【課題】欠陥検査装置において、欠陥の生じた膜を特定することにより、欠陥発生の原因分析を迅速化し、生産性の低下を防止する。
【解決手段】複数種の膜が積層された被検査対象の基板Ｗを撮像し、撮像データＤを取得するステップと、取得した撮像データから欠陥の有無を検出するステップと、検出された欠陥の領域の色情報を、所定の表色系に準ずる値として抽出するステップと、データベースに記録された全ての膜種の教示データから、前記検出された欠陥の領域と同領域の色情報を、前記所定の表色系に準ずる値として膜種ごとに抽出するステップと、前記検出された欠陥の領域の色情報と、前記教示データから抽出された色情報との相違度を膜種ごとに算出するステップと、相違度が所定値より小さい場合に、その色情報を有する教示データにおいて成膜されていない膜と同種の膜に欠陥を有すると判定するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供する。
【解決手段】照明光学系２により標準異物ウエハ１１０の表面に照明光を照射しつつ、その照射光により標準異物ウエハ１１０の表面を走査し、検出光学系３の検出器３１〜３４により標準異物ウエハ１１０の表面からの散乱光を検出し、その散乱光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて検出器３１〜３４の光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正するための補正パラメータＣｏｍｐを算出し、その補正パラメータＣｏｍｐを経時劣化パラメータＰ、光学的特性パラメータＯｐｔ、及びセンサ特性パラメータＬｒに分離して管理する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ウェハの表面全体の画像から，前記ソーマークの像のみを的確に抽出することにより，太陽電池ウェハの表面全体の前記ソーマークの形成状態を精緻な空間分解能で高速かつ定量的に検査できるようにすること。
【解決手段】太陽電池ウェハの表面の撮像により得られた入力画像データに対しソーマークの像の長手方向に直交する方向におけるエッジ強調処理を施してエッジ強調画像データを生成し（Ｓ２），そのエッジ強調画像データに対しソーマークの像の長手方向に平行な方向におけるハイパスフィルタリングを施してハイパス画像データを生成し（Ｓ３），エッジ強調画像データからハイパス強調画像データを差し引くことによりソーマークの像が抽出された検査用画像データを生成し（Ｓ４），検査用画像データに基づいてソーマークの形成状態の評価値を算出する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体ウエハの下面の外観異常箇所が、何れの半導体素子領域に存在しているかを正確に識別することができる外観検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の半導体素子領域５２が形成された半導体ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常を検査する方法であって、半導体ウエハ５０の下面５０ｂに各半導体素子領域５２を示す映像を投影した状態で、半導体ウエハ５０の下面５０ｂの外観異常箇所５６を目視で特定する検査工程を有する外観検査方法。 （もっと読む）

【課題】軽い処理負荷で基板の表面、裏面、およびベベルの検査結果の関連性を表示する。
【解決手段】半導体装置の１つ以上の製造工程において基板の表面、裏面、およびベベルのうち少なくとも２つを撮像することにより２枚以上の検査画像が得られる。また、そのうち少なくとも２枚を選択する指示が受け付けられると、選択された各検査画像に写っている欠陥の位置を示す情報として入力される欠陥位置情報に基づいて、選択された各検査画像に写っている欠陥同士を関連付けて、選択された各検査画像から１枚の２次元合成画像１００を合成する処理が行われ、合成画像１００が表示される。例えば、合成画像１００では、ベベル欠陥と他の表面欠陥１０３ａ〜１０３ｄおよび裏面欠陥１０４との関連付けは、ベベル欠陥の位置を投影点１０５ａ〜１０５ｆに投影することによりなされている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ膜厚の変動が疑似欠陥として検出されることなく、ＳＯＩウェーハの表面近傍を正確に検査することができるＳＯＩウェーハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可視光波長以上の波長帯の光を照射する光源を有する光学的検査装置を用いて、埋め込み絶縁層上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハの表面に前記光源から光を照射し、前記ＳＯＩウェーハからの検出光を検出して前記ＳＯＩウェーハの表面近傍を検査するＳＯＩウェーハの検査方法において、検査対象の前記ＳＯＩウェーハの埋め込み絶縁層の厚さに応じて、前記ＳＯＩウェーハへの照射光の波長及び／又は前記ＳＯＩウェーハからの検出光の波長を設定することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】精度高く基板の検査を行うことができる基板検査方法を提供すること。
【解決手段】３次元のワールド座標系における座標が既知である基準点を含む治具を撮像カメラにより撮像し、撮像素子のピクセル群により特定される画像座標系上の前記基準点の座標を取得する。そして、その基準点の座標を撮像カメラに設定されたカメラ座標系の座標へと変換し、ワールド座標系とカメラ座標系との変換パラメータを演算により求める。そして、その変換パラメータを用いて、被検査基板を撮像して得られるピクセル座標系上の画像データをワールド座標系上の画像データへと変換して検査を行う。このワールド座標系における被検査基板の画像は、撮像手段の位置及び姿勢による歪みが抑えられているので、被検査基板の検査精度を高くすることができる。 （もっと読む）

ウェーハ検査のための方法および装置を開示する。本方法および装置は、ウェーハの第１表面に向けて第１軸に実質的に沿って光を向け、それによりウェーハの第２表面から第１軸に沿って発散する光を取得することを含み、ウェーハの前記第１表面および第２表面は、実質的に外向きに対置し、面に平行に実質的に延びる。本方法および装置は、ウェーハの第１表面に向けて第２軸に実質的に沿って光を向け、それによりウェーハの第２表面から第２軸に沿って発散する光を取得することをさらに含み、第１軸は、面に沿って延びる基準軸に対して第２軸から離れるように角度をなす。さらに具体的には、面上の第１軸の直交射影は、面上の第２軸の直交射影と実質的に平行であり、面上の第１軸および第２軸の直交射影の各々は、基準軸に対して実質的に直交する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＱ基板上のクラックを容易に検出可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、石英基板の上に半導体層を形成してなるＳＯＱ基板を準備する工程と；前記ＳＯＱ基板上に、複数の半導体装置形成領域とクラック検査用のパターンを形成する工程と；前記パターンを観察し、当該パターンにクラックが発生しているか否かを検査する第１の検査工程と；前記第１の検査工程の結果、前記パターンにクラックが発生している場合には、前記半導体装置形成領域内のクラックを検査する第２の検査工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キズ及びパーティクル等の欠陥の存在及び大きさを短時間で識別することが可能な半導体評価装置及び方法、並びにこれらを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源と、前記レーザ光源と対向するようにして配置された複数の集光レンズを有するレンズ系と、受光器とを具え、前記レーザ光源から発されたレーザ光を前記レンズ系の前記複数の集光レンズを順次に通過させて、相異なるビーム径の複数の測定用レーザ光を順次に形成し、前記複数の測定用レーザ光それぞれを半導体基板の表面に順次に照射するとともに、前記半導体基板の前記表面の複数の欠陥に起因した散乱光を前記受光器で受光し、前記散乱光の強度に基づいて、前記複数の欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ウェーハ裏面全体について、発生した各種欠陥（研磨ムラ、くもり、スクラッチ及びパーティクル）を、定量的に、検出・評価することができるウェーハ裏面の評価方法を提供することにある。
【解決手段】ウェーハ裏面のパーツ画像をウェーハの円周方向に沿って連続的に撮影し（図１(ａ)）、撮影した前記パーツ画像を合成してウェーハ裏面の全体画像を作成するマップ処理工程（図１(ｂ)）と、前記全体画像を微分処理してウェーハ裏面の微分処理画像を作成する微分処理工程（図１(ｃ)）とを具え、前記全体画像又は前記微分処理画像をもとに、研磨ムラ（図１(ｄ)）、くもり（図１(ｅ)）、スクラッチ（図１(ｆ)）及びパーティクル（図１(ｇ)）を検出し、評価する。 （もっと読む）

【課題】様々な欠陥を含む可能性がある検査対象であっても、高精度の検査を実現する。
【解決手段】画像検査装置は、検査対象を撮影するＣＣＤカメラ３と、検査対象を撮影して得られた検査画像に存在するパターンの輪郭を抽出する輪郭抽出部４０３と、輪郭抽出部４０３によって得られた２値化画像においてパターンの輪郭を表す画素のうち、連結した画素の集まりを１つの連結成分とみなし、同一の連結成分の各画素に同一のラベルを与えることにより、連結した輪郭を抽出するラベリング処理部４０４と、ラベリング処理部４０４で抽出された連結した輪郭の数を数える計測部４０５と、計測部４０５で得られた輪郭の数と予め良品と判定された検査画像から求めた連結した輪郭の数とを比較して、検査対象の良否判定を行う判定部４０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】面取り面の形状が異常であるか否かの判定を簡便に行うことができる半導体ウェーハの検査方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの検査方法は、第１の撮像装置１２ａを用いて主表面２１側から視た面取り面２３の画像である第１の画像を撮像し、第２の撮像装置１２ｂを用いて裏面２２側から視た面取り面２３の画像である第２の画像を撮像する撮像工程と、撮像工程により撮像された第１の画像に基づいて面取り面２３を主表面２１側から視たときの幅である第１の幅を求め、撮像工程により撮像された第２の画像に基づいて面取り面２３を裏面２２側から視たときの幅である第２の幅を求め、求められた第１の幅と第２の幅との比率を算出する算出工程と、算出工程により算出された比率が所定の範囲から外れている場合には、面取り面２３の形状が異常であると判定する形状判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガードリングの外側に発生した損傷を簡単で確実に検出して、半導体チップの実装評価を行うことができるチェックパターン及び実装評価装置を提供する。
【解決手段】ダイシングを行うためのスクライブ領域６からガードリング４の外側領域に、半導体チップ５ａの内側に向かって電気回路２を所定の間隔を隔てて複数並列接続、又は複数並列配置されてなる検出部２０と、当該検出部２０に接続され、前記ガードリング４の外側に配設される出力端子３とを備え、電気回路２の断線によるインピーダンスの変化量に基づいて、ガードリング４の外側領域に発生した損傷の状態を解析する。 （もっと読む）

【課題】反射光によるウエハ表面画像と透過光によるウエハ透過画像の模様の違いを修正して、多結晶シリコンウエハの内部クラックを検出する。
【解決手段】多結晶シリコンウエハ２の反射光から得たウエハ表面画像データと多結晶シリコンウエハ２の赤外線透過光から得たウエハ透過画像データとでは結晶粒の大きさが異なる。これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。このクラック疑い画素の隣接するもの同士を連結し、そのクラック疑い画素の分布状態からクラックを検出する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの微小割れを検出するシステム及び方法の提供。
【解決手段】検査方法は、第１の軸に略沿ってウェーハの第１の表面から出る光を受けて、そこから第１の表面の第１の画像を得ることを含み、ウェーハは内部に形成された割れを有し、第１の画像は割れの少なくとも１つの部分を含む。検査方法は、第２の軸に略沿ってウェーハの第１の表面から出る光を受け、そこから第１の表面の第２の画像を得ることも含み、第２の画像は、割れの少なくとも１つの第２の部分を含み、第１の表面は平面に対して略平行に延び、平面上の第１の軸の正投影は、平面上の第２の軸の正投影に略直交する。検査方法は、第１および第２の画像の割れの少なくとも１つの第１の部分および割れの少なくとも１つの第２の部分のそれぞれから、第３の画像を構築することをさらに含む。より具体的には、第３の画像は、ウェーハ内の割れを検査するために略処理可能である。 （もっと読む）

【課題】複数のカラー光源を利用して、鏡面状の検査面を有する検査対象物の欠陥を確実に検出できるようにする。
【解決手段】 検査面２の法線方向に光軸を一致させてカラーラインＴＶカメラ３を配置し、検査面２を横切るカラーラインＴＶカメラ３のライン状視野に対して平行でかつカラーラインＴＶカメラ３の光軸から離れた位置に赤緑青３色の棒状のライン光源４，５，６を配置し、検査面２とカラーラインＴＶカメラ３との間にハーフミラー７を配置し、緑色ライン光源５をその光がハーフミラー７を介してカラーラインＴＶカメラ３の光軸と同軸に検査面２に照射されるように配置し、緑色ライン光源５を挟んで赤色ライン光源４および青色ライン光源６を平行に並べて配置し、ハーフミラー７を介して赤色ライン光源４および青色ライン光源６の光が緑色ライン光源５の光路を挟んで検査面２に対し斜め方向から照射されるようにした。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハにおいてボイドの発生原因となるウェーハの表面欠陥を的確に検出することにより、良品歩留まりの向上および製造コストの低減を可能ならしめた貼り合わせ用ウェーハの欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ前のウェーハ表面を、面検器により、差分干渉コントラスト（ＤＩＣ）を利用して、スクラッチ、微小な突起もしくは凹みの有無を検出し、これらＤＩＣ欠陥の検出結果を総合してボイド発生の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】 撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。
【解決手段】 赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現する。また、ウエーハの比抵抗の値を取得する手段を設けることにより、取得した比抵抗の値に応じた照明手段の照度に設定することにより欠陥の撮像に適切な照明を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】測定視野の大きさによらず、測定視野外からの散乱光を低減することができる表面検査装置を提供する。
【解決手段】被検査体であるウエハ１の表面に光ビーム４５８を照射する光照射部４５０と、ウエハ１を駆動することにより光照射部４５０からの光ビーム４５８をウエハ１の表面に走査させるウエハ駆動手段４７０と、ウエハ１からの散乱光４５９を検出する光検出器４６０ａ，４６０ｂの受光素子４６３と、受光素子４６３に到達する散乱光の透過範囲を変更する視野絞り４６２とを備え、コントローラ５１０により、光ビーム４５８の光径と視野絞り４６２の透過範囲を対応させて制御する。 （もっと読む）