【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、一方の面に開口部１４が周期的に形成された半導体ウェハ１０の検査装置であって、半導体ウェハ１０の一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した入射方向３１に向けて光を出射し、他方の面を照明可能な照明装置２２と、照明装置２２から入射方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で半導体ウェハ１０からの光を受光する検出器２３と、半導体ウェハ１０と照明領域の位置を相対移動して走査を行うステージ２１と、を備えた検ものである。 （もっと読む）

【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源１１と、光源１１から出射される赤外光を平行光としてウエハ３０に略垂直に入射させ、当該ウエハ３０からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するＩＲカメラ１９、２０とを備え、光源１１からの赤外光を導光する光ファイバ１３の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅の測定精度を向上させた表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０２）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０３）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０４）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅を求める演算ステップ（Ｓ１０５）とを有し、演算ステップでは、瞳面における対角線上の瞳内位置および対角線外の瞳内位置での階調値から、繰り返しパターンの線幅を求める。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をＬＰＤとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でＬＰＤの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてＬＰＤの検出を繰り返し、ＬＰＤの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でＬＰＤの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて２回以上検出された、ＬＰＤの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では、微細化につれて致命欠陥の信号強度が減少するので、ＳＮ比を確保するには、ウェハの散乱光によるノイズを低減する必要がある。散乱源であるパターンエッジラフネスや表面ラフネスは、ウェハ全体に広がっている。そのため、ノイズを低減するには、照明領域を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。すなわち、照明領域をスポット状とし、スポットビームの寸法を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。
【解決手段】時間的・空間的に分割した複数のスポットビームを試料に照射する。 （もっと読む）

【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】十分に高い精度で貼り合せ不良部分を検出することができる貼り合せウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】貼り合せウェーハの貼り合せ不良部分の有無を検査する方法であって、貼り合せウェーハに対して超音波を照射した際の貼り合せウェーハ内部からの反射波を用いて貼り合せ不良部分を検出する超音波検査工程と、超音波検査工程を実施した後の貼り合せウェーハに対して粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥離して貼り合せ不良部分を検出するピーリング検査工程とを含むことを特徴とする貼り合せウェーハの検査方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに発生した欠陥の要因を効果的に解析できる欠陥解析方法及び欠陥解析装置を提供する。
【解決手段】一態様に係る欠陥解析方法は、半導体デバイスの欠陥検査で得られた欠陥の位置及び大きさと、光学検査で得られた欠陥を含む領域の反射光の波形を取得するステップと、半導体デバイスを製造する複数の工程と、工程毎の処理内容を含む工程情報を取得するステップと、欠陥の位置及び大きさと、工程情報に基づいて、半導体デバイスのプロセスシミュレーションを行うステップと、シミュレーション結果に対して光学シミュレーションを行い、反射光の波形を生成するステップと、取得した反射光の波形と、生成した反射光の波形との類似度を算出するステップと、算出された類似度が、予め登録された閾値を超えているか否かを判定するステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】サンプルの異常を検出する光学装置において、より広範囲な用途に使用され、感度と性能が改善されたコストのより低い改良された表面検査システムを提供する。
【解決手段】サンプル１８の表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第１の光学機器１２と、第１の検出器アレイ３２と、第１の光線１６から生じ、サンプル表面上の照明される領域２０から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第１のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器３０と、を備え、前記第１の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器１０６を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅を測定可能であるとともに、繰り返しパターンの下層部の状態を検出可能な表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および繰り返しパターンの下層部の状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い線幅感応瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、線幅変化の影響を受けない線幅不感応瞳内位置での階調値から繰り返しパターンの下層部の状態を求める。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全体に亘る高寸法均一性を得るように後続半導体処理段階を制御するためにウェーハにおいて複数の位置を測定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】その方法及び装置は、処理寸法マップを作成するように複数の位置において特徴の寸法をマッピングし、寸法マップを処理パラメータマップに変換し、そして、その特定のウェーハに対して後続処理段階を調節するように処理パラメータマップを用いる。ウェーハはまた、目的の出力と実際の出力とを比較するために処理後に測定され、その差分は、後続のウェーハのために寸法マップから処理パラメータマップへの変換を改善するように用いられる。 （もっと読む）

【課題】照明条件、もしくは検出条件の異なる検査結果を統合することで、ノイズやNuisance欠陥と真の欠陥を高精度に判別することができる欠陥検査装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置であって、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから欠陥候補を検出する欠陥候補検出部と、該複数の画像データから検出された欠陥候補の情報を統合して、欠陥とノイズを判別する検査後処理部とを有する画像処理部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程におけるプロセスによっては、ウェハ全体に大きな電位をもった帯電分布を生じさせる場合がある。大きな帯電電位は電子結像に大きなコントラスト異常が生じる可能性がある。
【解決手段】予備チャンバ２０２から真空チャンバ２０１にウェハが搬送される際に、予備除帯電装置１２０１を用いて予め生じているウェハの帯電を消去、または検査時に行われる予備帯電で制御可能な電位まで減ずる。予備除帯電装置１２０１の設置位置は、予備チャンバ２０２と真空チャンバ２０１との間の開口部の真空チャンバ２０１側が望ましい。 （もっと読む）

【課題】最上層のパターン、特にホールパターンの検査を、高いＳ／Ｎ比で行うことができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】照明光Ｌ１によって照明されたウエハ２からは回折光Ｌ２が生じ、受光光学系４に導かれて集光され、回折光Ｌ２によるウエハ２の像を本発明の撮像手段としての撮像素子５上に結像する。画像処理装置６は、撮像素子５で取り込んだ画像の画像処理を行って、欠陥を検出する。偏光板７は、照明光Ｌ１がＳ偏光でウエハ２を照明するし、かつその振動面とウエハ２のとの交線がウエハ２に形成された配線パターンと平行、又は直交するようにされ、偏光板８はウエハ２からの回折光のうちＰ偏光の直線偏光を取り出すように調整されている。こうすることでホールパターンの検査を、その下に存在する配線パターンと区別して検査することが可能になり、表層の欠陥をＳ／Ｎ比の良い状態で検査することができる。 （もっと読む）