【課題】 欠陥検査装置におけるリサイズ処理を高い精度で実現することができ、欠陥検出感度の向上をはかる。
【解決手段】 被検査試料のパターン欠陥を検出するための欠陥検査装置において、試料１に光を照射する光源３と、試料１からの反射又は透過光を検出して測定パターンデータを取得する光電変換部１３と、設計データから複数の画素データを含む展開データを生成する展開回路１７と、展開データの各画素の近傍に存在する隣接図形間の距離に相当する量を求め、隣接図形間の距離に相当する量に基づいて画素毎に係数を求め、求めた係数に基づいて展開データにフィルタ処理を施すリサイズ回路１８と、フィルタ処理が施された展開データに基づいて基準パターンデータを生成する光学フィルタ回路１９と、測定パターンデータと基準パターンデータとを比較する比較回路７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】薄膜ＳＯＩウェーハ表面のマイクロラフネスをＨａｚｅ値を利用して迅速かつ容易に評価する方法を提供する。
【解決手段】評価対象の薄膜ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層厚さとＨａｚｅ値を測定し、マイクロラフネスを大きく変えずにＳＯＩ層厚さを変えたそれぞれの薄膜ＳＯＩウェーハのＨａｚｅ値を測定して得られるＳＯＩ層厚さとＨａｚｅ値との相関曲線を基準として、前記評価対象ウェーハのマイクロラフネスを評価する。評価対象薄膜ＳＯＩウェーハのＨａｚｅ値の前記相関曲線からの変位（ズレ）量を指標としてマイクロラフネスを評価すれば、より的確な評価が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ２画像の対応部分のグレイレベル差を検出し、この分布に基づき閾値を自動設定し、これら閾値とグレイレベル差とを比較し、グレイレベル差が閾値より大きい場合に欠陥であると判定する画像欠陥検査方法及び装置において、グレイレベル差の分布が通常の分布と異なる場合、閾値を補正することにより、疑似欠陥の発生を抑えつつ高い検出感度を実現すること可能とする。
【解決手段】 グレイレベル差の累積頻度を算出し（Ｓ３）、グレイレベル差が分布すると仮定した所定の分布で、累積頻度がグレイレベル差に対してリニアな関係になるように累積頻度を変換して変換累積頻度を算出し（Ｓ４）、変換累積頻度の近似曲線を導出し（Ｓ１１）、この近似曲線のグレイレベル差についての２次微分値を算出し（Ｓ１２）、この２次微分値に応じて閾値を補正する（Ｓ１３）。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの測定、検査、欠陥レビュー用などの走査電子顕微鏡において、画像を撮像する時間の短縮と高画質撮像の両立を実現する。
【解決手段】大ビーム電流を用いて低倍画像を撮像し、小ビーム電流を用いて高倍画像を撮像し、ビーム電流の変化によって発生する撮像画像の輝度変化、焦点ずれ、アライメントずれ、視野ずれを補正する制御量を予め全体制御系１１８内のメモリに保存しておき、ビーム電流を切り替える都度これを補正することにより、電流を切り替えた後の調整作業なしで画像を撮像することを可能にする。また、電子ビームの照射経路中に絞り８０１を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】 ２画像の対応部分のグレイレベル差を検出し、この分布に基づき閾値を自動設定し、これら閾値とグレイレベル差とを比較し、グレイレベル差が閾値より大きい場合に欠陥であると判定する画像欠陥検査方法及び装置において、グレイレベル差の分布が通常の分布と異なる場合、閾値を補正することにより、疑似欠陥の発生を抑えつつ高い検出感度を実現すること可能とする。
【解決手段】 ２画像の対応部分のグレイレベル差の累積頻度を算出し（S103）、仮定した所定の分布で、累積頻度がグレイレベル差に対してリニアな関係になるように変換して変換累積頻度を算出し（S104）、グレイレベル差が正及び負である各領域で近似直線を算出し（S105）、各近似直線同士の傾きの差が所定値より大きいとき（S106）、傾きの小さい方の近似直線をその傾きが増大するよう補正し（S107）、この近似直線に基づいて所定の累積頻度の値から所定の算出方法に従って閾値を決定する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの表面の二次電子像と設計データの画像を画像合成して観察位置を決める方法では、荷電粒子ビーム装置の倍率精度が位置特定精度に影響を与える課題があった。
【解決手段】第１の画面１２と第２の画面１３のどちらか一方の画面で所望位置を指示し、第１の画面１２の座標系と前記第２の画面１３の座標系が相互変換するための変換関数を用いて他方の画面で対応する位置を特定することで、前記どちらか一方の画面で指示した所望位置に対応する他方の画面での位置を特定できる。 （もっと読む）

【課題】 イメージセンサの感度補正データが、校正ミラー片に付着した異物によって変化することを防止する。
【解決手段】 異物付着検出部１７は、メモリ１８と比較処理部１９とからなる。メモリ１８は実装されたばかりの異物の付着していない校正用ミラー片３をイメージセンサ１１によりスキャンしたときのセンサ出力を保存する。イメージセンサ１１の同期信号は、ステージコントローラ２１が移動ステージ１を制御するために使用するエンコーダ信号に基づいて、同期信号発生器２０において作成される。メモリ１８にデータを保存する処理は、校正用ミラー片３を交換した直後に一度だけ行えばよい。比較処理部１９は、補正データを取得するときに校正用ミラー片３をスキャンして得られたセンサ出力と、上記の処理により校正用ミラー片３を交換した直後にメモリ１８に保存されたセンサ出力との比較を行い、校正用ミラー片３に異物が付着したか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】
検査装置から出力された欠陥座標の誤差を補正し、欠陥レビュー装置における欠陥探索用の視野サイズ及びファインアライメント用の欠陥を容易に選定することができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】
校正用基板の欠陥の位置座標を絶対座標と呼び、検査装置によって検出した校正用基板の欠陥の位置座標を検査座標と呼ぶ。絶対座標に対する検査座標の偏差が検査座標に含まれる誤差である。検査座標より、「傾向を持つ誤差」を除去すると、検査座標には、「傾向を持たない誤差」が残る。傾向を持たない誤差に基づいて、欠陥レビュー装置における欠陥探索用の視野サイズを設定する。更に、検査装置によって検出した校正用基板の欠陥サイズの検出値の傾向に基づいて、ファインアライメント用の欠陥を選定する。 （もっと読む）

【課題】 検査対象からの反射光もしくは回折光が検査対象のパターン密度に応じて変化する光学条件においても検出視野内でのイメージセンサの感度を均一にする。
【解決手段】 検査対象からの反射光もしくは回折光成分の分布を変更可能な複数の光学条件を任意に選択可能で、かつ、一次元もしくは二次元の光電変換イメージセンサを有し、検査対象を搭載したステージを走査するかもしくはイメージセンサを走査することにより光学的に画像を取得し、画像処理等により検査対象の欠陥等を検査する検査装置において、光学条件（照明光学系、検出光学系、走査方向等）毎に検査対象試料を撮像して取得したイメージセンサ検出視野内での光量分布とコントラストから、イメージセンサ出力補正データを生成し、イメージセンサ出力の補正を行う。 （もっと読む）

検出されたウェハ欠陥座標値をＣＡＤデータを用いてレチクル座標値に変換する為のシステムと方法が記載される。ウェハ検査画像が得られ、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値が測定される。その後、前記ウェハ検査画像は、所定の画像フォーマットに変換される。試験中のデバイスのＣＡＤデータは、その後第２の画像作成の為に用いられが、その際も前記の所定の画像フォーマットによる。前記ＣＡＤ由来の画像と前記ウェハ由来の画像は、その後整合され、前記ウェハの欠陥である可能性のある座標値は、ＣＡＤ座標値に変換される。その後前記ＣＡＤ座標値は、前記検出されたウェハ欠陥に相当するレチクル欠陥の位置を特定するために、前記ウェハに代わって前記レチクルを介して進路を指示するように使用される。
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【課題】
ステージを走査しながら電子線を照射し，発生する二次電子又は反射電子を検出して回路基板のパターン欠陥を検査するパターン検査装置では照射電子と発生する電子の差分が回路基板に蓄積するチャージアップが発生する。チャージアップにより，焦点オフセットがずれ，欠陥検出性能が低下する。
【解決手段】
検査中にステージをスキャンしながら取得した画像を用いて焦点オフセットを計測し，計測結果でオフセットを補正する。 （もっと読む）

【課題】
酸化膜などの透明膜が表層に形成された半導体デバイスの正常部において、ダイ間で画像の明るさが異なって検出された場合でも、欠陥を見逃すことなく、かつ誤検出を少なくして検査を行う。
【解決手段】
半導体デバイスの製造工程の途中で、所定の工程で処理された基板の異物の発生状態を検査し、検査して得た情報を用いて製造工程を監視しながら半導体デバイスを製造する方法において、基板の異物の発生状態を、基板を撮像し、撮像して得た画像信号について画像信号の明るさの順を求め、求めた明るさの順ごとに隣接する画像同士を比較して差を求めることにより基板上の異物を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】 微細加工の精度及び均一性を向上させることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 複数に区分された半導体基板の露光領域に、露光領域毎の露光量を半導体基板の位置座標の関数で近似して設定し、半導体基板上に形成した下地膜上に、光透過特性が一方向に単調に変化する回折格子からなる露光モニタパターンを転写してモニタレジストパターンを形成し、モニタレジストパターンをマスクとして下地膜を設定されたエッチング条件で選択的にエッチングしてモニタ下地膜パターンを形成し、一方向のモニタ下地膜パターンの幅とモニタレジストパターンの幅との差のずれ幅分布を露光領域毎に測定し、ずれ幅分布のばらつきを、基準値と比較して、露光領域の露光量を設定することを含む。 （もっと読む）

【課題】 照明用電子のエネルギーを切り換えた場合でも、光軸がずれたり照明条件が変わったりすることのない荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 偏向器１６を作動させることにより、照明ビームの光束中心の位置を４に示す位置から１８に示す位置に変更することができる。補助レンズ１７は、その中心軸が照明ビーム１８の光束中心と一致するように配置されており、照明用荷電粒子線のエネルギーが変更された場合に、電磁プリズム３への入射位置を補正するために用いられる。電磁プリズム３に入射する照射ビームは、そのエネルギーの違いに応じて、２つの位置から入射するが、その位置は、何れの場合にも、電磁プリズム３を出るときの照明ビームの光束中心が光軸１９に一致するような位置に選ばれている。よって、照明ビームのエネルギーを変えた場合でも、試料６を軸ずれの影響が少ない条件で照明することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

異なるパラメータを使用して試験片の検査を行うための方法とシステムを提供する。コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。またこの方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定することを含む。試験片を検査するための別の方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明することを含む。またこの方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出ことも含む。試験片を検査するように構成された１つのシステムは、広帯域光源に結合された第１の光学サブシステムと、レーザに結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）