスクの画像を基に調整用カメラの位置を調整するステップと、投影面が取り付けられた後に、調整用カメラに撮像された投影面の位置を調整するステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第１のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第２のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第２のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】パーティクルや結晶欠陥などの不良を含む半導体素子を容易に検知する技術の提供。
【解決手段】半導体素子の製造方法では、複数の半導体素子部アレイを基板上に形成（Ｓ１）し、半導体素子部の外観検査（Ｓ２）を行う。外観検査後、半導体素子部上に絶縁膜を形成（Ｓ３）し、絶縁膜上に第一レジスト膜を形成（Ｓ４）する。第一レジスト膜をパターニングして開口のアレイを有する第一レジストマスクを形成（Ｓ５）する。第二レジストを第一レジストマスクの第一レジスト開口に形成して、第二レジストマスクを形成（Ｓ６）する。第二レジストは、外観検査の結果によって示されるアレイ内の第一レジスト開口に形成される。第一レジストマスク及び第二レジストマスクを用いたエッチングにより絶縁膜から保護膜を形成（Ｓ７）する。保護膜及び半導体素子部上に電極を形成（Ｓ８）し、電気特性の検査（Ｓ９）を行う。 （もっと読む）

【課題】
鏡体電流ノイズで発生する電子ビーム走査ずれを低減した電子ビーム式計測および検査装置と計測および検査方法を提供する。
【解決手段】
電子ビームを被検査対象物に照射する電子照射系と、前記電子照射系から出射され該被検査対象物に照射されるまでの電子ビームを通す鏡体と、前記鏡体を通って出た電子ビームを該被検査対象物に照射して発生した二次電子を検出する二次電子検出系と、前記二次電子検出系にて検出した二次電子に基づく信号を信号処理する信号処理系と、前記電子照射系より出射した電子ビームが前記鏡体を通る際に前記鏡体に流れる電流値を計測し、該電流値と予め定めた電流値とビーム位置ずれとの関係に基づき電子ビームの照射位置を補正する補正手段と、を備える計測または検査装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、得られたパターン画像等に基づいて、正確なプロセスモニタ可能とする半導体製造装置の管理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の位置のパターンの形状情報と、露光装置の露光条件との関連を記憶するライブラリと、画像情報から抽出された複数の位置の形状情報と、ライブラリに記憶された形状情報を比較し、画像情報から抽出された複数のパターンの形状情報に相当する複数の露光条件の範囲の論理積に基づいて、前記露光条件を抽出する演算装置を備えた半導体製造装置の管理装置、及び上記処理を実行するコンピュータプログラムを提案する。 （もっと読む）