【課題】複数の外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置情報が大きな誤差をもつことが原因で、実施が困難な工程トレースを通常の自動撮像時に同時に実行する。
【解決手段】外観検査装置から出力される外観不良箇所の位置を、ＳＥＭ式レビュー装置内の絶対座標として記憶し、工程が異なっても、ユーザーが指示した絶対座標の自動撮像を実施することによって工程トレースが容易に実施可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光シミュレーション等を行うことなく、設計データに基づいてテンプレートを作成する装置であって、実パターンの大きさに沿った画像の形成が可能なパターンマッチング用画像作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、マッチング用画像を形成するに当たり、設計データを目標パターンサイズに基づいて、縮小、或いは拡大し、当該縮小、或いは拡大が行われたパターンに基づいて、マッチング用の画像を形成するパターンマッチング用画像作成装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不要な輪郭線処理を抑制、或いは必要な部分の選択的な輪郭線化を目的とする輪郭線抽出方法、及び輪郭線抽出装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子に基づいて形成される画像上のパターンエッジの輪郭線を抽出する輪郭線抽出方法、及び装置において、複数の撮像領域の画像を接続して合成画像を形成するときに設けられる重畳領域に位置するパターンの輪郭線化を実施するときに、当該パターンの前記複数の撮像領域における面積、或いは予め設定された測定部位を求め、当該面積の大きい側、或いは当該パターンについて測定部位が位置する側の撮像領域の画像に対し、前記パターンの選択的な輪郭線抽出を行う輪郭線抽出方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】照明光を短波長化しなくても、確実に繰り返しピッチの微細化に対応できる表面検査装置および表面検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の表面検査装置は、被検査基板を照明するための直線偏光の発散光束を射出する光源手段と、前記直線偏光の発散光束を該光束の主光線が所定の入射角を有するように入射して前記被検査基板に導く光学部材と、前記検査基板からの光束のうち前記直線偏光とは偏光方向が直交する直線偏光を受光する受光手段と、前記光源手段と前記受光手段との間の光路中に配置され、前記光学部材に起因して発生する偏光面の乱れを解消する少なくとも１つの偏光補正部材と、を有し、前記受光手段で受光した光に基づいて前記被検査基板の表面の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】欠陥発生の原因となった設備の異常を早期に特定する。
【解決手段】欠陥検査装置は、基板において欠陥の発生が予測される位置を示す位置情報と、基板を処理する処理装置の名称と、を記憶する記憶部と、基板で発生した欠陥を検出する検出部と、検出された欠陥が、複数の基板において共通する範囲内で発生しているかを判定する判定部と、検出された欠陥が、複数の基板において共通する範囲内で発生している場合、複数の基板において共通する範囲内で発生した欠陥の位置を示す位置情報を、記憶部に記憶する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】通常は高速な検査を行いながら、必要に応じて高倍率の画像に基づく高精度な検査を行うことが可能な表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１において、制御部４０は、第１の撮像装置３５にウェハＷの表面全体の像を撮像させ、画像処理部４５で第１の撮像装置３５により撮像されたウェハＷの表面全体の画像において異常を検出した場合に、第１の撮像装置３５よりも高い倍率で撮像可能な第２の撮像装置３６に切り替えてウェハＷの表面における異常が検出された部分の像を撮像させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】最上層のパターン、特にホールパターンの検査を、高いＳ／Ｎ比で行うことができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】照明光Ｌ１によって照明されたウエハ２からは回折光Ｌ２が生じ、受光光学系４に導かれて集光され、回折光Ｌ２によるウエハ２の像を本発明の撮像手段としての撮像素子５上に結像する。画像処理装置６は、撮像素子５で取り込んだ画像の画像処理を行って、欠陥を検出する。偏光板７は、照明光Ｌ１がＳ偏光でウエハ２を照明するし、かつその振動面とウエハ２のとの交線がウエハ２に形成された配線パターンと平行、又は直交するようにされ、偏光板８はウエハ２からの回折光のうちＰ偏光の直線偏光を取り出すように調整されている。こうすることでホールパターンの検査を、その下に存在する配線パターンと区別して検査することが可能になり、表層の欠陥をＳ／Ｎ比の良い状態で検査することができる。 （もっと読む）

【課題】不感領域の影響を小さくして検査精度を向上させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１は、ステージ１０と、照明系２０と、受光系３０と、複数の受光部および受光部の周囲に設けられて受光しない不感部を有した撮像素子５０と、撮像素子５０を相対移動させる画素補完駆動部３５と、撮像素子５０が複数の受光部同士の間隔よりも小さい相対移動量で相対移動しながら複数の像を撮像するように画素補完駆動部３５および撮像素子５０の作動を制御する制御部４０と、撮像素子５０により撮像された複数の画像における各画素を画素補完駆動部３５による相対移動に応じた順に並べて合成した合成画像を生成する画像処理部４５とを備え、撮像素子５０の撮像面５０ａ上に、受光部の一部を遮蔽する遮蔽部材が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
レビューＳＥＭを用いて回路パターンを定点観察する場合に、観察する回路パターンのばらつきが大きい場合でも、虚報の発生を抑えて安定した検査を行えるようにする。
【解決手段】
レビューＳＥＭを用いて所定の回路パターンを順次撮像してえたＳＥＭ画像を記憶手段に記憶し、この記憶したＳＥＭ画像の中から設定した条件に適合する画像を選択し平均化して平均画像(ＧＰ画像)を作成し、このＧＰ画像を用いたＧＰ比較によりパターン検査を行うことにより、回路パターンのばらつきが大きい場合でも虚報の発生をおさえた検査を可能にした。 （もっと読む）

【課題】ウェハなどの試料の欠陥を検出する検査速度を向上させる。
【解決手段】電子ビームを検査試料に照射する一次電子光学系と、ウェハから放出された二次ビームを検出器に入射する二次光学系と、検出器と、検出器を制御するための制御装置とを備えた、電子線検査装置において、電子線検査装置は、一次コラム、二次コラムおよびチャンバーを有し、一次コラムには、電子銃、一次電子光学系が配置されており、チャンバーには、ステージが設置され、その上に試料が載置されており、二次コラムには、光軸上に、カソードレンズ、ニューメニカルアパーチャ、ウィーンフィルタ、第２レンズ、フィールドアパーチャ、第３レンズ、第４レンズおよび検出器が配置されており、開口部が電子ビームの集束位置およびカソードレンズの焦点位置になるように配置されて、カソードレンズと前記ニューメニカルアパーチャとは、テレセントリックな電子光学系を構成している。 （もっと読む）

【課題】評価対象パターンの画像を高速で処理するとともに、コンピュータ資源の効率を向上させる。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ３００により撮像された評価対象パターンの一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｉの時間で取り込む画像取込装置１０と、一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎを一枚当たりＴｐの時間で処理して評価対象パターンの評価結果を出力するクラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭと、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮＭが接続されてこれらを制御するメインノードＭＮを備える分散コンピューティングシステム１において、時間ＴｉおよびＴｐを測定して一連の画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇｎの取得時間とその処理時間とが一致するように、クラスタノードＣＮ１〜ＣＮｍ（ｍ≦Ｍ）を推定して一連の画像処理に割り当てる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークが複数のショットに跨って形成されている場合、完成形であるアライメントマークをＣＡＤデータから作成するためにはユーザ自身の手作業が求められる。
【解決手段】１つのアライメントマークが複数のショットに跨って作成される場合に、各アライメントマークに関連する複数のショットのＣＡＤデータを相互の位置関係に応じて合成し、アライメントマークの完成形を含む合成ＣＡＤデータを自動的に作成する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンやエッチング後及び再エッチング後のパターンに関わらず、基準データを用いてＡＰＭ−ＰＥＲ検査法による線幅の検査を行うための基準データの生成方法を提供する。
【解決手段】ＡＰＭ−ＰＥＲ検査法による表面検査装置１００で用いられる基準データの生成方法であって、第１のエッチング工程（第１の工程）により異なる線幅の繰り返しパターンの組が形成された基準用ウエハ１０を複数作成し、さらに、この基準用ウエハ１０に対して異なる条件で第２のエッチング工程（第２の工程）を行い、それぞれの状態の基準用ウエハ１０から較正曲線を求め、これらの較正曲線が同一の曲線上にほぼ一致するエリアを検査対象座標として求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＡＤＰのような複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高精度且つ高いスループットにて実現することを目的とする。特に、ギャップ判定が困難な試料であっても、適切にその判定を可能とするパターン測定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する複数種類の特徴量を抽出し、当該複数種類の特徴量の内、適切な種類の特徴量について、前記パターンの一端側と他端側の特徴量を比較し、当該比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなどのパターンが形成された試料の欠陥検査において、高感度かつ高スループットの欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、パターンの方向と、照明光の試料への射影の方向と照明光の偏光に着目したことにある。また、少なくとも２つの照明方向の該試料への射影は該試料の主要なパターンの方向に対して垂直または平行であり、該第１の方向の照明光の偏光と該第２の方向の照明光の偏光は互いに異なることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに垂直であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに平行であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の照明光の偏光はｓ偏光であり、該第２の方向の照明光の偏光はｐ偏光であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の検出器からの検出信号をパターン配置に応じた適切な配分比を用いて合成して、多層レイヤにおける下層パターンのコントラストを向上する技術を提供する。
【解決手段】複数の検出器から得られた検出画像を用いて画質改善を図ることを可能とする荷電粒子線装置およびその画質改善方法において、配置場所の異なる各検出器の出力に対応する検出画像を用いて、１枚以上の出力画像を生成する方法を、設計データや検出画像から算出したパターン方向あるいはエッジ強度の情報等を用いて制御するものである。このように、複数の検出器を用いることで検出信号範囲を拡大し、設計データや検出画像から算出したパターン方向あるいはエッジ強度を用いて検出信号を合成することで、コントラスト等の画質の改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの微細化に伴い、露光の際のショットの形状の歪みがある場合には、電子顕微鏡によるウェーハ検査時のスループットの低下や自動化率の低下が認められ、ショット歪みに対する位置補正動作を実行する方式を提供する。
【解決手段】１つのショット内の複数点について位置ずれ情報を検出し、当該複数点の位置ずれ情報に基づいてショット歪みの情報を取得し、取得されたショット歪情報に基づいて、各ショットに固有の座標補正情報を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対する電子ビームの部分的な照射による部分的な影響を抑制する電子ビームの照射方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体の露光工程と、エッチング工程間にて、半導体ウェーハの全面に対し、電子ビームを照射する方法、及び装置を提案する。当該構成によれば、測定や検査のために行われる電子ビームによって生ずる部分的なパターンのシュリンクを抑制し、半導体ウェーハ全体でパターンの形成精度を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フォーカス異常とドーズ量異常を区別して検出することが可能な表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および露光時のフォーカス状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、フォーカス状態との相関が高い瞳内位置での階調値からフォーカス状態を求める。 （もっと読む）

【課題】
チルト像には立体的なパターンの様々な輪郭線が存在し、またパターン表面のラフネス等により計測対象外の形状変化に伴うエッジも含まれるため形状認識は複雑になり画像処理による形状計測は容易でない。さらに，パターンの形状評価に適した観察方向を判断することが困難であった。
【解決手段】
評価対象となるパターンの撮像方向と撮像領域内に含まれる回路パターンの設計データから撮像画像上でのパターンの輪郭線の予想位置（予想輪郭線）を推定し，予想輪郭線と実際の輪郭線との位置ずれ予想範囲を設定し，前記位置ずれ予想範囲を基に画像処理範囲あるいは画像処理方法を設定してパターンの寸法，輪郭線，画像特徴量，三次元形状を算出するようにした。 （もっと読む）