【課題】ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、フォーカス精度劣化をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた試料検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】試料を移動可能なステージ上にロード後、試料の高さ計測を行った後、試料に電子線ビームを走査させ、得られた画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査方法及び装置において、高さ計測がステージ移動による補正処理機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】ノイズ減衰の改善効果が、外部環境の状況に依存せずに得られる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数のラインに沿って電子線１６を走査し、走査上の観察試料４から発生した二次電子１４に基づいて観察信号を生成させる電子顕微鏡２０において、ラインの走査の直前又はライン同士の走査の間に、電子線１６に標準信号発生用試料５を走査させて、発生させた二次電子１４に基づいて標準信号を生成させ、標準信号を周波数空間のスペクトルに変換し、標準信号のスペクトルと標準信号のノイズが無い場合の理想信号のスペクトルとの差分の信号のスペクトルを生成し、差分の信号を減衰させるフィルタをフィルタ処理部１５に設定し、フィルタを用いて観察信号にフィルタ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】タクト時間を満足する一定速度で検査対象物を安定搬送しつつ、撮像部に入射する光量を一定に調整して安定した高精度の検査を実現する。
【解決手段】基板処理システムのインライン装置として構成される検査装置に、検査対象物としての基板を実質的に一定の搬送速度で搬送する搬送ユニットと、搬送中の基板を撮像するラインカメラ２１と、撮像制御部３００と、画像処理部３０１とを設ける。撮像制御部３００は、基板の光の反射率に関する特性データ３２０に応じて、ラインカメラ２１の露光時間を制御する。すなわち、光の反射率の高い基板については当該反射率に応じて露光時間を短くする一方で、光の反射率の低い基板については当該反射率に応じて露光時間を長くする。さらに、必要に応じて画像処理部３０１がラインカメラ２１からの画像データの縦横比が１：１となるように、補間処理あるいは間引き処理を行って撮像データ３２１を作成する。 （もっと読む）

【課題】不完全エリアを有効に検査することで歩留り管理の精度向上を図ることができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１に検査光を照射する照明手段１０と、ウェーハ１からの散乱光を検出し画像信号を出力する検出手段２０と、ウェーハ１上の各検査エリアの配置情報を記憶した座標管理装置１４０と、検出手段２０で検出された検査エリアの画像信号を参照エリアの対応画素の画像信号と比較して両者の差分を検出するとともに、検査エリアの配置情報を基にウェーハエッジ１ａに掛かる不完全な検査エリアを認識し、不完全な検査エリアを検査する場合に当該不完全な検査エリア内のウェーハエッジ１ａよりも外側の検査データを有効データから除外する画像処理装置１２０と、検査エリア及び参照エリアの対応画素の画像信号の差分をしきい値と比較して異物の有無を判定する異物判定装置１３０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の絶縁体に帯電した帯電電位をより正確に測定する帯電電位測定機能、及び測定した帯電電位の情報を用いて試料上のパターンを高精度に計測するシステムを提供する
【解決手段】少なくとも一層の絶縁膜を有する試料（たとえば、半導体基板）における絶縁膜表面の帯電電位を測定する帯電電位測定方法を提供する。本方法では、電子線を、金属薄膜を介して絶縁膜表面に照射し、電子線を絶縁膜表面に照射したときの試料電流を測定する。次に、試料に印加する電圧を所定範囲で変化させて得られる、印加電圧と試料電流との関係（検量線）を用いて得られた試料電流に対応する試料の電圧を求める。そして、この得られた試料の電圧を絶縁膜の帯電電位と定める。試料電流は、電子線照射により誘起された電流を含む。また、検量線は、試料の種類ごとに予め取得しておいてもいいし、帯電電圧測定動作の度に、電子線を照射しながら検量線を取得し、それを用いるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ゴミの付着部や傷の生じた部分等の特異部が一部に存在する被測定物についても，光干渉計により得られる位相データに基づく位相接続処理を行うことによって高精度で形状を測定できること。
【解決手段】被測定物１の表面上で物体光を照射する光干渉計による測定点を変化させつつ，干渉光の強度信号の位相を検出して得られる複数の位相データを，その位相データに対応する干渉光強度信号の振幅が振幅許容範囲内である処理対象データとそれ以外の非処理対象データとに区分し，１本の走査線に沿って，測定点が隣り合う２つの処理対象データに基づく位相接続処理を順次実行するとともに，一本の走査線に沿って非処理対象データの測定点と処理対象データの測定点とが隣り合う場合，その処理対象データとその処理対象データに対して測定点が前記一本の走査線と交差する方向において隣り合う他の処理対象データとに基づく位相接続処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】２次電子像による半導体装置の不具合解析の効率化。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、半導体装置に荷電粒子ビームを照射して得られる２次電子を検出して得られる２次電子像を入力する手段と、比較元となる半導体装置の設計データと、該比較元となる半導体装置の２次電子像とに基づいて、比較元となる半導体装置の２次電子像を電位別の領域に区分けする手段と、前記比較元となる半導体装置の設計データに基いて、前記比較元となる半導体装置の２次電子像の電位別に区分けされた前記各領域の電位濃度分布を計算する手段と、前記電位濃度分布に従って、前記比較元となる半導体装置の２次電子像の前記各領域を着色し、擬似良品２次電子像を生成する手段と、前記擬似良品２次電子像と、解析対象の半導体装置の２次電子像とを、表示する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 実機による欠陥検査の作業工数を低減させ、欠陥検査装置のスループットを向上させる欠陥検出レベル調整方法および欠陥検査システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 欠陥検査装置で、欠陥検出アルゴリズムに対して高感度パラメータを設定し、実検出データを取得した後は、前記欠陥検査装置に対してオフライン上で、所望の検出レベルを達成するまで、感度パラメータの再設定とシミュレーション検出データの取得及び／またはレビュー用データ生成を繰り返す欠陥検出レベル調整方法およびこの調整方法の実行可能な欠陥検査システムを提供する。
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【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥検査を短時間で適切に行う。
【解決手段】ウェハを移動させながら、ウェハの各測定領域に対して異なる照度の照明を照らし（ステップＳ１）、各測定領域を撮像する（ステップＳ２）。撮像された各測定領域の画像に色むらが検出されない場合には、次のステップＳ３に進む。一方、色むらが検出される場合には、ウェハを回転させて色むらのない画像を取得する（ステップＳ２−１）。色むらのない各測定領域の画像からＲＧＢ表色系の基準輝度を求め（ステップＳ３）、各基準輝度と照度との関係をグラフ化する（ステップＳ４）。ＲＧＢ表色系のいずれかの基準輝度が予め定められた所定の輝度に達する照度を、最適照度と設定する（ステップＳ５）。最適照度の照明が照らされたウェハを撮像し、ウェハの欠陥を検査する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハに形成された半導体チップのメモリマット部の最周辺部まで高感度に欠陥判定できる検査装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハに形成されたダイの回路パターンの繰り返し性に基づいて画像のデータを複数の画像メモリに分配して格納し、画像メモリに格納された画像のデータを繰り返し性の方向に加算平均した合成参照画像と比較して差分画像を生成し、差分画像の差分値が予め定められたしきい値より大きい領域を欠陥と判定し、欠陥の画像のデータと欠陥の座標を含む欠陥情報の複数を統合して出力する。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】
画像処理基板を含む画像処理装置のきめの細かい機能診断を行うことができる半導体外観検査装置を提供する。
【解決手段】
電子光学系から送信される画像，検査レシピ，検査シーケンスを記憶する記憶装置を有し、電子光学系を用いた検査を実施しない場合に、前記記憶装置へ記憶された前記画像を画像処理装置へ入力し、当該検査レシピ，当該検査シーケンスを用いて画像処理を実行し、前記画像処理装置で処理された処理画像により、当該画像処理装置の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、同一パターンとなるように形成された２つのパターンの対応する領域の画
像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置において、膜厚の違いな
どから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する
。また、多種多様な欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置
を実現する。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明では、同一パターンとなるように形成された２つの
パターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査
装置を、複数の検出系とそれに対応する複数の画像比較処理方式を備えて構成した。
また、パターン検査装置を、異なる複数の処理単位で比較画像間の画像信号の階調を変
換する手段を備えて構成し、画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であ
っても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】導電性を持つシリコン層と、その上に積層された酸化シリコン膜と、を備えた基板に対して電子線を照射し、当該基板から放出される２次電子の数を検出すると共に、基板を水平方向に移動させることにより、酸化シリコン膜内のコンタクトホールに埋め込まれた金属配線と前記シリコン層とが電気的に接続されているか否かを検査するにあたり、酸化シリコン膜のチャージアップを抑えることのできる技術を提供する。
【解決手段】金属配線が形成された領域においては検査用の加速電圧で金属配線及び酸化シリコン膜に電子線を照射し、一方金属配線が形成されていない領域においては基板に入射される電子の数とこの基板から放出される２次電子の数との差が上記の検査用の加速電圧よりも小さくなる加速電圧で電子線を照射することによって、当該金属配線が形成されていない領域においては酸化シリコン膜のチャージアップを抑える。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いた欠陥のレビュー方法、および欠陥のレビュー装置において、電子ビームの自動焦点合わせの設定に要するユーザの工数を低減し、試料の観察を容易化する。
【解決手段】
観察対象の座標上に予め登録された複数個の座標位置について焦点合わせを行い、座標位置における各焦点位置に基づいて焦点合わせの基準を作成し、該基準と前記焦点位置との間のずれ量に基づいて焦点探索範囲を設定し、観察対象の欠陥検出の自動焦点合わせの範囲を、設定された焦点探索範囲に基づいて決定する。 （もっと読む）

【課題】ユーザが、欠陥の検出性能とスループットのどちらかを優先させることができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の外観検査装置では、ユーザは、デジタル画像信号の周波数、又は、サンプリングレートに対するデジタル画像信号の周波数の比を選択することができる。更に、ユーザは、スループットの向上を優先するか、又は、Ｓ／Ｎの向上を優先するかを選択することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度のパターン評価方法、プログラムおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】設計パターンの輪郭を直線部とコーナ部とに分割し、評価対象パターンの検査画像から評価対象パターンの輪郭を検出し、検出した輪郭と設計パターンの輪郭との間でマッチング処理を行い、輪郭同士の対応関係を参照して評価対象パターンの輪郭を直線部とコーナ部とに分割し、直線部とコーナ部とで個別に評価する。 （もっと読む）