【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体試験装置のベースユニットにおいて、プローブカードが、高温測定時の熱等の影響によって被試験デバイス方向に変形することを防ぐ。
【解決手段】ベースユニット本体と、ベースユニット本体の下方向に配置され、ベースユニット本体に対する傾きを変更可能な、プローブカードを固着するユニットの上部に設けられ、下面の両側に斜面が形成されたテーパブロックと、ベースユニットの下部において、テーパブロックの傾斜方向に設けられたガイド沿って直線移動可能であり、テーパブロックを挟んで配置された１対の下部プレートとを備え、１対の下部プレートは弾性手段により互いに連結され、それぞれの下部プレートは、ガイドに対する停止手段と、テーパブロックの斜面と接触する位置に設けられ、移動方向に回転する回転手段とを備えているベースユニット。 （もっと読む）

【課題】ウエハの電気特性検査時にプローブ針の先端に付着する異物に起因する検査精度の低下を抑制する。
【解決手段】ウエハの電気特性検査工程で使用するプローブカード１５Ａは、配線基板３０と、配線基板３０に取り付けられた金属製のプローブ針固定部３１と、プローブ針固定部３１に接合された複数のプローブ針３３とを有している。プローブ針固定部３１には、冷却管２４が挿通されており、この冷却管２４内を流れる冷却液Ｃによって、プローブ針固定部３１に接合されたプローブ針３３が冷却されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】プローブカードの熱変形の影響によるプローブのコンタクト位置ずれなどを防止した半導体検査装置を提供すること。
【解決手段】プローブカード１に、発熱体４ａおよび４ｂと、発熱体４ａおよび４ｂによって高温にされたプローブカード１表面の温度を計測する温度センサ６とが設けられる。測定装置７は、発熱体４ａおよび４ｂに電流を印加する電流印加部８と、温度センサ６の電流値を計測することによって、プローブカード１表面の温度を計測する電流計測部９とを含み、電流計測部９によって計測された電流値に応じて、電流印加部８を制御することによりプローブカード１表面の温度を制御する。したがって、プローブカード１の表面温度を一定値に保つことができ、プローブカード１の熱変形の影響によるプローブ２のコンタクト位置ずれなどを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の高温特性検査において、チップ面積を増大させることなく低コストで実現可能な半導体発光素子の温度特性検査装置および温度特性検査方法を提供する。
【解決手段】温度特性検査装置１０は、電流印加・電圧測定装置１と測定対象の半導体発光素子２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、電流印加部１１、電圧検出部１２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、たとえば、チッププローバであり、ウェハ状態の半導体発光素子２の電極にプローブをあて電流印加、電圧測定を行っている。測定された順方向電圧値や光出力値を用いて、たとえば、外部にある演算部３、判定部４により、半導体発光素子２の温度特性の良否判定が行われる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査装置の設置スペースを削減することができると共に設置コストを低減することができるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ検査装置１０は、ウエハを一枚ずつ搬送するように第１の搬送領域Ｓ２に設けられた第１のウエハ搬送機構１２と、第１の搬送領域の端部にあるアライメント領域Ｓ３内でウエハ保持体１５を介して第１のウエハ搬送機構１２によって搬送されるウエハＷを検査位置にアライメントするアライメント機構１４と、第１の搬送領域Ｓ２及びアライメント領域Ｓ３に沿う第２の搬送領域Ｓ４内でウエハ保持体１５を介してウエハＷを搬送する第２のウエハ搬送機構１６と、第２の搬送領域に沿う検査領域Ｓ５に配列され且つウエハ保持体１５を介して第２のウエハ搬送機構１６によって搬送されるウエハＷの電気的特性検査を行う複数の検査室１７と、を備え、検査室１７ではアライメント後のウエハの電気的特性検査を行う。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、高温テスト又は低温テスト時に、カード保持部の熱膨張又は熱収縮による影響を受けたとしても、早期にプローブの先端の高さ位置の変動を抑制することができるプローブカードを提供する。
【構成】 プローブカードは、第１面とその裏側の第２面とを有するメイン基板１００と、メイン基板１００の第１面に固着された補強板２００と、熱膨張係数が補強板２００よりも小さい環状の補強部材３００と、補強部材３００の内側に保持されたプローブユニット４００と、メイン基板１００の第２面側で補強部材３００を補強板２００に固定する固定手段５００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】負荷の下で基板を検査する装置及びこれに対応する方法を提供する。
【解決手段】装置が、基板が熱的な，機械的な，電気的な若しくはその他の物理的な又は化学的な負荷にさらされ、この基板の特性がプローバーの手段によって測定される、負荷の下で基板を検査する方法であって、この基板が、負荷手段２に操作連結され、この負荷手段２内で負荷にさらされ、次いでこの負荷手段２から取り出され、その機能が検査され、負荷プログラムが、負荷をかける間に実行され、この負荷プログラムでは、負荷変数が、負荷時間周期の間に変化し、および、基板は、負荷時間周期の間に負荷手段２から繰り返し取り出され、負荷時間の間に時間間隔で検査される方法の為の装置である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板の放熱性が低いプローブカード用基板を提供する。
【解決手段】 第１および第２主面Ｓ１，Ｓ２を有し、厚み方向に貫通する複数の第１貫通孔３を有する第１絶縁基板１と、第３および第４主Ｓ３，Ｓ４有し、厚み方向に貫通する複数の第２貫通孔４を有するとともに、第３主面Ｓ３が第２主面Ｓ２と一定の距離の空間を間に挟んで対向し合うように配置された第２絶縁基板２と、第１絶縁基板１の複数の第１貫通孔３のそれぞれから第２絶縁基板２の複数の第２貫通孔４のそれぞれにかけて貫通して配置され、側面が第１および第２貫通孔３、４の内側面に接合されている棒状の金属材料５とを備えることを特徴とするプローブカード用基板である。第１および第２基板１，２の間の空間部分において熱の伝わりを抑えることができるため、放熱性を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの静特性及び動特性（スイッチング特性）をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台１２と、載置台１２の上方に配置されたプローブカード１３と、少なくとも載置台１２の上面に形成された導体膜と半導体ウエハＷの裏面に形成された導体層とが導通する状態で半導体ウエハＷにプローブ１３Ａを電気的に接触させてパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するテスタ１５と、を備え、プローブカード１３の外周縁部に導通ピン１４を設け、パワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定時に、導通ピン１４を介して載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）とテスタ１５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】より正確な設定温度下で、半導体装置の温度特性を測定することが可能な技術を提供する。
【解決方法】温度特性測定装置１は、半導体ウェハ３１の温度特性を測定する装置である。温度特性測定装置１は、絶縁性を有する液状の熱媒体２１に半導体ウェハ３１の少なくとも一部が浸漬した状態で、熱媒体２１と半導体ウェハ３１とを保持可能な容器１０を備える。また、容器１０に保持されている熱媒体２１を加熱する加熱装置１１を備える。また、熱媒体２１が沸騰している状態において、半導体ウェハ３１の温度特性を測定する特性測定器１２を備える。 （もっと読む）

【課題】高温または低温での検査のスループットが高いプローバの実現。
【解決手段】複数の半導体チップが形成されたウェーハＷを保持するウェーハチャック１８と、プローブ２６を有するプローブカード２５を保持するカードホルダ２４と、を有するプローバであって、ウェーハチャック１８をプローブ２６に対して相対的に移動する移動機構と、該移動機構を制御し、プローブ２６を半導体チップの電極パッドに接触させる接触動作を繰り返すように制御する移動制御部と、を有し、該移動制御部は、ある半導体チップの接触動作の終了後の次の接触動作では、ウェーハＷの中心に対して接触動作が終了した半導体チップの対角付近に位置する半導体チップに、複数のプローブ２６を接触させるように制御する対角移動シーケンスを有する。 （もっと読む）

【課題】 常温時の高精度なチャックトップ上面の平面度を常温時に限らず昇温時や冷却時にも高精度に維持することができるウェハプローバ用ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、ウェハ載置面を有するチャックトップと、チャックトップにおいてウェハ載置面とは反対側の面に設置される温度制御手段と、前記チャックトップ及び／又は前記温度制御手段を支持する支持体と、該支持体の下部に設置された底板とを有し、該底板の熱膨張係数が、前記チャックトップの熱膨張係数以上であり、前記チャックトップ、支持体、底板の熱伝導率をそれぞれＫ１、Ｋ２、Ｋ３としたとき、Ｋ１＞Ｋ２かつＫ３＞Ｋ２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 載置面内の均熱性を悪化させることなく、あるいは従来よりも高い均熱性を維持しながら、昇降温速度の高速化を図る。
【解決手段】 基板を載置する載置面を有する第１均熱板１１と、第１均熱板１１を支持する第２均熱板１２と、第１均熱板１１と第２均熱板１２との間に設けられた少なくとも１層の絶縁された抵抗発熱体１３とを有するヒータユニット１０であって、第１均熱板１１と第２均熱板１２とが互いの対向面に対して略平行な方向に相対移動自在に結合されており、第１均熱板１１と第２均熱板１２は、一方が金属からなり且つ少なくとも片面に可撓性を持たせるための加工が施されており、他方がセラミックス又は金属セラミックス複合材料からなる。 （もっと読む）

【課題】正確な温度制御を行い、かつ、ノイズカットをし、加えて接触不良を解消し、測定精度を向上させる。
【解決手段】被検査体の電極に接触する接触子を有すると共に、前記被検査体との温度差による前記電極に対する前記接触の位置ずれを補正するヒータを内蔵したプローブ装置と、検査信号を前記プローブ装置に送信すると共に、前記ヒータへ電力を供給するテスタと、当該テスタに設けた、前記ヒータへ電力を供給する電力供給系と、当該電力供給系を介して前記プローブ装置のヒータを制御する温度制御ユニットと、を備え、前記電力供給系にヒータ電源遮断用開閉スイッチを備えた。また、雄型のコネクタ部と、他方の端部に設けられた雌型のコネクタ部とからなるコネクタを備えた。さらに、前記電力供給系の着脱可能に接触する接点には導通チェック装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】 プローブ基板の温度制御範囲を小さくして、プローブ基板の温度制御を容易にすることにある。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。プローブ基板は電力を受けて発熱する発熱体を備え、プローブ基板は、１０ｐｐｍ／°Ｃ以上の熱膨張率を有する。 （もっと読む）

【課題】 支持体及びプローブ基板の熱変形に起因する針先の高さ位置及び座標位置の変化を可能な限り抑制することを目的とする。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。支持体及びプローブ基板の少なくとも一方は、電力を受けて発熱又は吸熱する温度調整部材を備え、支持体とプローブ基板とは、ほぼ同じ熱膨張率を有する材料で製作されている。 （もっと読む）

【課題】プローブカードへの加熱を効率よく行い、かつ、半導体集積回路の電気的特性検査におけるコストの低減を図ることができる半導体集積回路の検査装置及び半導体集積回路の検査方法を提供する。
【解決手段】テストヘッド１１と、半導体集積回路に接触するプローブ１８を備えるプローブカード１００を着脱自在に保持するプローブカード保持部１６と、からなり、更に、プローブカード１８を加熱するヒーター１４と、プローブカード保持部１６に固定され且つヒーター１４を保持するヒーター保持部１５と、を有し、当該ヒーター１４はプローブカード１００がプローブカード保持部１６に保持された際に、プローブカード１００に接触するように配されていること。 （もっと読む）

【課題】 プローブカードを効果的に所定の温度に加熱することができるようにすることにある。
【解決手段】 集積回路の試験方法は、前記集積回路を受けるチャックトップが前記集積回路に対し電気信号の授受を行うプローブカードの近傍に存在するか否か、前記集積回路の試験中であるか否か、及び前記プローブカードが所定の温度を有するか否かを含むグループから選択される少なくとも１つを判定する第１のステップと、該第１のステップにおける判定結果に応じて前記プローブカードに備えられた発熱体に供給する加熱電力を調整する第２のステップとを含む。 （もっと読む）