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【課題】大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジを支持することでウェーハ裏面とステージ面22とを非接触にして該ウェーハが載置される測定ステージ20と、ウェーハを測定ステージ上方に移動させるとともに上方からウェーハを測定ステージに載置するウェーハ搬送手段30と、測定ステージの中央に形成されて上方に向かってガスを供給する噴出孔26とを備えたウェーハ測定装置100において、ウェーハ搬送手段に、圧力ガスが供給されることでウェーハ表面を非接触で吸着保持し、ウェーハを上に凸状に撓ませるベルヌーイチャック40を設ける。 (もっと読む)


【課題】表面検査における検出感度の低下、及び熱ダメージの増加を抑制しつつ、検査時間を短縮することができる表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】被検査物を主走査として回転移動させると共に副走査として並進移動させ、半導体ウエハ100の表面に照明光21を照射して、その照明光21の照射範囲である照明スポット3を形成し、照明スポットからの散乱・回折・反射光を検出し、その検出結果に基づいて半導体ウエハ100の表面上または表面近傍内部に存在する異物を検出する表面検査装置において、副走査の並進移動速度を、半導体ウエハ100の主走査における回転中心から照明スポットまでの距離に応じて制御する。 (もっと読む)


【課題】検査プロセスの前段階で生じた裏面欠陥なのか、もしくは検査時に生じた裏面欠陥なのかを検出することができる基板検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板検査方法は、表面に複数のパターンが形成されるウエハの裏面および裏面以外の面における欠陥を検査する基板検査方法であって、ウエハの裏面における欠陥の存在およびその位置を検出する第1裏面欠陥検出ステップS201と、ウエハの裏面以外の面における欠陥の存在およびその位置を検出する他面欠陥検出ステップS202〜204と、ウエハの裏面における欠陥の存在およびその位置を再度検出する第2裏面欠陥検出ステップS205とを備える。 (もっと読む)


【課題】検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供する。
【解決手段】照明光学系2により標準異物ウエハ110の表面に照明光を照射しつつ、その照射光により標準異物ウエハ110の表面を走査し、検出光学系3の検出器31〜34により標準異物ウエハ110の表面からの散乱光を検出し、その散乱光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて検出器31〜34の光電子増倍管331〜334の検出感度を補正するための補正パラメータCompを算出し、その補正パラメータCompを経時劣化パラメータP、光学的特性パラメータOpt、及びセンサ特性パラメータLrに分離して管理する。 (もっと読む)


【課題】解析対象物が持つ複数の特性値を含むデータセットを、特性値の種類によらず、解析対象物の製造プロセス等に関する事前知識を用いずに、上記特性値が示す傾向に応じて分類するための分類基準を精度良く作成できる特性解析方法を提供すること。
【解決手段】複数の解析対象物にわたってデータセットを集めてなるデータセット群全体の特性値から1個以上の特異傾向を抽出する(S101)。各データセットが各々の特異傾向を含む度合いを算出する(S102)。各度合いを軸とする空間で各データセットに対応するデータ点を求め、その空間で或る距離内に存在するデータ点同士を同じグループに統合する(S103)。統合された各グループに含まれるデータ点の代表値を求め、その代表値から、データセットを分類するための分類基準を作成する(S104)。 (もっと読む)


【課題】検査中の高速回転のウェーハに対して、リアルタイムでその反り量を検出する。
【解決手段】被検査体1に光を照射する第一の光照射部600と、該被検査体1からの散乱光を検出する第一の検出器770と、前記被検査体1に光を照射する第二の光照射部920と、前記第二の光照射部920の光によって前記被検査体1から反射した光を検出する第二の検出器910と、前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージ410と、前記光が照射される位置の位置座標の情報を出力する検査座標検査部450と、前記第二の検出器910からの検出信号に基づいて前記被検査体1の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路940と、前記検査座標検査部450からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路940からの高さ情報に基づいて前記被検査体1のそり量を算出するデータ処理部500を備えた。 (もっと読む)


【課題】高額な装置を必要とせず、比較的短時間に、かつ高感度にて半導体基板表面上の欠陥を検出できる方法を提供する。
【解決手段】ポリッシュ後等の半導体基板を過酸化水素(3〜6質量%)、フッ化水素酸(5〜10質量%)と塩酸(3〜6質量%)の混合水溶液に浸漬して、前記半導体基板の表面における気泡発生を視覚的に検出し、かつ、その気泡発生状況をカメラを用いて撮影することによって半導体基板表面の欠陥や金属シリサイドを検出する。 (もっと読む)


【課題】軽い処理負荷で基板の表面、裏面、およびベベルの検査結果の関連性を表示する。
【解決手段】半導体装置の1つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルのうち少なくとも2つを撮像することにより2枚以上の検査画像が得られる。また、そのうち少なくとも2枚を選択する指示が受け付けられると、選択された各検査画像に写っている欠陥の位置を示す情報として入力される欠陥位置情報に基づいて、選択された各検査画像に写っている欠陥同士を関連付けて、選択された各検査画像から1枚の2次元合成画像100を合成する処理が行われ、合成画像100が表示される。例えば、合成画像100では、ベベル欠陥と他の表面欠陥103a〜103dおよび裏面欠陥104との関連付けは、ベベル欠陥の位置を投影点105a〜105fに投影することによりなされている。 (もっと読む)


【課題】被検査対象基板上に繰り返して形成される様々な回路パターン上に生じる欠陥または異物を、光学条件に依存せず、正常な回路パターンと弁別して欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】被検査対象基板から取得した画像信号に対して、着目画素を含むその周囲に切り出す着目局所領域と、前記着目画素に対応する複数の対応画素の各々を含むその周囲に切り出す複数の対応局所領域の各々を設定し、該設定された着目局所領域の画像信号と前記局所領域設定ステップで設定された複数の対応局所領域の画像信号との類似度を探索し、該探索される類似度情報を用いて、前記着目局所領域の画像信号に類似する前記対応局所領域の画像信号を複数決定し、該決定した前記複数の対応局所領域の画像信号と前記着目局所領域の画像信号とを比較して総合的に欠陥を判定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】SOI膜厚の変動が疑似欠陥として検出されることなく、SOIウェーハの表面近傍を正確に検査することができるSOIウェーハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可視光波長以上の波長帯の光を照射する光源を有する光学的検査装置を用いて、埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハの表面に前記光源から光を照射し、前記SOIウェーハからの検出光を検出して前記SOIウェーハの表面近傍を検査するSOIウェーハの検査方法において、検査対象の前記SOIウェーハの埋め込み絶縁層の厚さに応じて、前記SOIウェーハへの照射光の波長及び/又は前記SOIウェーハからの検出光の波長を設定することを特徴とするSOIウェーハの検査方法。 (もっと読む)


【課題】精度高く基板の検査を行うことができる基板検査方法を提供すること。
【解決手段】3次元のワールド座標系における座標が既知である基準点を含む治具を撮像カメラにより撮像し、撮像素子のピクセル群により特定される画像座標系上の前記基準点の座標を取得する。そして、その基準点の座標を撮像カメラに設定されたカメラ座標系の座標へと変換し、ワールド座標系とカメラ座標系との変換パラメータを演算により求める。そして、その変換パラメータを用いて、被検査基板を撮像して得られるピクセル座標系上の画像データをワールド座標系上の画像データへと変換して検査を行う。このワールド座標系における被検査基板の画像は、撮像手段の位置及び姿勢による歪みが抑えられているので、被検査基板の検査精度を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】 SEMレビューを、より効率的に行う技術が望まれている。
【解決手段】 記憶装置に、異なる条件で欠陥検出が行われた2種類の欠陥検出データが記憶される。撮像装置が、指令された位置情報により特定される位置の画像を取得する。制御装置が、欠陥検出データの各々に登録されている欠陥の位置情報に基づいて、同一の欠陥が少なくとも2つの欠陥検出データに重複して登録されているか否かを判定し、重複して登録されていると認定される欠陥を重複欠陥と認定する。欠陥検出データに登録されている欠陥の位置情報で特定される位置の画像を、撮像装置により取得する際に、重複欠陥については、当該重複欠陥の位置の画像を重複して取得しない制御を行う。 (もっと読む)


【課題】
従来の照射光学系では、照射光学系の状態確認用にカメラを搭載しているが、明るさや光軸のモニタとして使用されているに留まり、装置の異常や定期メンテナンスなどの調整時に使用されていた。本発明では、複数のカメラで照射光学系の状態をモニタリングし、装置にフィードバックすることで、環境の変動に影響を受けない安定した照射光学系、および検査装置を提供することができる。また、部品交換などのメンテナンス時間の短縮を可能とすることを目的とする。
【解決手段】
複数台の撮像装置を設置し、それらの画像を解析することができる計算処理部を有し、計算結果より照射光学系にフィードバックすることができる調整機構を搭載していることを特徴とする検査装置。 (もっと読む)


【課題】検査時間を短縮した表面検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ10の端部近傍の状態を検出するエッジ検出器30〜50と、エッジ検出器30〜50からの出力に基づいてウェハ10の端部近傍の検査を行う演算処理部70と、エッジ検査器30〜50に対してウェハ10を相対回転させるウェハ保持部20とを備え、ウェハ保持部20による相対回転を行いながらエッジ検出器30〜50がウェハ10の端部近傍の状態を検出し、エッジ検出器30〜50からの出力に基づいて演算処理部70がウェハ10の端部近傍の検査を行う表面検査装置1において、ウェハ10の端部を検出するプリアライメントセンサ61〜63が設けられ、演算処理部70は、プリアライメントセンサ61〜63からの出力に基づいて、第1および第2エッジ検出器30,40の作動状態および、第3エッジ検出器50から演算処理部70への出力を補正するようになっている。 (もっと読む)


【課題】既存の計測装置における検出限界以下の微小な異物であっても安定且つ正確に検出することができる汎用性の高い異物検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハWの表面にハロゲン元素を含有する油脂状物質又は有機溶媒を噴霧し、ウエハWの表面温度を調整して噴霧された油脂状物質又は有機溶媒をウエハW表面に付着したパーティクルPの周囲に凝縮させてパーティクルPを強調し、強調されたパーティクルPを表面検査装置を用いて光学的に検出する。 (もっと読む)


【課題】検査基板8を短時間で検査可能な電子線式基板検査装置1を提供する。
【解決手段】検査基板8上の検査領域内に電子線9を走査させる手段11、12と、検査基板8から発生する信号を検出する手段7と、検査基板8上の走査位置と信号を対応付けて画像化する手段13と、検査基板8上に形成される複数の半導体装置の配列データと設計データ19とに基づいて、検査基板8上における複数の半導体装置の存在する範囲を示すダイ領域と、半導体装置における、論理回路の存在する範囲を示す論理回路領域と、メモリ回路の存在する範囲を示すメモリ回路領域と、周辺回路の存在する範囲を示す周辺回路領域との内の少なくとも1つの領域をレイアウト上に生成する手段15aと、生成された領域を用いて、検査領域を設定する手段15bとを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ウェーハ裏面全体について、発生した各種欠陥(研磨ムラ、くもり、スクラッチ及びパーティクル)を、定量的に、検出・評価することができるウェーハ裏面の評価方法を提供することにある。
【解決手段】ウェーハ裏面のパーツ画像をウェーハの円周方向に沿って連続的に撮影し(図1(a))、撮影した前記パーツ画像を合成してウェーハ裏面の全体画像を作成するマップ処理工程(図1(b))と、前記全体画像を微分処理してウェーハ裏面の微分処理画像を作成する微分処理工程(図1(c))とを具え、前記全体画像又は前記微分処理画像をもとに、研磨ムラ(図1(d))、くもり(図1(e))、スクラッチ(図1(f))及びパーティクル(図1(g))を検出し、評価する。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハの表面、またはSOIウェーハの表面に存在する欠陥や異物等に起因する微細な凹凸を高精度に検出することが可能な表面検査方法を提供する。
【解決手段】内部にシリコン酸化膜を形成しないシリコンウェーハの場合、シリコンウェーハの表面に入射させるレーザ光および光検出器に入射させる散乱光を共にP偏光とするPPモードか、または、シリコンウェーハの表面に入射させるレーザ光をC偏光、光検出器に入射させる散乱光を偏光させないCUモードとすることによって、表面検査時のバックグラウンドノイズを大幅に低減することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】
本発明の特徴の1つは、検査装置において測定を行う第1の制御部と、過去の測定データ情報またはマップデータを読み出してデータ処理を行い、マップ上の欠陥位置や測定レシピなどを視覚的に伝えることのできる画面制御表示を並行して行える、第2の制御部を有することである。
【解決手段】
本発明によりウエハ測定中でも過去に検査した測定結果情報の探索,ウエハ上の異物分布の状態,キャリア単位での異物個数確認等が上位ホスト側の不良解析システムを操作することなく検査装置側で容易に実現することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板上の欠陥を分類する分類器の学習に使用される教師データの作成において、教師データに利用される欠陥画像のカテゴリの決定を高速かつ適切に行う。
【解決手段】カテゴリが未決定の対象欠陥画像7から一の種類の特徴量Uおよび2つのカテゴリ81,82の典型的な欠陥を示す典型画像811,812,821から当該一の種類の特徴量Tx11、Tx12、Tx21が取得される。次に、特徴量Uと特徴量Tx11、Tx12、Tx21との3つの特徴量差が求められ、特徴量差が最も小さい典型画像811が属するカテゴリ81に1票が投票される。同様の処理が特徴量の残りの種類についても行われ、カテゴリ81,82のうち得票数が多いカテゴリ81が対象欠陥画像7が属するカテゴリとして決定される。このように、特徴量の種類毎に特徴量差を求めて投票を行うことにより、対象欠陥画像のカテゴリの決定が高速かつ適切に行われる。 (もっと読む)


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