【課題】オペレータの負荷を軽減し、欠陥を効率的に修正することができる欠陥修正装置を提供する。
【解決手段】欠陥の修正が行われる前に、ステージ２は、欠陥が対物レンズ１４の視野領域に入る位置に基板１を二次元移動する。カメラ５は、入射光に基づいた画像信号を生成し、制御装置６へ出力する。画像処理部６２は、レビュー検査画像信号に基づいてサムネイル画像データを生成する。主制御部６５はレビュー検査画像のサムネイル画像データを欠陥データと関連付けて記憶部６６に格納する。修正開始の指示が出された場合、主制御部６５は記憶部６６から全てのレビュー対象欠陥のサムネイル画像データを読み出して、ディスプレイ７へ出力する。ディスプレイ７は、サムネイル画像データに基づいて、各欠陥のレビュー検査画像を縮小したサムネイル画像を表示する。レビュー検査画像の表示を確認したオペレータによって選択された欠陥にレーザーが照射される。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子が作りこまれた半導体ウエハ全体に現われる欠陥の分布や傾向を、煩わしい作業を伴うことなく、簡単且つ直感的に把握可能にする。
【解決手段】半導体ウエハ１６に形成された複数の撮像素子１４の各々から得られた画像データＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓを、半導体ウエハ１６上の位置に対応する仮想上の位置にマッピングして、合成画像データ１８を生成し、合成画像データ１８に基づく合成画像を表示装置１１に表示させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、干渉縞（モアレ）が発生しても、欠陥の正確な検出をすることができるパターンの検査方法、パターンの検査装置および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】検査対象物上のパターンを撮像することにより検査を行うパターンの検査方法であって、撮像された画像を分割して複数の検査画像を作成し、前記検査画像が有する周期情報に基づいて参照画像を作成し、前記参照画像の位相を前記検査画像の位相に合わせ、前記位相を合わせた参照画像の振幅を前記検査画像の振幅に合わせ、前記振幅を合わせた参照画像をサンプリングすることにより前記検査画像を復元させることを特徴とするパターンの検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑えて高速に欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】画像取込部21は２次元の画像情報を生成する。DWT処理部22は、離散ウェーブレット変換により、画像サイズが縮小された縮小画像情報を生成する。欠陥検出部25は、縮小画像情報を用いて検査対象物上の欠陥を抽出する。元の画像情報に対応した画像よりも画像サイズを縮小する一方で、周波数成分を維持した縮小画像情報を用いて欠陥を抽出するので、コストの増大を抑えて高速に欠陥検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】検査の効率化を図ることが可能な検査装置を提供すること。
【解決手段】被検査物（半導体ウエハ）１０を支持して回転させる回転支持部（回転テーブル）２０と、前記被検査物の中心と前記回転支持部の回転中心との間の偏心状態を検出する偏心状態検出部３２，３３と、前記被検査物の周縁部位１０ａにおける欠陥を検出する欠陥検出部４０と、前記偏心状態に基づいて前記被検査物の前記周縁部位と前記欠陥検出部との相対的位置関係を調整する調整部（位置合わせ機構３０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線顕微装置において、任意倍率における幾何歪みを高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 周期構造を持つ標準試料を基準にした絶対歪みとして第1の倍率における幾何歪みを測定する。幾何歪み測定済の第1の倍率と、幾何歪み未測定の第２の倍率で微細構造試料を撮影する。第1の倍率の画像を第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成する。第2の倍率における幾何歪みを、伸縮画像を基準とした相対歪みとして測定する。第1の倍率における絶対歪みと第2の倍率における相対歪みから 、第2の倍率における絶対歪みを求める。以後、第2の倍率を第1の倍率に置き換えて相対歪み測定を繰り返すことにより、任意倍率における幾何歪みを測定し、補正する。 （もっと読む）

【課題】目的とする欠陥を高感度に抽出できる半導体欠陥検査システムおよび欠陥検査方法を提供する
【解決手段】欠陥検査装置１において取得された画像と、設計データあるいはレチクル検査から取得されるレイアウトデータとを重ね合わせた画像を画像処理手段２１が生成する。ユーザは、当該重ね合わせ画像に基づいて、欠陥検査領域および検出感度を検査条件設定装置にて指定する。欠陥検査装置１は当該検査条件に基づいて欠陥検査を行う。従来のように数種類のパターンを含む欠陥検査領域を指定するのではなく、パターンそのもの毎に合わせて検出感度を変化させることができるため、擬似欠陥の検出量を低減できるとともに目的とする欠陥に対する検出感度を高くできる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルカウンタで測定したウェーハ上の粒子の座標データに対し走査型電子顕微鏡（SEM）で当該粒子の探索を効果的に行うための、座標データ変換・補正式を短時間で精度良く算出する。
【解決手段】同じウェーハ上の粒子につき、汎用パーティクルカウンタで測定した第１座標データ２０と、SEMまたは相応の高精度測定機で測定した第２座標データ２２とを入力する（S11、S12）。第１座標データ２０と第２座標データ２２との差に基づき、第１座標データ２０を第２座標データ２２に近づけるための直交変換（並進と回転）式３８を、最小二乗法で算出する（S18）。直交変換式３８を用いて第１座標データ２０を変換第1座標データに変換する（S19）。変換第１座標データと第２座標データ２２との差に基づき、並進と回転の補正では除去できない位置ずれの面内分布式３９を、最小二乗法で算出する（S20）。直交変換式３８と面内分布式３９を出力する。 （もっと読む）

【課題】従来のウェーハ表面検査装置は、ウェーハ外周部分を非検査領域とし、異物の検査ができなかった。そのため、ウェーハの致命欠陥を見落とす可能性があった。
【解決手段】これを改善するために、例えば、エッジ領域を測定する場合、ノイズとなる回折光の影響を受けない角度の受光器を選択することにより、感度低下を最小限おさえた検査が可能である。そして、従来測定できなかった、外周部の異物の管理が可能となり、ウェーハの致命欠陥の見落としがなくなり、ＩＣの不良低減になる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに付着した異物を検査する異物検査装置において、気圧および気温といった気象条件の変化によって感度変動が生じた場合、高感度を維持するために行う煩雑な焦点調整作業を不要とし、常に最高の感度を維持し、装置の稼働率の向上を実現する。
【解決手段】信号強度が最大となる最適なＺ座標を探索し、その時点の気圧（気圧基準値）と、気温（気温基準値）と、最適なＺ座標（Ｚ基準値）の３つを基準値とする。任意の時点での気圧と、気温を計測し、各々基準値との変動分をとって、予め求めておいた換算係数を掛けて、変動分をＺ座標に換算する。変動分のＺ座標換算値を、Ｚ基準値に足しこめば、変動を補正して最大感度を得ることができる。これにより、単に気圧と気温の変動を補正してＺ座標を安定化するという点にとどまらず、常に最大感度を得るようにＺ座標を補正し続ける。 （もっと読む）

【課題】外観検査において、全体の欠陥捕捉率を高く維持しながら虚報を抑制することにより実質感度を向上する技術を提供することにある。
【解決手段】外観検査において、予備検査を行って、欠陥候補の検出と同時に少なくとも１ダイ分の画像情報（背景情報）を取得し、該取得した画像情報と検出された欠陥候補のダイ内座標位置情報を重ねて表示し、それらの情報（背景の類似と欠陥候補の密集状態）を基に虚報のグループを推定して非検査領域あるいは感度低下領域を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＮＶＣ(Negative Voltage Contrast)モードまたはＰＶＣ(Positive Voltage Contrast)モードのいずれのモードでも、適切な条件下で検査を行える半導体ウェーハ検査装置および半導体ウェーハ検査方法を提供する。
【解決手段】一次電子２は、対象物ウェーハ６に照射され、その照射位置をＸＹ方向に走査される。対象物ウェーハ６からの二次電子（または反射電子）１０は、帯電制御電極５によって制御され、センサ１１によって検出される。画像処理回路は、センサ１１からの検出信号を検出画像に変換し所定の参照画像と比較して欠陥を判定し、全体制御部１４は、レシピ情報から対象物ウェーハ６ごとに検査条件を選択し、帯電制御電極５に印加する電圧を設定する。Ｚステージ８は、この電圧に応じて対象物ウェーハ６と帯電制御電極５との間隔を設定する。 （もっと読む）

【課題】指定された座標に試料ステージを移動して試料を観察する観察装置において、迅速かつ確実に観察視野に試料が入るように座標補正する方法を提供する。
【解決手段】本発明による観察装置は、検査装置によって予め算出された座標に、試料ステージを移動して試料を観察する観察装置において、検査装置によって予め算出された座標値と観察装置が検出する真の試料位置とのズレを補正する座標補正テーブルを複数保持する機能を有し、複数の座標補正テーブルの補正精度を評価して、評価値が最大の座標補正テーブルを適用する。 （もっと読む）

【課題】撮像対象物の主面の垂線と、撮像方向に伸びる光軸とが非平行な状態で撮像対象物の主面を撮像することによって低下した画像の解像度を補正し、画質の良いデジタル画像データを得ることができる画像処理装置及び検査装置を提供する。
【解決手段】ラインセンサカメラ２５は、結像光を電気信号に変換し、１ライン毎に画像取り込み部３１に出力する。画像取り込み部３１は、１ラインのデータを垂直につなぎ合わせる処理を実施して２次元画像データを生成する。補正部３２は、２次元画像データに対して、被検体の垂線とラインセンサカメラ２５の光軸がなす角度に応じて画像内の所定方向の解像度を補正する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高倍率での検査を精度よく行う。
【解決手段】本願発明の装置調整方法は複数の大きさの欠陥の少なくとも１つの大きさの欠陥の個数がピークを有するウェハを用いて、フォーカスを変化させて各フォーカス値での欠陥検出数を取得し、所定の欠陥の大きさについて欠陥検出数がピークとなるフォーカス値を取得し、このフォーカス値を用いて装置のフォーカスの調整を行なう方法である。 （もっと読む）

【課題】ステージ直交誤差及びミラー歪みによって生じる位置誤差を低減する。
【解決手段】ＣＰＵ１０−２は、ＸＹステージ１０−１上に位置決めした基準ウエハＷ_０上の複数の基準点の計算上の位置座標と、それら基準点のレーザ干渉計１０−４による測定位置座標（ｘ，ｙ）との座標誤差Δｘ及びΔｙを算出し、算出された座標誤差Δｘ及びΔｙに基づいて、ＸＹ座標の直交誤差を演算し、かつ、干渉計のミラー歪みによる誤差を演算し、記憶装置１０−５に格納する。ウエハＷを実際に検査する際、ＣＰＵ１０−２は、演算された直交誤差に基づき、レーザ干渉計１０−４からの測定位置座標（ｘ，ｙ）を補正し、また、演算されたミラー歪みによる誤差に基づき、ビーム偏向器１０−７の偏向を補正する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ各部の検査画像の撮像にあたり、ウェハのソリに対処しつつフォーカス補正を容易に行え、検査時間を大幅に短縮できる外観検査方法および外観検査装置の提供。
【解決手段】ウェハをアライメントする際（Ｐ１）に用いられるアライメントパターンについてのマーク合焦位置を測定し（Ｐ２）、このマーク合焦位置を基にウェハのソリ形状を求め、このソリ形状からウェハの被検査面の各部における各部合焦位置を算出するので（Ｐ３）、ウェハの被検査面の各部ごとにフォーカス調整（合焦）することが不要となる。すなわち、ウェハの各部ごとに合焦する手間が掛かることなく、ウェハ各部における合焦位置を得ることができるので、孔が明いていたり裏面側への接触が不可とされたウェハのソリに対処しつつフォーカス補正を容易に行うことができ、ウェハの外観検査に要する時間を大幅に短縮できる。 （もっと読む）

【課題】シュリンク量（あるいは測長値の真値からのずれ量）および再現性誤差量の双方を考慮して、荷電粒子線システムの最適なパターン寸法計測条件を決定する。
【解決手段】本発明者等は、シュリンク量と計測再現性誤差量とがトレードオフの関係にあることを見出した。また、同じシュリンク量であっても、一次荷電粒子線１１の照射エネルギ等を決定する測定パラメータ（加速電圧、電流量、観察倍率、フレーム数）によって計測再現性誤差量が異なることを見出した。そこで、測定パラメータである加速電圧、電流量、観察倍率、およびフレーム数の少なくとも２つを要因とする直交表を使って実験計画を立て、半導体デバイス１３のシュリンク量および計測再現性誤差量を計測する実験を行う。そして、実験結果から多元配置により各要因の水準の組み合わせにおけるシュリンク量および計測再現性誤差量を算出する。 （もっと読む）

【課題】輝度が変動する白傷の影響を少なくする。
【解決手段】カメラ５により撮像されたウエハＷの表面の散乱光による画像に基づいて表面検査を行う前に、カメラ５の撮像面に光が入射ない状態で撮像して得られた真性黒画像から、第１所定輝度Ａ以上の輝度を有する第１カメラ画像位置と、第２所定輝度Ｃ以上で第１所定輝度Ａ（但し、Ａ＞Ｃ）未満の輝度を有する第２カメラ画像位置とを検出する。検出された第１カメラ画像位置を恒久的な欠陥と判断し、検出された第２カメラ画像位置を一時的な欠陥と判断する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造装置、記憶装置等をストレージエリアネットワークにより連係することにより、大容量の画像データあるいは設計データを高速に通信し、システムのスループットを向上する。
【解決手段】露光部、該露光部を制御する制御部および記憶装置を備えた半導体製造装置２０と、観察部、該観察部を制御する制御部および記憶装置をそなえた半導体検査装置１０と、前記半導体製造装置および半導体検査装置が共通に使用する記憶装置３０とからなり、前記半導体製造装置２０、半導体検査装置１０および前記共通に使用する記憶装置３０をストレージエリアネットワーク４０を介して接続する。 （もっと読む）