【課題】従来のウェーハ表面検査装置は、ウェーハ外周部分を非検査領域とし、異物の検査ができなかった。そのため、ウェーハの致命欠陥を見落とす可能性があった。
【解決手段】これを改善するために、例えば、エッジ領域を測定する場合、ノイズとなる回折光の影響を受けない角度の受光器を選択することにより、感度低下を最小限おさえた検査が可能である。そして、従来測定できなかった、外周部の異物の管理が可能となり、ウェーハの致命欠陥の見落としがなくなり、ＩＣの不良低減になる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに付着した異物を検査する異物検査装置において、気圧および気温といった気象条件の変化によって感度変動が生じた場合、高感度を維持するために行う煩雑な焦点調整作業を不要とし、常に最高の感度を維持し、装置の稼働率の向上を実現する。
【解決手段】信号強度が最大となる最適なＺ座標を探索し、その時点の気圧（気圧基準値）と、気温（気温基準値）と、最適なＺ座標（Ｚ基準値）の３つを基準値とする。任意の時点での気圧と、気温を計測し、各々基準値との変動分をとって、予め求めておいた換算係数を掛けて、変動分をＺ座標に換算する。変動分のＺ座標換算値を、Ｚ基準値に足しこめば、変動を補正して最大感度を得ることができる。これにより、単に気圧と気温の変動を補正してＺ座標を安定化するという点にとどまらず、常に最大感度を得るようにＺ座標を補正し続ける。 （もっと読む）

【課題】欠陥寸法の検出精度を迅速に適正化し検出精度の変動を抑制することによって半導体製造ラインのシステム安定性を向上させることができる光学式欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】検査用照明光１１，１２をステージ３０１上の試料表面に照射し試料表面にビームスポット３を生成する照明光学系１００と、ビームスポット３からの反射光を検出する検出光学系２００とを有する光学式欠陥検査装置において、校正用試料７００上の標準粒子の位置及び大きさを予め記憶した記憶部４１０と、校正用試料７００を検査対象とした場合に、標準粒子からの検出散乱光量を記憶部４１０に記憶された対応位置の標準粒子の既知の大きさと関連付け、検出散乱光量と真の値との相関関係を作成する校正処理部４０８と、検査ウェハを検査対象とした場合に上記相関関係に基づいて検出散乱光量を欠陥寸法に変換する信号処理部４０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】被検査物体に熱ダメージを与えないよう、照明光の照度を一定の上限値以下に保つと、従来の異物・欠陥検査方法では、検出感度と検査速度がトレード・オフの関係にあり、他方を犠牲にせずに一方を改善したり、両方を改善することは非常に困難であった。
【解決手段】本発明では、光源にパルスレーザを用い、レーザ光束を複数に分割後、異なる時間差を与えて、複数の照明スポットを形成し、各照明スポットの発光開始タイミング信号を用いることによって、各照明スポットからの散乱光信号を分離検出する。 （もっと読む）

【課題】 欠陥を計数する際の適正なしきい値を決定する欠陥検査方法を提供することである。
【解決手段】 （ａ）検査対象物と同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する。（ｂ）工程ａで検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される２次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する。（ｃ）工程ｂで分類された結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象物の傾斜状態に応じた合焦範囲を確保して外観検査を行うことを可能とする。
【解決手段】チップ１を撮像するカメラ本体１２及び対物レンズ６５及び／またはチップ１を傾けるカメラ回動部５１と、カメラ本体１２及び対物レンズ６５及び又はチップ１を直線移動させるＸテーブル１３，Ｙテーブル１４及び微動調整部６４と、カメラ回動部５１及びＸテーブル１３，Ｙテーブル１４及び微動調整部６４を制御する制御部７０とを備え、予め測定したチップ１のカメラ本体１２及び対物レンズ６５に対する傾斜に対応するように、カメラ回動部５１、Ｘテーブル１３，Ｙテーブル１４及び微動調整部６４を制御する。 （もっと読む）

【課題】検査領域（非検査領域）を効率よく設定することができる検査領域設定装置および外観検査装置を提供する。
【解決手段】表示部２は、検査領域または非検査領域の設定対象となる検査対象物上の複数の領域の位置関係を示すマップを表示する。操作部１の操作によって領域が指定された場合に、検査領域情報生成部６は、指定された領域と所定の位置関係にある他の領域、および指定された領域を検査領域または非検査領域に設定するための検査領域情報を生成する。 （もっと読む）

【課題】高倍率での検査を精度よく行う。
【解決手段】本願発明の装置調整方法は複数の大きさの欠陥の少なくとも１つの大きさの欠陥の個数がピークを有するウェハを用いて、フォーカスを変化させて各フォーカス値での欠陥検出数を取得し、所定の欠陥の大きさについて欠陥検出数がピークとなるフォーカス値を取得し、このフォーカス値を用いて装置のフォーカスの調整を行なう方法である。 （もっと読む）

【課題】試料の表面及び裏面に存在する欠陥を同時に検出することが可能な外観検査装置及び外観検査方法を提供する。
【解決手段】試料２の外面に現れる欠陥を検出する外観検査装置１を、試料２の表面及び裏面のうちの一方の面で反射した反射光学像に現れる第１の欠陥群と試料２を透過した透過光学像に現れる第２の欠陥群とを検出する欠陥検出部（２０ａ、２０ｂ）と、第１の欠陥群と第２の欠陥群とを比較して表面及び裏面のうちの他方の面に現れる欠陥を検出する欠陥比較部（２５）と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】基板などの被検体から必要な情報を素早く抽出して検査を速やかに実施できる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置１は、被検体の表面画像を一軸方向にスキャンするようにして取得するカメラ２５を有し、カメラ２５の出力は、制御部３の画像取り込み回路３１に受け渡すように構成されている。画像取り込み回路３１は、カメラ２５から取り込む画像データを撮像開始トリガと、キャプチャ開始画素位置とキャプチャ終了画素位置とを区切って取得することで、欠陥領域の画像のみを作成し、画像処理等を行う。 （もっと読む）

【課題】検査システムによるウェーハの測定を行わずに、光散乱検査システムの構成を決定するシステムを提供することを課題とする。
【解決手段】光散乱検査システムの構成を決定するためのコンピュータに実装された方法およびシステムが提供されている。一つのコンピュータに実装された方法は、検査システムの散乱半球全体に亘って、光散乱検査システムによって試験体および試験体の電位欠陥に対して取得されるであろうデータに対して、信号対雑音比値の三次元マップを決定することを含んでいる。この方法は、三次元マップに基づいて、信号対雑音比値が散乱半球の他の部分よりも高い、散乱半球の一つまたはそれ以上の部分を決定することも含んでいる。また、この方法は、散乱半球の一つまたはそれ以上の部分に基づいて、検査システムの検出サブシステムの構成を決定することを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ウエハやマスク、レチクルなどの回路パターンの欠陥、すなわち、線状、穴状などの形状の細り、欠け、形成不良、異物等を検査する回路パターンの検査装置の画面機能を改良して、使い勝手をよくし、検査システム全体として早期の欠陥の発見とその原因究明、早期対策による半導体装置の製造歩留り向上を実現できる回路パターンの検査装置、検査システム、および検査方法を提供する。
【解決手段】回路パターンの検査装置を、別の装置から送信された画像信号を表示する構成とする。また、回路パターンの検査システムは、マップに欠陥を表示するモニタを備えた電子線外観検査装置とこの欠陥の画像を記憶した外部外観検査装置とを備え、モニタにマップと欠陥の画像とを同時に表示する構成とする。 （もっと読む）

【課題】
簡単な構成で広いダイナミックレンジを有し、検査面自体の散乱光が多い場合でも、高いＳ／Ｎ比で表面検査が可能な表面検査方法及び表面検査装置を提供する。
【解決手段】
検査面４にレーザ光線７を照射、走査して前記検査面の異物等を検出する表面検査方法に於いて、前記レーザ光線の照射部位を所要数の検出領域に分け、各検出領域間で検出光強度が変化する様に受光器で受光し、検査部位について検出光強度の異なる所要数の出力信号を取得し、所要数の出力信号の内、飽和していない最大値を示す出力信号を表面検査信号として選択する。
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【課題】基板の量産に適した、基板の表面に付着した微細な異物を検出することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷを搬送するローダーモジュール１３と、表面処理装置１７と、表面検査装置１８とを備え、表面処理装置１７及び表面検査装置１８はそれぞれローダーモジュール１３に接続され、表面処理装置１７は、ウエハＷを収容する収容室３４と、該収容室３４内にフッ素を含むガスを供給する流体供給部３６とを有し、表面検査装置１８は、フッ素を含むガスが表面に供給されたウエハＷを収容する収容室４２と、ウエハＷの表面をレーザ光４４で照射するレーザ光照射部４５と、ウエハＷの表面からの散乱光４６の一部を受光する受光部４７と、受光した散乱光を電気信号に変換する光電変換部４８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハを回転させるべくチャック台盤を回転駆動させてもウェハに撓みを生じさせることなくウェハを保持することができるウェハ保持装置を提供する。
【解決手段】回転可能に支持された円板形状のチャック台盤１１の周縁部１１ｂに沿ってリング状のウェハ受座１３が設けられ、ウェハ受座１３に載置されたウェハ１５の周縁部１５ａを複数の固定手段１４によってウェハ受座１３に固定することによりウェハ１５を保持可能なウェハ保持装置１０である。ウェハ受座１３には、各固定手段１４が周回り方向に間隔を置いて設けられ、各固定手段１４の間には、ウェハ受座１３に固定のウェハ１５とチャック台盤１１との間の対向空間Ｓを外部に連通させる複数の連通孔２０がチャック台盤１１の周縁部１１ｂ近傍に設けられ、各連通孔２０には、対向空間Ｓの空気を吸引する吸引手段Ｐ１が接続されている。 （もっと読む）

【課題】
低入射エネルギー、且つ広視野での帯電制御機能を用いた検査を可能にし、電子線照射による損傷を受けやすい半導体パターンの高感度検査を実現することである。
【解決手段】
ＳＥＭ式ウェハ検査装置において、帯電制御機能を用いた検査を行う際、加速電圧−減速電圧で決まる入射エネルギーと、減速電圧−制御電圧で決まるバイアス電圧が変わらない様、加速電圧・制御電圧・減速電圧を連動して変える。これにより、制御電極近傍で発生する静電レンズ作用を抑えつつウェハの帯電を制御することができる。その結果、低入射エネルギー、且つ広視野での帯電制御機能を用いた検査が可能になり、電子線照射による損傷を受けやすい半導体パターンの高感度検査が実現できる。
加速電圧−減速電圧で決まる入射エネルギーと、減速電圧−制御電圧で決まるバイアス電圧が変わらない様、加速電圧・制御電圧・減速電圧を連動して変える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不良が発生したウエハの端部の状態をプロセス全体にわたって容易に観察、追跡ができる機能を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ウエハ外周部を検査するウエハ表面検査装置において、ウエハ外周部の画像を撮るレンズ系およびＣＣＤカメラと、撮った画像データを記憶する記憶手段と、記憶装置に記憶されている画像データを表示する表示手段とを有することを特徴とする。
更に、具体的に述べると、本発明はプリアライメント部に載せてウエハを回転させ、ウエハのオリエンテーションフラット部あるいはノッチ部の位置合わせを行う部位に、レンズ系とＣＣＤカメラにより、ウエハ端部の外周１週分の画像を記録し、記憶装置に取り込み、ＣＲＴ上に表示させる機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いた、高速かつ高感度に欠陥検出を可能にする欠陥検査技術を提供する。
【解決手段】
電子源１から発した電子線を面積ビームとして成形し、前記面積ビームを試料１１面に照射する電子ビーム照射光学系と、前記面積ビームの照射により、負の電位を印加された前記試料１１から反射するミラー電子を結像させるミラー電子結像光学系と、前記試料１１を回転させ、移動させるためのステージ機構系１５、１８、２０と、前記結像したミラー電子をＴＤＩセンサもしくはＣＣＤカメラ１４で検出して像を取得し、画像処理を施して、前記試料面の欠陥を検出する画像検出系と、前記ステージ機構系と前記画像検出系を同期させ制御する制御系とを具備する。 （もっと読む）

【課題】インクマークが付された半導体ウェハに対しても容易に信頼性の高い検査を行うことができる半導体装置の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップが形成された半導体ウェハの全面の画像データを取得する（ステップＳ１３）。画像データのうちで半導体チップが夫々どこに位置するかを認識する（ステップＳ１４〜Ｓ１５）。当該半導体チップ内で、画像データのグレーレベルが予め与えられた第１の値より大きい領域の面積を求め（ステップＳ１７）、当該半導体チップの面積に対する第１の値より大きい領域の面積の割合を求め（ステップＳ１８〜Ｓ１９）、この割合が予め与えられた第２の値より大きい場合に、当該半導体チップにインクマークが有ると判定する（ステップＳ２０〜Ｓ２２）。インクマークが有ると判定されたものを除外し、インクマークが無いと判定されたものに対して光学的表面検査を行う（ステップＳ２４〜Ｓ２５）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの種類や工程にたいして適正な異物検査を可能とし、異物検出性能を低下させることなく、歩留り管理に有益な情報を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ウェーハを含む被検査物に検査光を照射し、前記被検査物から反射または散乱する光を受光し、その受光の強度より被検査物の表面に存在する異物の有無を検査する異物検査方法であって、前記被検査物上に形成されるウェーハパターンの有無や膜の有無、膜の材質、膜厚寸法に対して前記受光の強度が強まるように焦点オフセットを調整することを特徴とする。これにより、適正な異物検査が実現できる。
また、表面高さ位置検出手段（表面検出系）が検出する表面高さ位置に強度検出手段の受光強度が強まるように焦点オフセットを調整する。それにより、適正な異物検査が実現できる。また、レシピ作成画面にこのオフセット量を算出する機能を組み込むことでウェーハの種類や工程に最適な条件作成が可能となる。 （もっと読む）