【課題】製造上のばらつきの影響がないパターン付き標準ウエハを実現する。
【解決手段】標準ウエハ４となるウエハ上にパターン幅２３０ｎｍで、一定のパターンピッチＸを有する複数のパターンからなるチップ１を形成する。そして、チップ１の隣のチップ２は、パターン幅を同一とし、パターンピッチにわずかな差（Δｄ）を持たせる（パターンピッチＸ＋Δｄ）。さらにその隣のチップ３のパターンピッチを２Δｄだけ差をもたせる（パターンピッチＸ＋２Δｄ）。以降、パターンピッチはＸ＋ｎΔｄとなっていく（ｎは３以上の自然数である）。パターンの幅自体に意識的にばらつきを持たせる必要はなく、パターンの幅はウエハ製造上の最適の条件で設定可能であり、パターンのピッチを一定値ずつ増加させることにより、装置を校正する上で必要する特性を創出する。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】
パルスレーザ光源から発射されるパルスレーザのパルス発振周波数よりも高いサンプリングレートで試料にダメージを与えることなく検査することを可能にする。
【解決手段】
パルス光源から発射されたパルス光の１パルス分の光を複数のパルスに分割し、この分割されたパルス光を試料に照射し、照射により試料から発生した散乱光を集光して検出し、試料からの散乱光を集光して検出して得た情報を用いて試料上の欠陥を検出する欠陥検出方法において、１パルス分の光を複数のパルス光に分割することを、分割した各パルス光のピーク値がほぼ一定になるように制御して分割するようにした。 （もっと読む）

【課題】検査対象とする配線区間に含まれる不良箇所から取得される吸収電流の変化がその他の配線区間に対して強調される技術を提供する。
【解決手段】電子線の走査時に２本の探針４から出力される吸収電流を、電子線１の走査に連動させて吸収電流像１３，１５を出力する試料検査装置に、以下の仕組みを採用する。２つの探針４により電気的に接続された試料２側の配線区間のうち不良箇所に電子線が照射された場合、その抵抗値の変化は、正常な配線区間に電子線が照射された場合より大きくなる。この抵抗値の変化を、２つの探針４で特定される配線区間と既知の抵抗値との比率の変化として検出する。この方式により、不良箇所に対応する吸収電流像１５をその他の配線区間の吸収電流像１３に対して識別容易にする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅を測定可能であるとともに、繰り返しパターンの下層部の状態を検出可能な表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および繰り返しパターンの下層部の状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い線幅感応瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、線幅変化の影響を受けない線幅不感応瞳内位置での階調値から繰り返しパターンの下層部の状態を求める。 （もっと読む）

【課題】
既製のInfiniBand（Ｒ）制御を用いる画像分配制御部は、単一ＣＰＵ上のＯＳでバッファメモリ制御と分配処理を行うため、競合が発生し分配レイテンシが変動してしまい、半導体外観検査装置には適用不可であった。
【解決手段】
検査部と、検出部と、前記検出部で検出された反射光に基づく画像を処理して該被検査対象の表面を検査する処理部とを備えた半導体検査装置であって、前記処理部は、該画像を分配する画像分配制御部と前記画像分配制御部により分配された画像を処理する画像処理部とを備え、前記画像分配制御部は、該画像の入力画像量をカウントする画像バッファカウンタと、該画像に関する情報を格納する分配制御テーブルと、入力画像量と前記分配制御テーブルからの該画像に関する情報に基づき該画像の分配開始タイミングを決定する分配タイミング制御回路と、を有することを特徴とする半導体検査装置である。 （もっと読む）

【課題】広スペクトル範囲で動作可能な反射屈折光学システムを提供する。
【解決手段】一実施形態では、反射屈折光学システムは、放射を反射するように位置決めされかつ構成された第１の反射面と、第１の反射面から反射された放射を平行ビームとして反射するように位置決めされかつ構成された第２の反射面であって、第２の反射面を通る放射の透過を可能にするアパーチャを有する第２の反射面と、アパーチャから第１の反射面に向かって延在し、第１の反射面と第２の反射面との間に第１の反射面に放射を供給するアウトレットを有するチャネル構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】フォーカス位置がずれた画像であっても作業時間を増大させることなく検査を行なうことができる画像処理装置、検査装置、画像処理方法および画像処理プログラムを提供すること。
【解決手段】所定のパターンを有する基準画像、前記パターンを有する取得画像および基準画像のコントラスト比とフォーカス位置からのずれ量との関係を示すコントラスト特性、およびコントラスト比から算出される取得画像のずれ量と取得画像の復元を行なう際に用いるパラメータである復元係数との関係を示す復元特性を記憶する記憶部と、基準画像と取得画像とのコントラスト比を算出し、コントラスト比が閾値を超えたか否かを判定する判定部と、コントラスト比が閾値未満であると判定された場合、コントラスト特性からずれ量を求め、ずれ量から復元特性をもとに復元係数を取得して取得画像の復元処理を行なう復元処理部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】インライン検査データを容易に、精度良く半導体チップと照合できるようにした半導体装置の検査方法及び半導体装置の検査システムを提供する。
【解決手段】基板の一方の面の異なる領域にそれぞれ形成される複数のショット領域について、ショットアドレスを設定するステップと、前記基板の一方の面に形成される複数の半導体チップのチップアドレスを、前記ショットアドレスに関連付けて設定するステップと、前記基板の一方の面における任意の位置を表すための座標を、前記ショットアドレス及び前記チップアドレスに関連付けて設定するステップと、前記基板の一方の面について、製造ラインで行われた検査の結果であるインライン検査データを取得するステップと、前記インライン検査データを、前記ショットアドレス、前記チップアドレス又は前記座標毎の検査データに変換するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
レーザ暗視野方式の基板検査装置では，照明光の可干渉性が高いことにより，酸化膜(透明膜)が表面に形成された基板の検査においては膜内多重干渉による反射強度の変動が生じる。また，金属膜が表面に形成された基板の検査においては，金属膜の表面粗さ(ラフネス，グレインなど)による散乱光が干渉して背景光ノイズが大きくなり，欠陥検出を感度低下させていた。
【解決手段】
指向性の良いブロードバンド光源（スーパーコンティニュアム光源など）を用いた低干渉かつ高輝度な照明により上記課題を解決する。また，従来のレーザ光源も併用し，光源を使い分けることでウエハの状態に応じて高感度な検査を可能とする。さらに，調整機構を設けた照明光学系により，両光源の照明光学系を共通化し，簡略な光学システムで上記効果を実現する。 （もっと読む）

【課題】パターン検査における空気揺らぎの影響を軽減する。
【解決手段】第１と第２の開口部が形成されたスリット板１１２と、スリット板１１２を介して照明光を照射する照明光学系１１０と、照明光の一部を反射し、照明光の残部をパターン形成された対象物面１３１側に通過させる半透過反射板１２３と、半透過反射板１２３で反射された第１の像と、対象物面１３１で反射された第２の像とを結像する結像光学系１４０と、第１の像の内、第１の開口部を通過した第１の部分像の変位を測定する変位計測センサ１５３と、第２の像の内、第２の開口部を通過した第２の部分像を撮像する撮像センサ１５１と、第２の部分像の光学画像と比較するための基準画像を生成する基準画像生成回路１６２と、第１の部分像の位置の変位量を演算する演算回路１６１と、第１の部分像の位置の変位量を用いて光学画像と基準画像とを比較する比較回路１６３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ユーザの意図を反映可能な分類条件設定機能を有する二分木構造を用いて欠陥を分類する装置の提供。
【解決手段】欠陥検査装置から取得される検出信号を基に抽出される欠陥の特徴量に基づいて二分木構造の分類器を用いて欠陥を分類する欠陥分類方法であって、予め欠陥クラスと対応付けられた特徴量データとの教示に基づいて、二分木構造の分岐点毎に、分岐の両側のグループにそれぞれ属する欠陥クラス、分岐に使用する特徴量および判別基準からなる分岐条件を設定することにより前記二分木構造の分類器を構築する分類器構築過程を有し、該分類器構築過程において、さらに予め欠陥クラス毎並びに全体および最悪のピュリティおよびアキュラシーの目標分類性能について優先順位をつけて指定しておく優先順位指定過程と、前記設定した分岐条件による前記指定した目標分類性能を満足するか否かを項目毎に評価して該項目毎の評価結果を表示する。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】試料ステージが傾いている場合や試料表面にうねりを有するような場合に起こり得る弊害を解消し、正確な画像を取得することができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置において、試料８表面の傾きを検出する傾き検出手段２８、２９と、検出された試料８の傾きに応じて、照射荷電粒子線を試料８表面に垂直に照射させ、同時に照射光学系の光軸中心および結像光学系の光軸中心に荷電粒子線軌道を合わせる電界と磁界を重畳させたＥ×Ｂ偏向器５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】欠陥群のパターン依存性を定量化する。
【解決手段】パターンが形成されたウェハに発生した欠陥を検出し、検出した欠陥の発生位置を出力する検査装置１が使用する欠陥位置を指し示すための座標系と、パターンの設計データにおいて使用される座標系と、の間の位置関係を複数設定する（ステップＳ３、Ｓ４）。そして、設定された位置関係の夫々を用いて検査装置１が出力した欠陥位置と設計データとを位置合わせし、設計データから欠陥位置が位置合わせされた部位の局所パターンを位置関係毎に抽出する（ステップＳ６）。そして、抽出した局所パターンを図形的特徴の一致度に基づいて分類し、分類パターン数を位置関係毎に算出する（ステップＳ７）。そして、算出した位置関係毎の分類パターン数を用いて欠陥群のパターン依存度を算出する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】被判定データ群のいずれかのデータ点を第１代表点とする。第１代表点を基準点とし、基準点を通って各データ点へ向かうデータ点方向のうち、選定用方向に対してその方向から見て時計回りでなす角度が最小のデータ点方向に対応するデータ点を第２代表点とする。直前に選定された代表点を次の基準点とし、次の基準点を通って各データ点へ向かうデータ点方向のうち、次の基準点を通り、直前代表点の選定で用いられた基準点へ向かう方向に対してその方向から見て時計回りでなす角度が最小のデータ点方向に対応するデータ点を次の代表点とする処理を繰り返す。代表点が線で連結されてなる分布代表点領域と判定領域とが重なる重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィ技術を用いて感光性樹脂膜をパターニングする工程の良否を正確且つ簡易に検査することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１の主面上の被検査領域に感光性樹脂膜を形成する工程と、投影光学系を用いて、マスクに形成された原版パターンを透過した露光光を感光性樹脂膜の表面に照射する露光工程と、感光性樹脂膜に現像処理を施して原版パターンに対応する被検査パターン２を形成する現像工程とを備える。被検査パターン２は、一端側から他端側に向かうにつれて厚みが変化する傾斜構造２ｓａ，２ｓｂを有する。原版パターンは、被検査パターン２の厚み分布に応じた光透過率分布を有する。 （もっと読む）