【課題】サポートベクトルマシンを用いて製造ツールを制御する方法を提供する。
【解決手段】構造の幾何学形状を特徴付けるプロファイルパラメータによって定められる構造の形状モデルが取得される。プロファイルパラメータの値の組が取得され、これを用いて、構造から回折される光の挙動を各々が特徴付けるシミュレート回折信号の組が生成される。入力としてシミュレート回折信号の組を、予期される出力としてプロファイルパラメータの値の組を用いて、サポートベクトルマシンが訓練された後、ウェハ上に構造を製造するように製造プロセスが実行される。構造からの測定回折信号が取得され、訓練済みサポートベクトルマシンに入力される。訓練済みサポートベクトルマシンの出力として、構造のプロファイルパラメータの値が取得される。このプロファイルパラメータの値に基づいて、１つ以上のプロセスパラメータ又は製造ツールの装置設定が調整される。 （もっと読む）

【課題】精度良く半導体基板にある欠陥の画像を自動収集することができる欠陥画像自動収集方法を提供すること。
【解決手段】欠陥観察機能部２が代表欠陥を低倍率で検出するステップと、欠陥深さ測定機能部３が代表欠陥からの散乱光２６の強度と代表欠陥に入射した入射光２１の強度とを測定するステップと、散乱光２６の強度が入射した入射光２１の強度よりも大きいときに、制御部４が代表欠陥のウェハ５表面からの深さを算出するステップと、欠陥の深さが所定値以下のときに、制御部４が代表欠陥の位置情報を補正するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】作製に手間がかからず、輝度分布のばらつきの変化に容易に対処可能な、参照ウェハ像を作製する方法を提供すること。
【解決手段】半導体用ウェハの検査のために該ウェハと比較する参照ウェハ像を作製する方法であって、前記ウェハを撮影して得られた撮影画像を処理して該撮影画像から前記検査で検出される被検出部分（輝度分布）の特徴量データを抽出する抽出工程（図２のステップＳ２２、図３、図６参照）と、前記被検出部分が前記撮影画像上で発現する位置を想定する想定工程（図２のステップＳ２２、図４、図７参照）と、前記参照ウェハ像の前記想定した位置に前記被検出部分を発現させる発現工程（図２のステップＳ２３、図５、図８参照）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】少ない教師サンプルを用いて抽出程度の変化に対する分類性能のロバスト性を確保すること。
【解決手段】画像より欠陥領域を抽出する欠陥領域抽出手段１０１と、前記欠陥領域が抽出されるべき正解カテゴリを入力する操作手段１０４と、正解カテゴリが入力された領域に対し、新たな抽出パラメータを設定する抽出パラメータ設定手段１０８と、前記新たな抽出パラメータを基に欠陥領域を再抽出する欠陥領域抽出手段１０１と、再抽出結果を基に前記欠陥領域に対して抽出程度が異なる複数の教師データを作成する教師データ作成手段１０５と、前記教師データを基に分類を行う分類手段１０７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、検査対象となる回路パターンの画像をモニタ画面を通して検査する際に、その画面の正確な情報により迅速に処理できると共に、製品全体に及ぶ欠陥又は特定領域における欠陥を迅速に検知することができる回路パターンの検査方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、検査画像を取得するときの電磁波又は荷電粒子線照射の前後において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射しウェーハの帯電状態を変化させる電子線の照射条件に係るパラメータを設定するものであり、ウェーハの一列ダイ毎に、検査画像を取得する前において、検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射した後、照射の対応部分又はその近傍に検査画像を取得する電磁波又は荷電粒子線の照射を行ない、次いで、検査画像取得の照射した検査画像の対応部分又はその近傍に電子線を照射する操作を順次繰り返す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ステージの位置ズレ補正制御だけに頼ることなく、被検査物を撮影した撮像画像の位置補正や被検査物を撮影するイメージセンサの向きを調整補正する等の対応により、異物やパターン欠陥が高速・高精度に検出でき、コストＵＰが抑制できる検査方法および検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、移動するステージに搭載されている被検査物をイメージセンサで撮影する検査方法において、撮影に向け移動する前記ステージの目標位置と実際位置との位置ズレ量を求め、撮影した前記目標位置の撮影範囲からの撮像画像切り出しで、前記位置ズレ量に見合った切り出し位置補正をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化が可能な外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理部１３の光源特性測定部１３５において、光量制御量と基準明るさとの対応を光源特性として求め、光厳情報保存部１３６に光源特性データとして保存する。検査時は、正解パターン登録時の明るさ換算値及び光源特性データに基づいて、光量制御量を演算することで、光量調整の手間を要することなく、迅速に検査が実行可能である。 （もっと読む）

【課題】光学式顕微鏡により観察対象の欠陥を高感度に検出し、確実に走査型電子顕微鏡等の視野内に入れることによって高スループットで欠陥を観察できるようにした欠陥観察装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】真空チャンバ内に設けられたステージ上に載置される試料上の欠陥を光学的に再検出する光学式顕微鏡と、前記ステージを移動して前記試料上の欠陥を視野内に位置付けて観察する電子顕微鏡とを備えた欠陥観察装置であって、前記光学式顕微鏡は、更に、前記ステージ上に載置された試料の高さを光学的に検出する高さ検出光学系と、前記試料上の欠陥に対して照明を行う照明光学系と、該照明光学系により照明された前記試料上の欠陥から得られる反射光を集光して欠陥の画像信号を検出する検出光学系とを備え、前記高さ検出光学系で検出される試料の高さ情報に基づいて前記光学式顕微鏡について焦点合わせを行うように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】照明波長の1/10程度の大きさの欠陥で発生する散乱光の分布は等方的となる。このため，多方向で検出した信号を加算することによりSN比が向上して微小欠陥検出が可能となる。一方で散乱光分布が異方性となる欠陥では，多方向で検出した信号を加算することでSN比が低下し，検出感度を低下させることとなる。半導体基板の欠陥検査においては，欠陥の種類に関係なく，高感度検査が必要である。
【解決手段】多方向で検出した散乱光の検出信号を加算して微小欠陥の検出を行うとともに，各検出信号を個別に処理することによって，異方性欠陥の見逃しを回避することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターン画像検出部１１０の特性変動や被検査ウェーハ６の表面特性の個体ばらつきに応じて、欠陥判定のしきい値を自動的に調整する。
【解決手段】画像処理部１２０は、被検査ウェーハ６表面のある領域の検出画像とその領域と同じパターンを有する他の領域の検出画像との差分画像に基づき、欠陥信号を抽出する欠陥信号抽出部２１、前記差分画像の全画素について、その各画素の欠陥信号量を累積して、その頻度分布および分散を算出する欠陥信号累積部２３、その算出した分散を、基準の被検査ウェーハ６から得られた基準の頻度分布の分散と比較して、頻度分布のオフセット量を算出するオフセット算出部２４、あらかじめ設定された基準の欠陥判定しきい値を前記オフセット量により修正し、その修正した欠陥判定しきい値に基づき、前記欠陥画像についての欠陥信号の欠陥判定を行う欠陥判定部２５、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体パターン検査装置において、シミュレーションで求められた危険箇所に対して、その検出感度を最適化したい要望がある。しかし、設計データとパターン検査装置を結びつけたツールがない。あるいは、その実施に膨大な時間を要し、製造現場での運用には無理があった。
【解決手段】本発明では、検査装置から出力した複数の検査・画像・特徴量データ、及びレビューＳＥＭ画像だけでなく、シミュレーションから求めた危険箇所の座標情報、及びその部分のＣＡＤ情報を取り込む。これらの情報を並べて表示するデータ処理装置により、危険箇所の検出率の観点から検査装置の検査条件のチューニングを容易にする。また、レビューＳＥＭで読み取ることが出来る座標データを出力して容易に定点観察機能を従来のレビューＳＥＭで実現できるようにする。これによりシミュレーションデータ、検査装置、レビューＳＥＭの連携を容易にする。 （もっと読む）

【課題】ダイ比較方式を用いた光学式半導体欠陥検査方法及び検査装置に関して、より微細な欠陥や回路パターンに対して致命性の高い検出を、より高い感度で検出する検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】（１）光源、照明光学系、（２）散乱光検出用の複数の欠陥検出光学系及び光検出器、（３）基板ホルダと走査用ステージ、（４）隣接ダイ画像との位置ずれ情報を求める手段、及び該位置ずれ情報を全ての欠陥検出画像処理ユニットに伝送する手段、（５）位置ずれ情報を、各検出光学系の設計及び調整条件に合うように補正をする手段と、補正された位置ずれ情報をもとにダイ間差画像を算出する手段、（６）ダイ間差画像をもとに欠陥判定/検出処理を実施する欠陥検出画像処理ユニット、（７）位置ずれ情報に影響のある各検出光学系の設計及び調整条件を、手動もしくは半自動で算出して設定する手段。 （もっと読む）

【課題】試料表面の温度上昇を抑えて検出感度を向上させる欠陥検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】線状照明を行う照明光学系、被照明領域をラインセンサで分割して検出する検出光学系により、一度の検査で同一欠陥を複数回照明し、それらの散乱光を加算することにより検出感度を向上させる。本手法では試料表面での温度上昇を抑えることができ、またスループットを低下させずに試料表面を検査可能にする。 （もっと読む）

【課題】残留デフォーカスによる測定誤差を示さないか、またはより小さい程度に示す角度分解スキャトロメータおよびスキャトロメータ測定方法を提供する。
【解決手段】角度分解スキャトロメータに、瞳面の像の中に延びる少なくとも１つの掩蔽部を含んだ開口プレートが設けられている。ターゲットパターンのデフォーカス値は、掩蔽部の像の最も内部の点と瞳像の名目上の中心との間の半径方向距離から決定される。複数の異なるデフォーカス位置で基準板を使用して複数の正規化用の像を取り込み、さらにターゲットパターンの測定スペクトルから適切な正規化を引くことによって、デフォーカスエラーは補償される。 （もっと読む）

【課題】
検査対象基板において不規則な回路パターン部分では、パターンからの散乱光によって欠陥信号が見落とされ、感度が低下する課題があった。
【解決手段】
光源から出射した光を検査対象基板上の所定の領域に所定の複数の光学条件をもって導く照明工程と、前記所定領域において、前記複数の光学条件に対応して生じる複数の散乱光分布の各々につき、所定の方位角範囲および所定の仰角範囲に伝播する散乱光成分を受光器に導き電気信号を得る検出工程と、該検出工程において得られる複数の電気信号に基づいて欠陥を判定する欠陥判定工程とを有することを特徴とする欠陥検査方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】
表面検査装置に於いて較正用ウェーハの汚染を高度に防止し、検査結果の較正精度、較正の信頼性を向上させ、延いては表面検査装置の検査精度の向上、信頼性の向上を図る。
【解決手段】
基板表面の異物、傷を検査する検査部２と、該検査部に被検査体の基板、較正用基板を搬入出する搬送部１とを具備する表面検査装置に於いて、前記搬送部が較正用基板を収納する較正用基板収納部を具備し、該較正用基板収納部は内部に清浄流れが形成される様構成した。
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【課題】スループット時間を大幅に増加させることなく、ＴＩＳおよび／または瞳面の中心を求める際のエラーを補償し、或いは、軽減する方法および装置を提供する。
【解決手段】スキャトロメータの非対称性を測定する方法において、ターゲット部分を、第一には０°の基板回転で、第二には１８０°の基板回転で、２回照明する。これらの像の一方を回転し、次に回転したその像を他方の像から引く。この方法で、スキャトロメータの非対称性を補正することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体試料の帯電処理を効率化する。かつ当該絶縁体試料の接触抵抗値にあわせて、電子光学系の調整を行う。
【解決手段】 帯電処理の前に試料の絶縁破壊を行い、帯電処理を実施する。また、絶縁破壊確認のための試料の抵抗値の結果を用いて、電子光学系の制御パラメータを選択する。 （もっと読む）

【課題】 異物が電極パッド上に残っていたとしても針痕に異常がなければ、正常な針痕、しいては正常な電極パッドとして扱うことが望ましい。
【解決手段】 被検査物なる半導体ウェハにおいて、電気的特性検査をおこなった時、通電のために電極パッド上に形成される針痕だけでなくその他異物が混在している場合。その後工程である外観検査装置において、正規の針痕であるにもかかわらず、単に、被検査物を洗浄する際に取り除くことができるその他異物があるだけの場合でも、不良と取り扱っていたことに対し、その要因の異なる不具合の内容を当該発明の区別方法および装置によって区別することができ、被検査物の外観検査の信頼性を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイスのシュリンクに伴う，プロセスマージンの狭いパターンの増大により，検査時間が増大する。
【解決手段】
リソグラフィーシミュレーションをもとに抽出したプロセスマージンの狭いパターン部分に対して，比較的低解像の撮像条件でＳＥＭ画像を撮像し，CADデータと比較して異常部を抽出した後，異常として抽出された領域に高解像撮像条件によりＳＥＭ画像を再度撮像し，得られた高解像画像を再度CADデータと比較し，形状の変形などの画像特徴量をもとに欠陥を分類し，分類結果毎に定まった箇所で異常部の寸法計測を行う。 （もっと読む）