【課題】本発明は、試料に荷電粒子ビームを照射することなく、帯電等の影響が反映された画像を形成する画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体デバイスの設計データから、荷電粒子ビームを照射する範囲を含む領域の情報を取得し、当該情報に基づいて、前記荷電粒子ビームの照射範囲について画素単位で、試料に荷電粒子ビームを照射したときの前記画素部分にて検出される電子の量を計算し、当該電子量に基づいて求められる輝度情報を配列して、画像を形成する画像形成装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の配線の良否を高精度で検査することが可能な半導体基板の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１４に電子ビーム１３を照射し二次電子１６を検出する。信号処理装置１８は、二次電子１６の信号強度に応じて半導体基板１４の被検査面の状態を示す電位コントラスト画像を作成する。制御用計算機１９は、欠陥検査においてノイズ源となる非検査対象の配線の画像を自己生成画像で置き換え、置換処理後のコントラスト画像に基づいて検査対象の配線の欠陥を検査する。 （もっと読む）

【課題】被テストデバイスの不良箇所の位置を３次元的に特定する。
【解決手段】故障解析装置７０には、被テストデバイスである半導体デバイス（ＤＵＴ）２１にレーザ光を照射して、照射された被テストデバイスの特定箇所を加熱して熱起電流を発生させるレーザ照射手段と、前記レーザ光を水平方向及び垂直方向に走査して前記被テストデバイスの光加熱抵抗変化画像を撮影する撮影手段と、水平方向の前記光加熱抵抗変化画像と前記被テストデバイスの平面レイアウト画像を水平方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第１の位置座標設定手段と、縦方向の光学ステージ位置情報と前記被テストデバイスの断面情報を縦方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第２の位置座標設定手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】試料へのダメージを抑えつつ、偏光検出を利用した欠陥検出感度向上とHaze計測を両立させる欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】試料に対し、エネルギの吸収が小さい波長帯域を有するレーザビームを発振する光源と、前記光源から発振されたレーザビーム照射により、欠陥から発生する欠陥散乱光を検出する欠陥検出光学系と、ウエハ表面荒れから発生するラフネス散乱光を検出するHaze検出光学系の二つを独立に備え、前記二つの検出光学系で検出した散乱光に対し独立に偏光検出を行い、前記二つの異なる検出信号に基づき欠陥判定および、Haze計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの裏面欠陥をその表面に形成されたパターンと関連して検出する。
【解決手段】表面に複数の回路パターンが形成されたウエハＷの裏面の欠陥を検査する検査装置ＳＴ２が、ウエハＷの裏面を照明する裏面照明装置１２０と、裏面照明装置１２０により照明された照明光の正反射光が入射しない位置に配置された裏面撮像装置１３０と、この裏面撮像装置１３０により撮像されたウエハＷからの散乱光に基づく画像からウエハＷの裏面における欠陥の存在およびその位置を検出する画像処理検査部５０とを有して構成される。画像処理検査部５０は、ウエハの表面において回路のパターンを分割するダイシングラインの画像を裏面撮像装置１３０により撮像されたウエハ裏面画像に合成して合成画像を生成し、この合成画像に基づいて欠陥の位置を各回路パターン位置と対応させて検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＦＯＶ内外のパターンの形成状況に依らず、高い再現性による測定を行い得るパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に荷電粒子ビーム装置のパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置であって、パターンが形成された試料の設計データから得られるＳＥＭの視野内、及び／又は視野外のパターン情報に基づいて、ＳＥＭのビーム条件を導出する方法、及び装置を提案する。また、当該方法及び装置の具体的な態様の１つとして、ＦＯＶが設定される領域のパターン情報に応じて、光学条件を導出するパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ウェハの表面全体の画像から，前記ソーマークの像のみを的確に抽出することにより，太陽電池ウェハの表面全体の前記ソーマークの形成状態を精緻な空間分解能で高速かつ定量的に検査できるようにすること。
【解決手段】太陽電池ウェハの表面の撮像により得られた入力画像データに対しソーマークの像の長手方向に直交する方向におけるエッジ強調処理を施してエッジ強調画像データを生成し（Ｓ２），そのエッジ強調画像データに対しソーマークの像の長手方向に平行な方向におけるハイパスフィルタリングを施してハイパス画像データを生成し（Ｓ３），エッジ強調画像データからハイパス強調画像データを差し引くことによりソーマークの像が抽出された検査用画像データを生成し（Ｓ４），検査用画像データに基づいてソーマークの形成状態の評価値を算出する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
露光ショット内の任意の位置で合わせずれ量とずれ方向とを評価することが可能なパターンの重ね合わせ評価方法を提供する。
【解決手段】
重ね合わせ評価パターンを用いるパターンの重ね合わせ評価方法であって、重ね合わせ評価パターンの画像を、電子顕微鏡１０、１０９を用いて取得し（Ｓ１）、取得した画像と、記憶部１１１に登録されていた、重ね合わせ評価パターンが配置されるべきレイアウト情報とを比較して、各露光ステップのずれ量と方向とを算出（Ｓ２）し、評価結果を表示（Ｓ３）する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンを検査する検査部１２とを備え、データに基づいて製造された半導体デバイスから欠陥情報を得て、得られた欠陥情報から、データを構成する同じ幾何学情報に関連する繰り返し発生する欠陥を認識する繰り返し欠陥認識部２５を備えた。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることなく光量調整が可能なパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。
【解決手段】パターン検査装置１００は、光照射手段１と、検査用撮像手段２と、検査手段３と、調整用撮像手段４と、フォーカス調整手段５と、光量調整手段６と、メモリ７とを備える。予めパターン検査を行う前に、調整用画像の輝度情報ｘと、検査用照射光量ｚとの相関関係を取得しておき、この相関関係に基づいて、パターン検査時には、調整用画像の輝度画像ｘに対応する検査用照射光量ｚを設定するので、検査エリア２１の膜厚による検査用画像の輝度情報のばらつきを抑制できる。これにより、最適な検査用照射光量ｚが設定できることになり、パターン欠陥の検出漏れや擬似欠陥も起きなくなって、精度よくパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハが大型化した場合における、検査装置における（１）ステージの加速・減速制御の複雑化、（２）スループット低下、（３）ステージ反転動作時のステージ支持台の振動増大（分解能劣化）等の問題を解決する。
【解決手段】ウェハ６を回転させ、回転するウェハ６に対して走査型電子顕微鏡１から電子ビームを照射し、ウェハ６から放出される２次電子９を検出する。検出された２次電子９は画像処理部において、ＡＤ変換１６され、画像データ並べ替部１７において並べかえられ、画像演算１８されて表示される。これによってステージ４をＸ方向、Ｙ方向に大きく移動することなく、ウェハ６の全ダイの画像情報を取得することが出来る。 （もっと読む）

【課題】精度高く基板の検査を行うことができる基板検査方法を提供すること。
【解決手段】３次元のワールド座標系における座標が既知である基準点を含む治具を撮像カメラにより撮像し、撮像素子のピクセル群により特定される画像座標系上の前記基準点の座標を取得する。そして、その基準点の座標を撮像カメラに設定されたカメラ座標系の座標へと変換し、ワールド座標系とカメラ座標系との変換パラメータを演算により求める。そして、その変換パラメータを用いて、被検査基板を撮像して得られるピクセル座標系上の画像データをワールド座標系上の画像データへと変換して検査を行う。このワールド座標系における被検査基板の画像は、撮像手段の位置及び姿勢による歪みが抑えられているので、被検査基板の検査精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 基盤電流値を用いてコンタクトホール底、ビアホール底のプロセス状態の定量評価を実施する際に、ホール底以外の影響を最小限に抑制し、ホール底のプロセス状態を評価できるコンタクトホール界面評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明のコンタクトホール界面評価方法は、電子ビームＥＢをウェハ基板ＷＥＨのコンタクトホールＣＯＮＨに照射して、ウェハ基板ＷＥＨに吸収される吸収電流値をウェハ基板電流値ＩＡＣとして測定することによってコンタクトホール界面ＣＯＮＨＤを評価するものであり、電子ビームＥＢの照射により測定されるウェハ基板電流値ＩＡＣがウェハ基板ＷＥＨの帯電状態や微妙な表面状態の影響を受けることを避けるために、任意のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣを基準にして、それ以外の複数のコンタクトホールＣＯＮＨのウェハ基板電流値ＩＡＣとの差分を求め、コンタクトホール界面を評価する。 （もっと読む）

【課題】
従来の照射光学系では、照射光学系の状態確認用にカメラを搭載しているが、明るさや光軸のモニタとして使用されているに留まり、装置の異常や定期メンテナンスなどの調整時に使用されていた。本発明では、複数のカメラで照射光学系の状態をモニタリングし、装置にフィードバックすることで、環境の変動に影響を受けない安定した照射光学系、および検査装置を提供することができる。また、部品交換などのメンテナンス時間の短縮を可能とすることを目的とする。
【解決手段】
複数台の撮像装置を設置し、それらの画像を解析することができる計算処理部を有し、計算結果より照射光学系にフィードバックすることができる調整機構を搭載していることを特徴とする検査装置。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置製造プロセスで形成されるパターンの検査前に実行されるプリチャージの最適な条件を簡易に設定できるようにし、プリチャージの良否を自動判定し、その後の動作にフィードバックするようにして、検査結果の信頼性の低下を防ぎ、常に安定した検査ができるようにする。
【解決手段】
電子ビームを照射する前に、電子ビームを発生させる電子源とは別の第二の電子源から電子を発生させて基板の表面に帯電を形成させる帯電形成手段と、該帯電形成手段により基板の表面に帯電が形成された状態で、基板に流れる電流の値を計測する電流計測手段と、該電流計測手段により計測された電流の値が予め定められた目標値になるように帯電形成手段により形成される帯電を調整する調整手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】より短時間で欠陥を撮像できる欠陥観察装置および欠陥観察方法を得ること。
【解決手段】この欠陥観察方法は、観察対象物の欠陥および基準マークの位置座標を取得するステップと、欠陥を検出して、この検出された欠陥位置に応じて位置座標を補正する第１の方法で欠陥を撮像するのに必要な第１の時間を算出するステップと、基準マークを検出して、この検出された基準マーク位置に応じて位置座標を補正する第２の方法で欠陥を撮像するのに必要な第２の時間を算出するステップと、第１、第２の時間を比較するステップと、比較結果に応じて、第１または第２の方法で位置座標を補正して欠陥を撮像するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】異物や欠陥等を高いスループットで確実に撮像し得る半導体検査方法及び半導体検査システムを提供する。
【解決手段】スクライブライン領域に形成された検査用特徴物の座標値を第１の装置により取得するステップＳ１と、検査用特徴物の座標値を第２の装置により取得するステップＳ２と、第１の装置により取得された検査用特徴物の座標値と第２の装置により取得された検査用特徴物の座標値との差に基づいて補正値を求めるステップＳ３と、デバイス領域の欠陥又は異物の座標値を第１の装置により取得するステップＳ５と、第１の装置により取得されたデバイス領域の欠陥又は異物の座標値を補正値により補正し、補正値により補正された座標値に基づいてデバイス領域内の欠陥又は異物を第２の装置により撮像するステップＳ６，Ｓ７とを有している。 （もっと読む）

【課題】小型で低価格でありながら、検査対象のパターン微細化に対応した検査精度が向上された荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】被検査試料の検査位置（ウェハー座標系）を検査機構の配置位置（ステージ座標系（極座標系））に変換し、回転アーム１０２を回転させると共に、回転ステージ１０３を回転させて、検査機構の配置位置に、被検査試料の検査位置を移動させる。このとき、回転ステージ１０３の中心のずれ量等を算出して、補正することを可能としたので、２軸回転ステージ機構を有する荷電粒子線装置において、検査対象のパターン微細化に対応して、検査精度を向上することができる。また、回転アーム１０２の回転により描かれる回転ステージ１０３の中心の移動軌跡上に、複数の検査装置を配置する構成としたので、小型でありながら、複数種類の検査が可能な荷電粒子線装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】
回路パターン検査装置の画像ノイズを計測し、装置状態が異常となる兆候を察知することで、回路パターン検査装置の稼動率の低下を防止する。
【解決手段】
回路パターンが形成された基板に電子線を照射して発生する二次電子または反射電子を検出し、回路パターンの異常を検出する回路パターンの検査装置において、検出された二次電子または反射電子の信号強度に基づいて画像を生成し、該画像をインターフェースの表示装置へ表示する画像処理部と、画像に含まれるノイズの周波数解析を行う制御部とを備える。 （もっと読む）