【課題】１枚の対象基板の測定結果だけで，パーティクル分布が異常か否かを極めて容易に判定できるようにする。
【解決手段】パーティクル分布解析を行う対象基板について，その基板上のパーティクル座標データからパーティクル相互間距離についてのヒストグラムデータを作成するとともに，その対象基板上のパーティクルと同数のパーティクルを計算上ランダムに分布させた複数枚の仮想基板について，パーティクル相互間距離のヒストグラムデータを作成する。これら対象基板と各仮想基板のヒストグラムデータ群との差異に基づいて，対象基板のヒストグラムデータについて仮想基板のランダムなヒストグラムデータ群からの距離を数値化した判定データを算出して表示部に表示する。 （もっと読む）

【課題】測定対象物及びスライダの損傷を回避して、微小な欠陥を検出することが可能な平滑面検査装置を提供する。
【解決手段】測定対象物３を支持するステージ２６と、ステージ２６を回転させるスピンドル４と、測定対象物３に光を照射する光源５と、測定対象物３からの散乱光を信号化する光検出部８と、散乱光７を第１の欠陥の情報に変換する信号処理部１１と、第１の欠陥の情報を記憶する第１のメモリ部１２とを有する第１のパートと、第１の欠陥よりも小さい第２の欠陥を検出し、接触センサが搭載されたスライダ９と、スライダ９を浮上させるロード・アンロード機構と、第１のメモリ部１２に記憶された第１の欠陥の情報に基づいて、ロード・アンロード機構２２を制御するスライダ制御部１４と、接触センサ信号処理部１６で変換された第２の欠陥の情報を記憶する第２のメモリ部１７とを有する第２のパートとを備える。 （もっと読む）

【課題】複数台の画像処理装置を用いて欠陥レビューないし欠陥分類を実行する欠陥レビュー装置において、１台の画像処理装置が故障しても欠陥レビューを継続可能な欠陥レビュー装置を実現する。
【解決手段】複数台の画像処理装置間を統括制御する画像処理制御部を設け、複数台の画像処理装置間で常に生存信号を送受信する。生存信号に何らかの障害が検出された場合（タイムアウトなど）、複数台の画像処理装置間で実行している画像処理について、画像処理制御部が画像処理を実行する画像処理装置の再割り当てを行う。
【効果】障害が発生しても欠陥レビュー装置の動作を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来はウエハの半径方向と楕円形状ビームの長辺とを合わせる方法として、光軸調整用検出器と検査用の検出器を別々に設けられていた。そのため検査用の検出器上で光ビームの長辺と半径方向とが一致していないという問題が発生した。
【解決手段】本発明は、ウエハからの散乱光の検出方法としてマルチアノードの検出器を使用し、欠陥検出用の検出器（マルチアノード）のデータを使用して、ウエハに照射されているビームの形状や半径方向とビーム長辺との回転ズレなどを算出して照射ビームの光軸調整を行う方法を提供する。さらに、上記補正データをもとに、回転や振幅の補正量を検査信号データにフィードバックさせ、検査データの補正を行う手段を設ける。本発明により、光学系の調整や信号処理による微細な補正が可能になるため、欠陥検出の位置精度および欠陥強度（欠陥寸法）の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥が多くても検査対象面の全体についての欠陥の検査結果を出力可能な欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置１は、設定部２と検査部３を含む。設定部２は、予め定められた欠陥サイズごとに、目標となる検査カバレッジを示す目標検査カバレッジを設定する。検査部３は、欠陥サイズごとに、その欠陥サイズの欠陥についての検査カバレッジが、その欠陥サイズの目標検査カバレッジとなるように、基板４の検査対象面４ａ上の欠陥の中から検査対象となる欠陥を特定し、その特定された欠陥についての情報を、検査対象面４ａの全体についての検査結果として出力する。 （もっと読む）

【課題】複数の画像データから高精細な画像を表す高精細画像データを生成する高精細画像生成処理において、生成する高精細画像の出力時における画質の低下が抑制されるような画像データを生成することを可能とする。
【解決手段】画像生成装置は、生成する高精細画像データの出力に用いる出力装置に関する情報を出力装置情報として取得し、出力装置情報に基づいて出力装置での出力に適した高精細画像の画像サイズを生成画像サイズとして設定する生成画像サイズ設定部を備える。また画像生成装置は、複数の画像データから、時系列に並んだ複数の画像データを合成元画像データとして取得し、取得した合成元画像データを合成して、設定した生成画像サイズの高精細画像を表す高精細画像データを生成する画像合成部を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造装置に加工を施すことなく、半導体デバイス製造工程での汚染微粒子の発生度合いを評価できるようにする。
【解決手段】汚染評価方法には、半導体デバイス製造工程中の所定の工程の前の段階でワークの表面の汚染微粒子の形状及び分布に関する特性値を測定する第１測定ステップＳＴ２と、前記所定の工程を通されたワークの表面の汚染微粒子の形状及び分布に関する特性値を測定する第２測定ステップＳＴ３と、第１測定ステップＳＴ２及び第２測定ステップＳＴ３での測定結果に基づいて、前記所定の工程での汚染微粒子の発生度合いを評価する評価ステップＳＴ４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチ等と付着する粒子状の異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】欠陥検査装置を、第１のＵＶ光を被検査物の表面に垂直方向から照射する第１の照明系と、第２のＵＶ光を被検査物の表面に斜方から照射する第２の照明系と、被検査物からの散乱光を集光レンズで集光して検出する検出光学系手段と、検出信号を処理して欠陥を弁別する演算処理部とを備えて構成し、第１の照明系の反射ミラーを集光レンズの光軸上で集光レンズとステージとの間に配置して、被検査物の表面に平行な方向から入射した第１のＵＶ光を反射ミラーで反射させて被検査物の表面に垂直方向から照射するように構成した。 （もっと読む）

【課題】近年着目されている微少な凸形状の結晶欠陥、特にＰＩＤと異物を短時間で高精度且つ高感度に区別して評価することのできる半導体ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】２種類の入射角を有する入射系と、２種類の検出角を有する検出系とを備えたレーザー表面検査装置を用いて半導体ウェーハ表面のＬＰＤを測定し、該測定されたＬＰＤを前記半導体ウェーハ表面の結晶欠陥と前記半導体ウェーハ表面上の異物とに分類する際に、従来の低角度入射・低角度検出と低角度入射・高角度検出、または、高角度入射・低角度検出と高角度入射・高角度検出の検出サイズ比率を利用した判定に加え、入射系と検出系が異なる低角度入射・低角度検出と高角度入射・高角度検出の比率も考慮して欠陥の分類を行う。また、各測定モードでの検出感度の設定を所定の一定比率とする。 （もっと読む）

【課題】キズ及びパーティクル等の欠陥の存在及び大きさを短時間で識別することが可能な半導体評価装置及び方法、並びにこれらを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源と、前記レーザ光源と対向するようにして配置された複数の集光レンズを有するレンズ系と、受光器とを具え、前記レーザ光源から発されたレーザ光を前記レンズ系の前記複数の集光レンズを順次に通過させて、相異なるビーム径の複数の測定用レーザ光を順次に形成し、前記複数の測定用レーザ光それぞれを半導体基板の表面に順次に照射するとともに、前記半導体基板の前記表面の複数の欠陥に起因した散乱光を前記受光器で受光し、前記散乱光の強度に基づいて、前記複数の欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】大量のスループットを可能にする高速プロセスを有する光学検査システムを提供する。
【解決手段】レーザ光源１０１からの光ビーム１５１は、活性領域を有し、複数の移動レンズを活性領域に選択的に生成するようにＲＦ入力信号に対して応答する移動レンズ音響光学デバイス１０４に適用される。該音響光学デバイスは、生成された移動レンズの各々の焦点のそれぞれで、光ビームを受け、複数のフライングスポットビームを生成するように動作する。該ポットビームは半導体ウェハ１０８を走査する。使用可能な走査データを生成するために、複数の検出器セクションを有する光検出器ユニット１１０が使用され、各検出器セクションは、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも１つのマルチステージ格納デバイスとを有する。格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。 （もっと読む）

【課題】 プロセス中で発生した欠陥と、疑似欠陥とを区別することができない。
【解決手段】 プロセスに起因する欠陥と、他の疑似欠陥とを切り分けるための切り分けサイズが、切り分けサイズ記憶部(21)に記憶される。欠陥の情報が、欠陥情報記憶部(17)に記憶される。処理装置が、画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、欠陥の情報を、欠陥情報記憶部に記憶させる。ウエハ表面の欠陥検出を行うべき範囲の全域について欠陥検出処理が終了する前に、一部の範囲について検出された欠陥のサイズと、前記切り分けサイズ記憶部に記憶されている切り分けサイズとを比較し(SB3)、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されている場合には、前記出力装置から検査装置異常であることを知らせる警報を出力させ(SB5)、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されていない場合には、未だ欠陥検出処理が行われていない範囲について欠陥検出処理を行う(SB6)。 （もっと読む）

【課題】同一の基板において微小異物の検出と成分分析を行うことができる異物検出方法を提供する。
【解決手段】光学式異物検査装置１３、電子ビーム照射装置１４、水蒸気供給ユニット１５及び圧力制御バルブ１７を備える異物検出装置１０において、ウエハＷの温度及び該ウエハＷの表面を取り巻く雰囲気中の水蒸気圧を制御することによってパーティクルＰの周りに選択的に水分を結露させ、その後、ウエハＷの温度を低下させながら、上記水蒸気圧がウエハの表面にパーティクルが付着していない場合の飽和蒸気圧曲線を越えないように制御して結露した水分から氷の結晶Ｔを発生・成長させ、ウエハＷの表面を光学的に検査し、検査対象のパーティクルＰの位置を特定し、氷の結晶Ｔを蒸発させて除去し、さらに、特定されたパーティクルＰの成分をエレクトロンビームを用いて分析する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料表面上の異物検出を行うとともに、異物が検出されたときには、試料表面上の異物を除去する試料表面上の異物除去方法及びこれに用いる荷電粒子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】荷電粒子線が照射される試料１５０表面上の異物１６０を除去する異物除去方法であって、
試料表面の帯電情報を取得する工程と、
取得した前記帯電情報に基づいて、前記試料表面上の異物を検出する工程と、
試料を水平方向に移動させる工程と、
前記試料表面に対向し、近接して配置された吸着用電極５０、５０ａ、５０ｂが、前記異物の帯電極性と異なる極性に帯電され、接近する前記異物を静電吸着する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】故障解析において、故障が発生する恐れのある配線の組み合わせである近接配線ペアを抽出する際に必要となる時間およびメモリ量を削減する。
【解決手段】
故障解析装置に入力された配線レイアウトデータは、配線層別に分割される。そして各配線層ごとに、配線パターン間の故障発生確率を算出することでクリティカルエリア（ＣＡ）を抽出し、そのＣＡを生じさせている配線パターンの組を近接ペアとして抽出する。この配線層ごとの処理は互いに並列処理する。その後、配線層ごとに得られた近接ペアのデータに対してマージ処理を行い、半導体装置全体についての近接ペアおよびその各々の故障発生確率のデータを得る。そして近接ペアのデータが故障発生確率の高い順にソーティングされた近接ペアリストが作成される。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）

【課題】通常のウエハテストと同じ工程にて初期不良発生の疑いのある集積回路を高い確率にて除去でき、集積回路のコスト上昇なしに集積回路の品質を向上することのできる数積回路を提供する。
【解決手段】ウエハプロセスによって形成される複数の表示装置駆動用ドライバ１が形成されたウエハにおいて、各表示装置駆動用ドライバ１におけるダスト検知用回路および該ダスト検知用回路における測定端子６，７が、該表示装置駆動用ドライバ１の周囲におけるスクライブライン上に形成される。上記表示装置駆動用ドライバ１上に設置された端子を使用して行う動作テストまたはストレステストと、ダスト検知用回路の測定端子６，７を使用して行うダスト検知テストとを、同工程のウエハテストにて行う。 （もっと読む）

【課題】検査時間を短縮できる異物判定装置および方法を提供すること。
【解決手段】本発明の異物判定装置１は、ウェハ９の検査面９１上に載置される基準板４と、基準板４に所定の圧力をかける加圧手段６とを備えている。また、加圧手段６により基準板４に所定の圧力が加えられた状態で、ウェハ９と基準板４との隙間を測定する測定手段７を備えている。さらに、異物判定装置１は、隙間が閾値より小さい場合には、そのウェハ９の検査面９１には除去が必要な異物Ｘ２は存在しないと判定し、隙間が閾値以上の場合には、そのウェハ９の検査面９１には除去が必要な異物Ｘ２が存在すると判定する判定手段８１１を備えている。従って、検査面９１に除去が必要な異物Ｘ２は存在しないと判定されたウェハ９においては、当該ウェハ９に付着する異物Ｘ１，Ｘ２の位置の測定および除去を不要にできるので、その分、検査時間を短縮できる。 （もっと読む）