【課題】テストモード信号が入力した場合にのみ導電体に電流を流すことができ、導電体に流れる電流を検出するためのボンディングパッドを新たに設けることなく半導体チップのクラックを検出することができる半導体装置及び半導体チップのクラック検出方法を提供する。
【解決手段】ゲートがＶＳＳに接続され、ソースがＡ０端子に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ１のドレインと、ゲートがテストモード回路に接続され、ソースがＶＳＳに接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ１のドレインと、の間に導電体１５が接続されているクラック検出用回路１４にテストモード信号が入力され、端子Ａ０に所定の電圧が印加されると、クラックが生じていない場合は導電体１５に電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】被検査体における内部析出物、空洞欠陥、表面の異物ないしスクラッチ、表層のクラックの欠陥を精度よく検出し、欠陥の種類を特定して欠陥を分類できるようにする。
【解決手段】光源装置４からの光をポラライザー５を介して偏光を与えて被検査体Ｗに対し斜め方向に入射させ、その散乱光ＳＢを暗視野に配置された偏光分離素子９を有するＣＣＤ撮像装置７で撮像し、得られたＰ偏光成分画像とＳ偏光成分画像とについて成分光強度を得て、それらの比としての偏光方向を求める。被検査体に応力を印加していない状態と、応力を印加した状態の光散乱体の撮像により得られた画像から成分光強度、偏光方向を求め、所定の閾値と対比することにより欠陥の検出、分類がなされる。 （もっと読む）

【課題】不完全エリアを有効に検査することで歩留り管理の精度向上を図ることができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１に検査光を照射する照明手段１０と、ウェーハ１からの散乱光を検出し画像信号を出力する検出手段２０と、ウェーハ１上の各検査エリアの配置情報を記憶した座標管理装置１４０と、検出手段２０で検出された検査エリアの画像信号を参照エリアの対応画素の画像信号と比較して両者の差分を検出するとともに、検査エリアの配置情報を基にウェーハエッジ１ａに掛かる不完全な検査エリアを認識し、不完全な検査エリアを検査する場合に当該不完全な検査エリア内のウェーハエッジ１ａよりも外側の検査データを有効データから除外する画像処理装置１２０と、検査エリア及び参照エリアの対応画素の画像信号の差分をしきい値と比較して異物の有無を判定する異物判定装置１３０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成の受光光学系であって、光ＮＡ化が可能な受光光学系を有する欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 ロッドレンズ５に入射した散乱光は、ロッドレンズ５の側面５ｃで全反射を繰り返しながら、第１の表面５ａと反対側にある第２の表面５ｂに導かれ、第２の表面５ｂからロッドレンズ５の外部に放出されて、受光素子６により受光される。ロッドレンズ５は、その両端面が第１の表面５ａ、第２の表面５ｂとなっている。第１の表面５ａ、第２の表面５ｂは通常、平面である。そして、第１の表面５ａの面積Ｓ１の方が、第２の表面５ｂの面積Ｓ２よりも大きくされている。よって、広い面積を有する第１の表面５ａで受光を行うので、大きなＮＡを持たせることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧの存在する分割予定ラインをカーフチェックの対象とした場合であっても、ＴＥＧに影響されることなく、正確なチッピング検出を行えるようにする。
【解決手段】ＴＥＧが存在する分割予定ラインを切削した場合とＴＥＧが存在しない分割予定ラインを切削した場合との撮像画像上の特性の違いに基づきＴＥＧが存在する分割予定ラインを判定し（ステップＳ６）、さらに、ＴＥＧが存在する分割予定ラインについてはＴＥＧ領域抽出工程（ステップＳ８）によってＴＥＧ領域を抽出することで、ＴＥＧの存在しない部分のみをチッピング領域として認定するようにした（ステップＳ７，Ｓ９）。 （もっと読む）

【課題】細長い欠陥がウェーハ表面に存在した場合に、欠陥の方向に依存せず、どの方位に伸びる欠陥であっても一様に検出することで、欠陥の実体を正確に把握することを低コストで実現できる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ウェーハ表面にレーザー光を走査しつつ照射する入射系と、前記ウェーハの欠陥により一定角度に散乱する散乱光を捕らえるように配置された受光器を有する受光系とを備えた欠陥検査装置であって、前記入射系は、光源から発せられた一本のレーザー光を複数に分岐し、該分岐されたレーザー光を複数の方向から前記ウェーハ表面の同一領域に入射するものであって、前記受光系は、一つの受光器で前記散乱光を捕らえるものであることを特徴とする欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥検査を短時間で適切に行う。
【解決手段】ウェハを移動させながら、ウェハの各測定領域に対して異なる照度の照明を照らし（ステップＳ１）、各測定領域を撮像する（ステップＳ２）。撮像された各測定領域の画像に色むらが検出されない場合には、次のステップＳ３に進む。一方、色むらが検出される場合には、ウェハを回転させて色むらのない画像を取得する（ステップＳ２−１）。色むらのない各測定領域の画像からＲＧＢ表色系の基準輝度を求め（ステップＳ３）、各基準輝度と照度との関係をグラフ化する（ステップＳ４）。ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度が予め定められた所定の輝度に達する照度を、最適照度と設定する（ステップＳ５）。最適照度の照明が照らされたウェハを撮像し、ウェハの欠陥を検査する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】基板検査装置及び基板検査方法において、基板検査装置のフットプリントを小さくしながら基板検査の自由度を高める。
【解決手段】
基板（Ｗ）のマクロ検査及びミクロ検査を行うための基板検査装置１において、基板（Ｗ）を保持して移動させ、マクロ検査及びミクロ検査の検査中にも基板（Ｗ）を保持するロボットアーム２ａと、光軸（Ｚ軸）に直交する面内において少なくとも１軸方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）に移動可能な顕微鏡５とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】被検査物の欠陥検出の感度を向上することができる欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、欠陥強調処理工程と欠陥検出工程を有する。欠陥強調処理工程は、撮像画像から平滑化画像を作成する工程ＳＴ２０と、検査対象画素を順次選定する工程ＳＴ２１と、検査対象画素に対応する平滑化画像の着目画素の周囲に複数配置された比較対象画素を複数の比較対象画素群に分けて設定する工程ＳＴ２２と、比較対象画素群の各比較対象画素と検査対象画素の各輝度値の差である輝度差データを求め、その値が最小となる最小輝度差を比較対象画素群毎に求める工程ＳＴ２３と、比較対象画素群毎に算出された最小輝度差のうち、値が最大となる最小輝度差を前記検査対象画素の欠陥強調値とする工程ＳＴ２４とを備える。欠陥検出工程は、欠陥強調値を閾値と比較して抽出した欠陥候補画素で構成される欠陥候補領域の特徴量から欠陥を判別する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、研磨または研削された絶縁膜の表面に発生したスクラッチや異物に対してほぼ同じ光束で落射照明と斜方照明とを行い、該落射照明時と斜方照明時との間において浅いスクラッチと異物とから発生する散乱光強度の変化を検出することによって浅いスクラッチと異物とを弁別し、さらに、前記落射照明時における散乱光の指向性を検出することによって線状スクラッチと異物とを弁別することを特徴とする表面検査方法およびその装置である。 （もっと読む）

【課題】ウエハの位置が変動した場合でも、受光光学系を高価にすることなく、小さな欠陥を検出可能なウエハ端面検査装置を提供する。
【解決手段】対物レンズ１１の瞳位置に開口絞り１２が設けられており、撮像面１６は対物レンズ１１の瞳位置と共役な位置に設けられている。欠陥Ｃ、Ｄから放出された光は、視野絞り上では、対応する異なった位置Ｃ’、Ｄ’に結像するが、第２リレーレンズ１５により、それぞれ平行光とされ、撮像面１６を照明する。撮像面１６には、対物レンズ１１の瞳像が結像する。よって、図に示すように、欠陥Ｃ、Ｄから放出された光は、撮像面１６の同じ位置を照明する。すなわち、照明光が照明する位置が変わっても、その反射光が撮像面１６を照明する位置は変わらない。すなわち、ウェハ１の反りや径方向のシフト等に起因して、照明光がウェハ１を照明する位置が異なっても、撮像面１６で受光される位置は変わらない。 （もっと読む）

【課題】撮影画像に基づいて円盤状基板の表面における膜や欠陥部分等の状態をより精度良く検査することのできる円盤状基板の検査装置を提供するものである。
【解決手段】
撮影部から順次出力される前記赤画像信号、前記緑画像信号及び前記青画像信号から、ＲＧＢ空間にて撮影画像を表す赤成分画像データ、緑成分画像データ及び青成分画像データを生成するＲＧＢ画像データ生成手段（Ｓ１）と、前記赤成分画像データ、緑画像成分画像データ及び青成分画像データから、前記撮影画像を彩度に基づいて表す彩度成分画像データ及び前記撮影画像を色相に基づいて表す色相成分画像データのいずれかを生成する色属性画像データ生成手段（Ｓ２）とを有し、生成された前記彩度成分画像データ及び前記色相成分画像データのいずれかに基づいて前記撮影画像の解析を行う（Ｓ３、Ｓ４）ように構成される。 （もっと読む）

【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、
微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段１８０は、透明基板１８７が枠１８５を介して載置台３４の上に設置される。異物付着防止手段１８０はベース１８６上に固定された２本の支柱１８４に回転可能に支持されたシャフト１８１がカップリング１８３でモータ１８２に連結されている。そして、２本に支柱１８４の間で、枠１８５の一部にシャフト１８１が挿入され、枠１８５及び透明基板１８７がシャフト１８１を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠１８５全体がシャフト１８１を軸としてＺ方向に開閉する構造になっており、枠１８５及び透明基板１８７により、載置台３４上のウェハ１を覆うことができる。 （もっと読む）

電子装置用のプレート(12)を製造及び制御する方法は、プレート(12)を位置決め手段(34)によりロードステーション(16)に位置決める第１のステップと、プレート(12)を、金属又は他の材料を堆積するためのユニット(20)に関連した堆積ステーション(18)に配置し、プレート(12)上に金属を堆積して、所定かつ望ましいトポロジー配置に基づき金属トラックをプレート(12)上に形成する第２のステップと、プレート(12)を出口ステーション(24)に配置し、検出手段(30)を作動して、プレート(12)における欠陥の存在を検出する第３のステップと、プレート(12)を出口ステーション(24)から放出する第４のステップと、を備えている。第１のステップでは、検出手段(30)を作動して、ロードステーション(16)に配置されたプレート(12)の欠陥を識別する。第２のステップでは、第１のステップで検出手段(30)がプレート(12)の欠陥を検出しなかったときに、堆積ユニット(20)を作動してプレート(12)上に金属を堆積する。 （もっと読む）

【課題】検査時にウェーハが水平方向や垂直方向に急速に変位しても、受光装置のフォーカス位置が合い、受光装置のフォーカス位置がずれることなく観測ポイントが視野中心に合った状態を維持することが可能な円板体外周検査装置を提供する。
【解決手段】円板体外周検査装置１は、円板体Ｗの径方向と円板面Ｓｗとの直交方向への変位量ΔＸ、ΔＹを検出する変位量検出装置３と、該表面Ｗｓでの散乱光Ｌを反射する第１ミラーとその反射光を散乱光Ｌの光軸に平行で逆向きに反射する第２ミラー４２とを備えるミラー部４と、ミラー部４を光軸方向とそれとの直交方向に夫々移動させるアクチュエータ５とを備え、散乱光Ｌが該表面Ｗｓで角度θ（下向き正）方向に散乱される場合、アクチュエータ５は、ミラー部４を、該表面Ｗｓでの散乱光Ｌの光軸方向及びそれとの直交方向にそれぞれ（ΔＸcosθ−ΔＹsinθ）／２及び（ΔＸsinθ＋ΔＹcosθ）／２だけ移動させる。 （もっと読む）

【課題】 モニタ上に表示された画像に不具合を発見した際にその領域を明確に認識することができ、原因究明等を迅速に且つ適正に行うことである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、被加工物を撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像した画像を表示する表示手段とを備えた加工装置であって、前記撮像手段は、前記チャックテーブルに保持された被加工物の全体を撮像する全体撮像部と、被加工物の細部を撮像する細部撮像部と、前記全体撮像部で撮像した被加工物の全体画像と前記細部撮像部で撮像した細部画像を前記表示手段上に合成して表示するとともに、被加工物の全体画像に細部画像の位置を表示する画像合成部と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに発生するクラックを検知することができ、さらに設計の自由度が向上するとともに配線のレイアウトの自由度やＬＳＩのレイアウト効率およびパッケージ基板のレイアウト効率が向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、多層配線構造を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０上面において、半導体チップ１０の外周縁に沿って形成された複数の電極パッド１２と、複数の電極パッド１２から選択された２つの第１電極パッド１２ａおよび第２電極パッド１２ｂに接続するとともに、平面視において、半導体チップ１０の全外周縁に沿って設けられた配線１８とを備え、配線１８は異なる層に形成された第１配線部１４と第２配線部１６とを含み、第１配線部１４と第２配線部１６とは接続プラグを介して直列に接続されている。 （もっと読む）

少なくとも１つの半導体光電池またはモジュールを製造し半導体材料を分類する方法（３００）が開示される。一実装形態（５００）において、この方法は、製造工程の複数の段階（３１２〜３２４）各々においてウェーハをルミネセンス撮像するステップと、同じウェーハに関する撮像ステップから獲得される少なくとも２つの画像を比較して製造工程によって誘起された障害の発生または増大を識別するステップと、を含む。所定の許容レベルを超えるプロセス誘起の障害が識別されまたは障害が修復され得る場合には、ウェーハは製造工程（３１０）から除去され（３５１〜３５６）、またはウェーハはその特性に適合する別の製造工程に渡される。別の実装形態において、この方法は半導体材料を分類するステップを含む。例えば、少なくとも２つのウェーハを用意し、各ウェーハのルミネセンス画像を獲得し、画像を比較してウェーハの電気的構造の類似性を判定し、所定のレベルの電気的構造の類似性を有するウェーハを同じ系統にグループ化する。本発明の方法は、様々な形の機械的、電気的、および外見上の異常を判定するのに適する。
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【解決手段】本発明は、半導体基板の欠陥を検出するための方法であって、半導体基板を提供し、基板の検査画像Iを作成し、画像処理により画像Iから画像Kを作成し、画像Kを二値化することで画像Bを作成し、画像Bを使って画像Iを調べる工程を有し、画像Kを作成する工程は、画像Iにハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一のウエイト画像W1とを乗算することを含む、検出方法に関する。本発明は、またこの方法を応用するのに適した装置にも関する。 （もっと読む）

【課題】ノッチより小さい微細な欠けやパターンから外れたウエハ外周領域の割れなどの欠陥を精度よく検出することができる半導体ウエハの欠陥位置検出方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの外周形状を第１検出手段で検出し、第１検出手段の検出結果に基づいてウエハの中心位置を求める。また、ウエハ面からの反射光を第２検出手段で受光し、第２検出手段の検出結果に基づいて位置決め部位を検出し、当該位置決め部位の位置を求める。さらに、第２検出手段の検出結果に基づいて欠陥を検出し、当該欠陥の位置を求める。 （もっと読む）