【課題】円盤状基板の連続する複数の面の状態をより精度良く検査（評価）することのできる円盤状基板の検査装置を提供することである。
【解決手段】円盤状基板の外周部分において複数の面を撮影する撮影部から順次出力される画像信号に基づいて、各撮影視野範囲に対応した撮影画像を表す撮影画像データを生成し、それらの撮影画像データから、前記複数の面に対応した複数の面画像部分Ｉ_Sa、Ｉ_12U、Ｉ_12A、Ｉ_12L、Ｉ_Sbをそれらの対応する境界線Ｅ_15a、Ｅ_15b、Ｅ_15c、Ｅ_15dを合致させるようにして接合させた合成画像を表す合成画像データを生成し、その合成画像データに基づいて前記合成画像を表示ユニットに表示させるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの検査工程を効率化することのできる半導体ウェハの表面検査装置を提供すること。
【解決手段】光照射手段２、受光手段、光電変換手段６、信号増幅手段２６、計測手段２２、及び計数手段２３を備えた半導体ウェハの表面検査装置は、信号増幅手段２６による増幅倍率を固定したときに、予め標本測定により算出された半導体ウェハ表面の異物又は欠陥の大きさに応じて設定された信頼区間幅が格納された信頼区間幅格納手段２５と、信号増幅手段２６による増幅倍率を固定して、異物又は欠陥の大きさに応じた信頼区間幅に基づいて、計測手段２２により計測された半導体ウェハ表面の異物又は欠陥の大きさを算出し、該半導体ウェハ表面の異物又は欠陥の大きさに応じた計数値から、半導体ウェハ表面の良否判定を行う良否判定手段２４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】散乱方位角別の散乱光強度分布情報が得られ、かつ、高感度で異物・欠陥を検出可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】回転放物面の一部分を反射面とする集光用凹面鏡１６１と回転放物面の一部分を反射面とする結像用凹面鏡１６３とを使用し広い立体角に対応可能とする。反射鏡である集光用凹面鏡１６１及び結像用凹面鏡１６３を使用し、レンズ周囲を挟み込んで保持するような支持体は不要で有効開口面積が小となることは無い。反射鏡からなる方位別検出光学系１６０を複数個設け特別なレンズ研磨加工することなく全集を隙間無く埋め尽くし全方位の反射光を検出できる。散乱回折・反射光信号統合部２００は複数の方位別検出光学系１６０のうち予め指定された散乱方位に対応する方位別検出光学系１６０からのデジタルデータを合算し、Ｓ／Ｎ比を向上することが可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程において電子顕微鏡を用いて試料の材料分析を簡便に行う。
【解決手段】材料分析装置１は、試料１２に電子線ＥＢを照射する電子銃１３と、試料１２の表面から飛び出す反射電子ＲＥを検出する電子検出部１４と、電子検出部１４による反射電子ＲＥの検出強度に応じて試料の材料を分析する材料分析部３０を備え、材料分析部３０は、原子量Ｎ１、Ｎ２が既知の材料Ａ１、Ａ２に電子線ＥＢを照射したときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度Ｂ１、Ｂ２に基づき、ある材料に電子線ＥＢを照射するときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度とその材料の原子量との間の近似一次式を決定する近似式決定部３３と、決定した近似一次式に従って試料１２に電子線ＥＢを照射したときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度Ｂｘから、試料１２の材料の原子量Ｎｘを決定する原子量決定部３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本願の第１の目的は、基板を評価のために無駄に廃棄せず、かつ検査の
ための試料を取り出したウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新た
な検査・解析方法や電子部品製造方法を提供することにありす。
【解決手段】本発明は、基板上で第一のイオンビームが照射された領域を少なく
とも含んだ領域に第二のイオンビームを照射し、第一のイオンビーム元素種が含
まれた試料表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする基板の検査・解析
方法とする。
【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウ
ェーハを割断することなく実施でき、かつ、その際にも、イオンビームを構成し
ていた元素種を含む汚染や、デポ膜を構成する元素種を含む汚染を少なくするこ
とが実現できる。 （もっと読む）

【課題】検出感度の高い欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置において、試料を水平な面内にて走査するステージ２８２と、試料の表面の法線に対して斜方より照明し、かつステージ２８２の走査方向と直交する方向に対して傾いた方位より試料上に線状に照明する照明光学系５と、走査方向と同じ方位に配置され、かつ走査方向と平行なパターンからの正反射光を空間的に検出しない仰角に設置され、線状に照明された領域からの散乱光を検出する前方散乱光検出光学系２０と、前方散乱光検出光学系２０にて形成した像を検出するイメージセンサ２１０と、イメージセンサ２１０にて検出した画像を比較処理して欠陥候補を判定する画像処理部２３０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法を提供する。
【解決手段】本発明の包装状態での半導体基板の表面品質を迅速に評価する方法は、半導体基板を室温Ｔａｍで包装材料にて包装し、
（１）温度Ｔａｍより昇温して高温度Ｔｈｉで時間ｔｈｉ維持し、
（２）降温して低温度Ｔｌｏｗで時間ｔｌｏｗ維持し、
（３）昇温して室温Ｔａｍで時間ｔａｍ時間維持した後、
半導体基板の表面品質の劣化を検査することを特徴とする。
【効果】本発明の方法により、包装状態での半導体基板の表面品質の劣化の程度を迅速に評価すること、半導体基板の使用前保存期限を推定すること、包装材料の品質の劣化の評価すること、及び劣化因子の同定することが可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、半導体基板の欠陥を検出するための方法であって、半導体基板を提供し、基板の検査画像Iを作成し、画像処理により画像Iから画像Kを作成し、画像Kを二値化することで画像Bを作成し、画像Bを使って画像Iを調べる工程を有し、画像Kを作成する工程は、画像Iにハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一のウエイト画像W1とを乗算することを含む、検出方法に関する。本発明は、またこの方法を応用するのに適した装置にも関する。 （もっと読む）

【課題】設置環境の温度変化による架台内部の温度影響を可及的に小さくすることである。
【解決手段】基板を測定するための測定機器を収容する測定機器用架台であって、前記測定機器が内部に配置される枠体３と、前記枠体３に設けられ、前記測定機器の少なくとも側方を囲む内面板６１及びその内面板６１との間に気体層を形成する外面板６２からなる二重壁構造４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の測定対象物の清浄度を向上させるとともに照射光学系及び検出光学系の温度安定性を向上させることである。
【解決手段】測定対象物Ｗに検査光を照射する照射光学系１０１及び前記測定対象物Ｗからの生じる光を検出する検出光学系１０２を収容する測定装置用架台１であって、架台１内部に送風を行う送風機構８からの気体流を少なくとも２つに分流する分流機構を備え、当該分流機構により分流された一方の流れを照射光学系１０１及び検出光学系１０２に当て、他方の流れを流速を上げて前記測定対象物Ｗに側方から当てる流量分配構造９を備えている。 （もっと読む）

【課題】 製造ライン等を構成する製造装置群が過去にどのような欠陥を発生したかという情報に頼ることなく、欠陥の発生原因となっている製造装置を的確に特定することのできる装置、そのプログラム、及びその方法を提供することである。
【解決手段】 複数の前記製造装置の夫々について、前記製造装置の名称と、前記製造装置が前記半導体基板に接触する第１の領域を対応づけて記録しておく接触領域データ記録ユニットと、前記半導体基板を外観検査することによって検出された異常が存在する第２の領域が、入力される外観検査結果入力ユニットと、前記外観検査結果入力ユニットから入力された前記第２の領域を含む前記第１の領域を特定し、特定した前記第１の領域に対応する前記製造装置の名称を抽出する基板異常発生源検索ユニットを具備する基板異常発生源特定装置。 （もっと読む）

【課題】 材料を評価のために無駄に消費しない新たな電子部品製造方法を提供すること
。
【解決手段】 試料に複数の加工プロセスを施して電子部品を形成する電子部品製造方法
において、加工プロセスの終了時に上記試料の一部表面を摘出し、上記一部表面に対して
上記加工プロセスでの加工の進捗をモニタまたは検査または解析のうちの少なくともいず
れかを行なう工程を含む方法とする。
【効果】 ウェーハなど試料無駄に割断することなく評価でき電子部品の製造歩留りが向
上する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して検出装置を相対的に移動する構成において、検査位置近傍の清浄度を高く維持できるようにする。
【解決手段】基板検査装置１は、ケース２内に形成される清浄流体の層流内に基板Ｗの検査を行う検査部４が配置されている。検査部４は、検査位置Ｐ２に対して揺動可能に取り付けられた検査ユニット１３を備え、検査位置Ｐ２に搬送された基板表面を光学的に観察できるようになっている。ケース２内には、検出ユニット１３の存在によって検査位置Ｐ２の気流が妨げられ、又は乱されることがないように、第１の層流形成装置７１及び第２の層流形成装置７２が設けられている。第１の層流形成装置７１で、検査位置Ｐ２に向かって気流を案内しているときは、第２の層流形成装置７２は、気流と略平行に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズを、プロセスの改善により除去しなくても第2、第3の未知の因子を発見することができる製品不良解析方法およびこれを用いた警告システムを提供する。
【解決手段】量的変数の(Y11、X11,X12…Xln)(Y21、X21,X22…X2n)…(Yk1、Xk1,Xk2…Xkn)のセットデータをランダムノイズが影響している変量の時系列に並べ、それが正規性を持つ最小のセット数毎に括った平均値を、新しいデータセット(Yavg11、Xavg11，Xavg12…Xavgln)(Yavg21、Xavg21，Xavg22…Xavg2n)…(Yavgm1、Xavgm1，Xavgm2…Xavgmn)とし、新しいデータセットで多変量解析を行う多変量解析方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ステージの位置ズレ補正制御だけに頼ることなく、被検査物を撮影した撮像画像の位置補正や被検査物を撮影するイメージセンサの向きを調整補正する等の対応により、異物やパターン欠陥が高速・高精度に検出でき、コストＵＰが抑制できる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、移動するステージに搭載されている被検査物をイメージセンサで撮影する検査方法において、撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実際位置との位置ズレ量を求め、撮影した前記目標位置の撮影範囲からの撮像画像切り出しで、前記位置ズレ量に見合った切り出し位置補正をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外観検査において感度を高く設定すると虚報も多く検出してしまうため、高感度で検査することができないという問題があった。そのため、全体の欠陥捕捉率を高く維持しながら虚報を抑制することにより実質感度を向上する技術が必要であった。
【解決手段】
検出欠陥の画像をもとに画像特徴量を算出し、検出欠陥の位置座標をもとに座標特徴量を算出し、画像特徴量と座標特徴量のいずれかに対するしきい値処理からなる決定木に従って虚報判定を行う構成とする
【効果】上記画像特徴量と座標特徴量を利用し、決定木に従って虚報判定を行うことにより、実欠陥と虚報の識別を精度よく行うことができるため、虚報を抑制しつつ高感度に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】照明波長の1/10程度の大きさの欠陥で発生する散乱光の分布は等方的となる。このため，多方向で検出した信号を加算することによりSN比が向上して微小欠陥検出が可能となる。一方で散乱光分布が異方性となる欠陥では，多方向で検出した信号を加算することでSN比が低下し，検出感度を低下させることとなる。半導体基板の欠陥検査においては，欠陥の種類に関係なく，高感度検査が必要である。
【解決手段】多方向で検出した散乱光の検出信号を加算して微小欠陥の検出を行うとともに，各検出信号を個別に処理することによって，異方性欠陥の見逃しを回避することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フットプリントの大幅な増大を抑え、エッジ部分を含む高速・高分解能で、検査条件の確認を簡便に行える異物・欠陥検査・観察システムを提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系による観察機能と、荷電粒子光学系および試料周辺を真空にするための排気機能と、稼動範囲が小さいｒθステージと、を設け、従来異物・欠陥検査装置に搭載されていた光学式の観察機能では判別できない観察対象物表面およびエッジ部の微細な異物・欠陥を、他の観察装置を介することなく、検出された欠陥の致命／非致命を判断するための高分解能観察機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体パターン検査装置において、シミュレーションで求められた危険箇所に対して、その検出感度を最適化したい要望がある。しかし、設計データとパターン検査装置を結びつけたツールがない。あるいは、その実施に膨大な時間を要し、製造現場での運用には無理があった。
【解決手段】本発明では、検査装置から出力した複数の検査・画像・特徴量データ、及びレビューＳＥＭ画像だけでなく、シミュレーションから求めた危険箇所の座標情報、及びその部分のＣＡＤ情報を取り込む。これらの情報を並べて表示するデータ処理装置により、危険箇所の検出率の観点から検査装置の検査条件のチューニングを容易にする。また、レビューＳＥＭで読み取ることが出来る座標データを出力して容易に定点観察機能を従来のレビューＳＥＭで実現できるようにする。これによりシミュレーションデータ、検査装置、レビューＳＥＭの連携を容易にする。 （もっと読む）